专利名称：：激光切割薄片以及芯片体的制造方法激光切割薄片以及芯片体的制造方法技术区域本发明涉及用激光对工件进行切割形成芯片时适合固定工件的目的使用的激光切割片、以及使用该激光切割片恰当地进行的芯片体的制造方法。
背景技术：
：激光切割有时候也能够切割用刀片切割方法难以切割的工件，近年来很引人注目。本申请人公开了使用于这样的激光切割的激光切割片的一个例子(专利文献1)。在激光切割中，对固定于切割片上的工件扫描激光，将工件切断(dicing)。这时激光的焦点如下所述移动。即从没有贴着工件的切割片的表面(工件的外缘部)加速，以一定的速度扫描工件的表面，在工件的另一外缘部减速、停止。其后行进方向反向，加速后，对工件表面进行扫描，再度减速，停止，反向。从而，在激光焦点的移动中的加速、减速时，对没有贴着工件的切割片的端部直接照射激光。这时，会发生激光透过切割片，损伤卡盘(chucktable)的问题。而且会发生与被激光加热的卡盘接触的切割片的面熔接于卡盘上的问题。为了避免发生这些问题，使用了采用厚切割片，加大工件与卡盘表面的距离的方法(专利文献2)。在这种方法中，基体采用可延展性薄膜和保护膜的双层结构，以此维持切割片的厚度。在激光切割时，使用具有一定厚度的基体，因此达到卡盘的激光不能够实现聚焦，因此能量密度低，所以不至于损伤卡盘。而且上述切割片的熔化问题也不会发生。激光切割结束后将构成基体的保护膜剥离后，进行扩展和拣选芯片。但是在激光切割结束之后有必要剥离基体的构成层之一，工序变得烦杂。而且在激光切割时有利用激光切割扩展膜的情况，也有不进行扩展的情况。又，在专利文献3，公开了在将氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚体等固化性树脂制造成薄膜并使其固化得到的基体上设置粘接剂层形成的切割片。但是在专利文献3中，有使用于刀片切割的企图，没有认识到如上所述的激光切割特有的课题。将氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚体制膜并固化得到的薄膜，其交联密度高，因此可以预期即使是受到激光的直接照射，薄膜受到的损伤也比较轻微。而且扩展性能也好，因此在切割之后扩展，也容易拉开芯片的间隔。因此研究出作为如上所述的激光切割的基体，可以使用这样的薄膜。但是，专利文献3所述的薄膜虽然扩展性优异，但具有在扩展之后保持此状态而不容易复原的性质。也就是说，将这样的薄膜作为切割片的基体使用的情况下，有可能出现如下所述的问题。通常在扩展工序之后拣选芯片后，切割片在张设在环形框架上的状态下被回收容纳于回收盒中。回收后去除切割片，环形框架经过洗净工序等再度使用。由于借助于扩展使切割片拉伸，因此切割片处于从环形框架上下垂的状态。在该状态下下垂的切割片与回收于回收盒中的其他环形框架或切割片接触，因此回收盒不能够顺利地将其回收于其中。这样的结果是，采用专利文献3记载的薄膜的切割片还不能够实现，毕竟也没有作为激光切割片使用。专利文献1特开2002-343747号公报专利文献2特开2006-245487号公报专利文献3特开2002-141306号公报
发明内容发明解决的技术问题本发明是为解决伴随上述那样的已有技术发生的问题而作出的。也就是说，本发明的目的在于，提供能够防止在激光切割中发生激光将切割片切断、损伤卡盘、以及使切割片熔接于卡盘上的情况发生的激光切割片、以及用使用该激光切割片的激光切割方法制造芯片体的制造方法。而且本发明的目的在于，改善使用在激光切割中可望有优异的性质的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯薄膜的基体在扩展后的形状复原性能。解决技术问题的手段以解决这样的存在问题为目的的本发明的要旨如下所述。(1)一种激光切割片(dicingsheet)，由聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯构成的基体和形成于其一面上的粘接剂层构成。(2)根据⑴所述的激光切割片，构成基体的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯是对包含能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚体和能量射线固化性单体的混合物照射能量射线得到的固化物。(3)根据⑵所述的激光切割片，能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体是聚醚型氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体。