专利名称：光阻去除方法
技术领域：
本发明涉及电容制造工艺，且特别涉及电容制造工艺中的光阻去除方法。
背景技术：
电容元件常用于如射频、单片微波IC等集成电路中作为电子无源器件。常见的电容结构，包括如金属氧化物半导体(MOS)电容、PN结电容以及金属-绝缘体-金属(MIM)电容等。其中，由于MOS电容以及PN结电容均受限于其本身结构，在工作时易产生空穴层，导致其频率特性降低，而MIM电容可以提供较好的频率以及温度等特性，因而MIM电容能够在某些特殊应用中提供较由于MOS电容以及PN结电容的电学特性。此外，MIM电容可在金属内连线阶段形成，降低了与CMOS前端工艺整合的困难度及复杂性。参考图1，常规的MIM电容结构至少可包括作为下电极板的第一金属层100，作为上电极板的第二金属层200、中间所间隔的绝缘电介质层300、表面金属层600、分别连接第一金属层100和表面金属层600及第二金属层200和表