(4)根据(3)所述的激光切割片，聚醚型氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体的醚结合部是亚烷氧基(alkyleneoxy基)(即-(-R-O-)n-，其中R为亚烷基，η为2200的整数)。(5)根据(4)所述的激光切割片，亚烷氧基(-(-R-O-)n-)的亚烷基(alkylene基)R是碳数为16的亚烷基。(6)根据(5)所述的激光切割片，亚烷氧基(-(-R-O-)n-)的亚烷基R是亚乙基(ethylene)、亚丙基(propylene)、亚丁基(butylene)、或四亚甲基(tetramethylene)。(7)根据(1)所述的激光切割片，构成基体的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯是，每100重量％的该聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯，包含3070重量％的能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚体单元，而且每100重量％该能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体含有3595重量％的作为结构单元的亚乙氧基(ethyleneoxy基)。(8)根据(7)所述的激光切割片，所述基体拉伸50%之后的畸变复原率为80100%。(9)一种芯片体的制造方法，在(1)(6)中的任一项所述的激光切割片的粘接剂层上粘贴工件，利用激光将工件切割成一片一片制作芯片。(10)一种芯片体制造方法，在(7)或(8)所述的激光切割片的粘接剂层上粘贴工件，利用激光将工件切割成一片一片制作芯片，使切割片扩展以加大芯片间隔，拣选芯片。发明的技术效果在本发明中，构成基体的树脂采用聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(po1yurethaneacrylate)，因此即使是对基体照射激光，基体受到的损伤也小，不会被切断。而且基体即使没有受到损伤，透过基材到达卡盘的光量也降低。结果，能够防止在激光切割中发生激光将切割片切断、损伤卡盘、以及使切割片熔接于卡盘上，得以顺利地用激光切割进行芯片体的制造工序。此外，本发明中作为基片，使用含有特定比率的亚乙氧基的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯，从而改善了切割片扩展后的形状复原性，使环状框架的回收能够顺利进行。图1是说明在实施例中评价的“下垂量”的说明图。具体实施例方式下面进一步对本发明进行具体说明。本发明的切割片由基体和在其上形成的粘接剂层构成。作为基体，使用以聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯为主要构成成分的树脂薄膜。最好聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯薄膜是在包含能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚体和能量射线固化性单体的混合物成膜后对其照射能量射线得到的固化物。能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体，是使例如聚酯型或聚醚型等多元醇化合物与多异氰酸酯化合物反应，使该反应得到的端基为异氰酸酯的氨基甲酸乙酯预聚物与具有羟基的(甲基)丙烯酸酯反应得到的。而且能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体也可通过使多元醇化合物与具有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯反应得到。多元醇(polyol)化合物也可以是亚烷基二醇(alkylenediol)、聚醚型多元醇、聚酯型多元醇、聚碳酸酯型多元醇中的任何一种，但使用聚醚型多元醇可得到更为良好的效果。此外，而且只要是多元醇，没有特别限制，2官能团的二元醇、三官能团的三元醇都可用，但从取得的容易性、通用性、反应性等观点来看，使用二元醇特别好。因此，优选使用聚醚型多元醇。聚醚型多元醇一般以H0-(-R-0-)n-H表示。其中R为2价烃基，优选为亚烷基(alkylene)，更优选为碳数16的亚烷基，特别优选为碳数2或3的亚烷基。此外，碳数16的亚烷基中优选亚乙基、亚丙基、亚丁基或四亚甲基，特别优选是亚乙基或亚丙基。此外，η优选为2200，更优选为10100。但是，作为特别优选的聚醚型多元醇，可例举聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇、聚四亚甲基二醇，作为更优选的聚醚型二元醇可例举聚四亚甲基二醇、聚丙二醇。聚醚型多元醇通过与多元异氰酸酯化合物反应，衍生出酯结合部(-(-(R-0-)n_)，生成端基为异氰酸酯的氨基甲酸乙酯聚合物。这种酯结合部可以是环氧乙烷、环氧丙烷、四氢呋喃等环状醚的开环反应衍生的结构。作为多异氰酸酯化合物，例如可用4，4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、2，4_甲苯二异氰酸酯、2，6_甲苯二异氰酸酯、1，3_二甲苯二异氰酸酯、1，4_二甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷4，4’-二异氰酸酯等，特别优选使用的是4，4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯。接着，使末端为异氰酸酯的氨基甲酸乙酯预聚物和含有羟基的(甲基)丙烯酸酯反应，得到氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体。作为含有羟基的(甲基)丙烯酸酯，例如可用2-羟基乙基丙烯酸酯或2-羟基乙基甲基丙烯酸酯、2-羟基丙基丙烯酸酯、2-羟基丙基甲基丙烯酸酯、2-羟基丁基丙烯酸酯、2-羟基丁基甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸乙二醇酯等，特别优选使用2-羟基乙基丙烯酸酯或2-羟基乙基甲基丙烯酸酯。所得的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体以通式Z-(Y-(X-Y)m)-Z表示(式中，X为聚醚型二元醇衍生而来的结构单元，Y是二异氰酸酯衍生而来的结构单元，Z是含有羟基的(甲基)丙烯酸酯衍生而来的结构单元)。上述通式中m优选选择为1200，更优选为150此外，如上所述，使前述多元醇化合物和含有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯反应，可获得氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体。多元醇化合物和前述同样，作为含有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯，可使用例如2-丙烯酰氧乙基异氰酸酯或2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯等，特别优选使用2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯。所得的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体以通式W-X-W表示(式中，X为聚醚型二元醇衍生而来的结构单元，W是含有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯衍生而来的结构单元)所得的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体的分子内具有光聚合性的双键，具有通过能量射线照射而聚合固化、形成皮膜的性质。本发明中优选使用的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体的重均分子量在100050000、更优选200040000的范围内。上述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体可单独使用，也可两种以上组合使用。在仅使用上述氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体时，制膜困难的情况多，所以本发明将其用能量射线固化性的单体稀释、制膜后固化而得到薄膜。能量射线固化性单体在分子内具有能量射线聚合性的双键，在本发明中特别优选使用具有较大体积基团的丙烯酸酯系化合物。为稀释该氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体而使用的能量射线固化性单体的具体例子可举出，(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸金刚烷酯等脂环式化合物，丙烯酸苯基羟基丙酯、丙烯酸苄酯、苯酚环氧乙烷改性的丙烯酸酯等芳香族化合物，或者(甲基)丙烯酸四氢糠醇酯、吗啉丙烯酸酯、N-乙烯基吡咯烷酮或N-乙烯基己内酰胺等杂环式化合物。又可以根据需要使用多官能团(甲基)丙烯酸酯。这种能量射线固化性单体可单独使用，也可多种组合使用。上述能量射线固化性单体相对于100重量份氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体优选以5900重量份、更优选10500重量份、特别优选30200重量份的比例使用。构成基材的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜通过将含有氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体和能量射线固化性单体的混合物制膜、固化而得。此时，通过在该混合物中混入光聚合引发剂，可减少能量射线照射使其聚合固化的时间和能量射线照射量。作为这种光聚合引发剂，可举出安息香化合物、苯乙酮、酰基膦化合物、二茂钛化合物、噻吨酮化合物、过氧化物等光引发剂，胺或醌等光增感剂，具体可举出1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、安息香、安息香甲醚、安息香乙醚、安息香丙醚、苄基二苯基硫醚、单硫化四甲基秋兰姆、偶氮二异丁腈、联苄、丁二酮、β-氯蒽醌等。光聚合引发剂的用量相对于100重量份氨基甲酸乙酯丙烯酸酯和能量射线固化性单体总量，优选0.0515重量份、更优选0.110重量份、特别优选0.35重量份。此外，又可以在上述混合物中添加碳酸钙、二氧化硅、云母等无机填料，铁、铅等金属填料。再者，除了上述成分以外，基材中也可含有颜料或染料等着色剂等添加物。作为制膜方法，可优选采用被称为流延制膜(浇铸制膜)的方法。具体来说，可通过以下工序制造基材将液状的混合物(固化前的树脂、树脂的溶液等)以薄膜状浇铸在例如工程片上之后，用紫外线、电子束等能量射线照射涂膜使其聚合固化形成薄膜。如果使用这种方法，制膜时树脂上施加的应力少，白点(fisheye)形成少。此外，膜厚的均一性也高，厚度精度通常在2%以内。上述由氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜构成的基材即使被激光照射，基材所受的损伤也较小，不会被切断。而且，基材即使不受到损伤，透过基材到达卡盘的光亮也会降低。这样的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜具有对激光的耐受性高、且扩展性优异的优点。但是，氨基甲酸乙酯丙烯酸酯有时会保持伸长状态不容易复原。也就是说，将该膜用作切割片的基材时，在扩展工序后拣选芯片之后，切割片松弛，不能被顺利地收纳到回收盒中。因此，特别是在将本发明的激光切割片使用于具有扩展工序的工程中的情况下，最好是由具有形状复原性的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜构成基材。形成具有形状复原性的基材优选的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯是，每100重量％氨基甲酸乙酯丙烯酸酯含有3070重量％、优选4060重量％的构成比率的作为主要成分的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体单元。此外，该氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体是，每100重量％低聚体，含有3595重量％、优选6590重量％的构成比率的亚乙氧基(ethyleneoxy基)。而且，聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯是，每100重量％氨基甲酸乙酯丙烯酸酯含有1067重量％、特别优选沈M重量％的构成比率的作为构成单元的亚乙氧基。再者，该聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯和氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体中，也可含有除了亚乙氧基以外的亚烷氧基。在优选的形式中，只要含有规定量的亚乙氧基即可，对其他亚烷氧基的含量没有特别的限定。氨基甲酸乙酯丙烯酸酯具有规定量的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体单元，并且该氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚体单元只要含有规定量的亚烷氧基(亚乙氧基)，其结构、组成、制法就被特别限定，从而可通过上述流延制膜方法得到。氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体中的亚烷氧基(含有亚乙氧基)的含有比率由原料组成算出，例如由作为原料的聚醚型多元醇、多元异氰酸酯化合物、含有羟基的(甲基)丙烯酸酯等的总重量、以及聚醚型多元醇中所含的亚烷氧基的重量决定。此外，聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯中的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体的构成比率，是根据作为原料的氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体和能量射线固化性单体等的总重量、以及氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体的重量决定的。因此，聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯中的亚烷氧基的构成比率是根据相对于反应物的总重量的，聚醚型多元醇中所含的亚烷氧基的重量算出的。此外，所得的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜利用热分解气相色谱法等方法分析，可直接定量。氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体和能量射线固化性单体的反应比率，是作为目的的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯组成中氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体单元的构成比率即可，或者也可以是所得聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯中的亚乙氧基的构成比率成为前述范围的比率。一般来说，上述能量射线固化性单体，相对于100重量％氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体，以优选43233重量％、更优选60160重量％的比例使用。此外，在算出氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体和亚乙氧基的构成比率的时，不计入填料等添加物，氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体和亚乙氧基的构成比率，根据作为构成基材的树脂成分的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯的重量决定。具有规定比率的亚乙氧基的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜即使是单层也具有形状复原性。以往研究出的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜的应力缓和性高、即使拉伸其形状也不能复原。与此相反，具有规定比率的亚乙氧基的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜在即使是拉伸后，在应力除去后也具有回复到拉伸前的形状的性质。所谓形状复原性，意味着具有某种程度的扩展性，在扩展后回复到近似扩展前的形状的性质。这种性质可用下式所得的应力缓和后的畸变复原率表示。式中，畸变复原率优选90100%、更优选95100%。畸变复原率(％)=(le-lx)/(le-lo)XlOOIo初期的长度Ie伸长50%时的长度Ix复原后的长度此外，为提高基材的上面、即设置粘接剂层的一侧的面与粘接剂的紧贴性，可进行电晕放电处理，或利用乙酸乙酯乙烯基共聚物等设置底涂层。此外也可使用与粘接剂层的反面上具有其他膜或涂膜的层积膜作为基材。本发明所涉及的激光切割片通过在上述基材上设置粘接剂层而制造。而且，由紫外线固化型粘接剂构成粘接剂层时，基材必须对紫外线透明。本发明的激光切割片中，基材厚度作为本发明的解决手段没有特别的限制，但从作业性等方面来看，优选10500μm、更优选30300μm、特别优选50200μm。粘接剂层可由以往公知的各种粘接剂形成而得。这种粘接剂没有特别的限定，但可以使用例如橡胶系、丙烯酰系、硅酮系、聚乙烯基醚等粘接剂。此外，也可使用能量射线固化型或加热发泡型、水膨润型的粘接剂。能量射线固化(紫外线固化、电子束固化)型粘接剂特别优选使用紫外线固化型粘接剂。粘接剂层的厚度优选1100μm、更优选380μm、特别优选550μm。此夕卜，粘接剂层上可层叠在其使用前用于保护粘接剂层的剥离片。剥离片没有特别的限定，例如可用聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚丙烯、聚乙烯等树脂构成的膜或它们的发泡膜，或者半透明玻璃纸(glassinepaper)、涂布纸、层压纸等纸上用硅酮系、氟系、含有长链烷基的氨基甲酸酯等剥离剂进行剥离处理。在基材表面上设置粘接剂层的方法，可以是将涂布到剥离片上形成规定膜厚的粘接剂层转印到基材表面，也可以是在基材表面上直接涂布形成粘接剂层。以下对使用本发明的激光切割片的芯片体的制造方法进行说明。本发明的芯片体的制法中，在上述激光切割片的粘接剂层上粘贴工件，用激光扫描工件表面，切断工件，得到芯片体。这种激光切割片方法本身是公知的。激光切割片中，激光的焦点如下所述地移动。即从没有粘贴工件的切割片的露出的表面(工件的外缘部)开始加速，以一定的速度扫描工件的表面，在工件的另一外缘部减速、停止。其后行进方向反向，加速后，再度对工件表面进行扫描，再度减速，停止，反向。通常，对每一切割线进行1数次程度的激光扫描。在激光焦点的移动中的加速、减速中，对没有粘贴工件的切割片的端部直接照射激光。此时，有时激光会切断切割片。此外，有时会发生激光透过切割片，损伤卡盘的问题。而且会发生与被激光加热的卡盘接触的切割片的面熔化，熔接在卡盘上的问题。但是，在本发明中，通过使用上述的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜作为激光切割片的基材，解决了上述问题。也就是说，确认了使用本发明的激光切割片时，即使例如激光直接照射激光切割片，基材也不容易因激光照射而受到损伤。具体来说，仅基材表面的一部分被激光切割，基材不会被切断。此外，具备高能量的激光不会透过基材到达卡盘，未见激光切割片熔接于其上的情况。激光切割终了后，根据需要扩展激光切割片来拉大芯片间隔。通过拉大芯片间隔，芯片之间因接触而产生的损伤减少。之后，拣选芯片，获得芯片体。而且，在由紫外线固化型粘接剂构成粘接剂层时，根据需要在拣选芯片之前进行紫外线照射。紫外线固化型粘接剂通过紫外线的照射而聚合固化，粘合力降低，因此可顺利地进行芯片的拣选。芯片拣选后，切割片以张设在环状框架上的状态收回到回收盒中。回收后，除去切割片，环状框架经洗净工程等再度使用。通过扩展，切割片被拉伸，因此形状复原性低的切割片呈从环状框架下垂的状态。在该状态下，下垂的切割片被收纳到回收盒中时，接触其他环状框架或切割片，所以不能顺利地将其收纳到回收盒中。例如，通常的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜虽然扩展性优异，但形状复原性差。但是，通过使用含有规定比率的亚乙氧基的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜作为基材，能够简便地消除切割片的下垂。结果，环状框架可被顺利地收纳到回收盒中，提高了芯片体的生产效率。作为可适用于本发明中的工件，只要能够利用激光实施切断处理，其素材没有限定，例如可使用半导体晶片、玻璃基板、陶瓷基板、FPC等有机材料基板或精密部件等金属材料等各种物品。激光器是产生波长和相位一致的光的装置，已知有YAG(基本波长=1064nm)、或红宝石(基本波长=694nm)等固体激光器、或氩离子激光器(基本波长=1930nm)等气体激光器和它们的高次谐波等，本发明可使用这些激光器。此外，如果采用含有规定比率的亚乙氧基的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯膜，则切割片在扩展后的形状复原性得到改善，环状框架的回收能够顺利地进行。产业上的利用可能性本发明中，使用氨基甲酸乙酯丙烯酸酯作为构成基材树脂，基材即使受到激光照射，所受的损伤也较小，并且透过基材到达卡盘的光量减低。结果，在激光切割中，能够防止激光损伤卡盘，防止切割片熔接于卡盘，使得利用激光切割片进行的芯片体的制造工序能够顺利地进行。实施例以下通过实施例说明本发明，但本发明不受这些实施例所限。此外，以下实施例和比较例中使用以下所述组合物作为粘接剂。粘接剂组合物对84重量份的丙烯酸丁酯、10重量份的甲基丙烯酸甲酯、1重量份的丙烯酸、5重量份2-羟基乙基丙烯酸酯构成的共聚物(重均分子量700000)的甲苯30重量％溶液，混合3重量份的多元异氰酸酯化合物(日本fU々>夕>株式会社制造的二口彳、一卜L)，得到粘接剂组合物。此外，激光切割条件和切割结果的评价法如下所示。激光切割条件(1)装置=Nd-YAG激光器卡盘材料石英波长355Iim(3次谐波)输出:5.5W重复频率10kHz脉冲宽度35nsec照射次数2次/1线切割速度200mm/sec散焦量离开磁带表面+50μm(晶片表面的焦点)晶片材料硅晶片厚:50ym晶片尺寸6英寸切割芯片尺寸5mm□激光向晶片外扫描的距离5mm激光切割条件(2)装置=Nd-YAG激光器卡盘材料石英波长355Iim(3次谐波)输出8W重复频率10kHz脉冲宽度35nsec照射次数8次/1线切割速度150mm/sec散焦量离开磁带表面+100μm(晶片表面的焦点)晶片材料硅晶片厚100μm晶片尺寸6英寸切割芯片尺寸5mm□激光向晶片外扫描的距离5mm激光切割条件(3)装置=Nd-YAG激光器卡盘材料石英波长355Iim(3次谐波)输出:5.5W重复频率10kHz脉冲宽度35nsec照射次数8次/1线切割速度200mm/sec散焦量离开磁带表面+100μm(晶片表面的焦点)晶片材料硅晶片厚100μm晶片尺寸6英寸切割芯片尺寸5mm□激光向晶片外扫描的距离5mm切割深度评价激光切割终了后，观察切割线的断面，测定从含有粘接剂层的切割片表面起的切割深度(观察部位是不粘贴晶片的，被激光直射的部分)。切割片被完全切断者记为“切断”。卡盘的损伤激光切割终了后目测观察卡盘表面，确认有没有损伤。将卡盘上没有损伤者记为“无”，有损伤者记为“有”。熔接在卡盘上激光切割终了后用激光切割装置内部的搬运机构从卡盘取出附有激光切割片的晶片时，在搬运上没有问题者记为“无”熔接，激光切割片熔接于卡盘上而导致搬运困难者记为“有”熔接。畸变复原率按照以下条件，进行基材的拉伸试验，从所得的值求出畸变复原率。畸变复原率(％)=(le-lx)/(le-lo)XlOOIo初期的长度Ie伸长50%时的长度Ix复原后的长度具体来说，将实施例·比较例中的基材切割为长度140mmX宽15mm(厚度为实施例中所用的厚度)，在温度23°C湿度65%的环境下，以IOOmm(I0)的测定间隔夹持基材的两端将其固定于拉伸试验机上，以200mm/min的速度拉伸到150mm(le)的测定间隔，保持1分钟。之后，从拉伸试验机上取下，静置5分钟后测定基材的长度(lx)。扩展性将没有粘贴晶片的切割片在温度23°C湿度65%的环境下用NEC^^f'J一株式会社制造的芯片焊接机(diebonder)CSP-100VX以5mm的下拉量试扩展。可扩展者记为“良好”，因基材薄膜强韧而发生装置停止或激光切割片从环状框架脱落者记为“不良”。复原性在扩展状态下保持1分钟，从装置取出后，投入70°C的烘干机中1分钟。降到室温后，如图1所示，测量环状框架的下表面所限定的平面与切割片之间的最大距离(以下称为“下垂量”)。下垂量在5mm以下者记为“良好”，超过5mm者记为“不良”。实施例1准备2-羟基乙基丙烯酸酯OHEA)、4，4’-二环己基甲烷异氰酸酯(H12MDI)和下式所示的聚酯多元醇(Polyol分子量826)，摩尔比2ΗΕΑH12MDIPolyol=243。一开始使H12MDI与聚酯多元醇反应，在所得的反应产物上加成2ΗΕΑ，获得氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体。(化1)权利要求1.一种激光切割片，其特征在于，由聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯构成的基体和形成于其一面上的粘接剂层构成，构成该基体的聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯是对包含能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚体和能量射线固化性单体的，相对于100质量份的能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(々>夕一卜)系低聚物(才^7—)含有5900質量份的能量射线固化性单体(77—)的混合物，照射能量射线得到的固化物。2.根据权利要求1所述的激光切割片，其特征在于，能量射线固化性氨基甲酸乙酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)系低聚体是聚醚型氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体。3.根据权利要求2所述的激光切割片，其特征在于，聚醚型氨基甲酸乙酯丙烯酸酯系低聚体的醚结合部是亚烷氧基(alkyleneoxy基)，即-(-R-O-)n-，其中R为亚烷基，η为2200的整数。4.根据权利要求3所述的激光切割片，其特征在于，亚烷氧基、即-(-R-O-)n-的亚烷基R是碳数为16的亚烷基。5.根据权利要求4所述的激光切割片，其特征在于，亚烷氧基、即-(-R-O-)n-的亚烷基R是亚乙基、亚丙基、亚丁基、或四亚甲基。6.一种芯片体的制造方法，其特征在于，在权利要求15中的任一项所述的激光切割片的粘接剂层上粘贴工件，利用激光将工件切割成一片一片制作芯片。全文摘要本发明的目的在于，防止在激光切割中发生激光将切割片切断、损伤卡盘(chucktable)、以及使切割片熔接于卡盘上的情况。本发明的激光切割片由聚氨基甲酸乙酯丙烯酸酯构成的基体和形成于其一面上的粘接剂层构成。文档编号H01L21/78GK102311708SQ20111012849公开日2012年1月11日申请日期2007年11月29日优先权日2006年12月5日发明者佐藤阳辅,田矢直纪,若山洋司申请人:琳得科株式会社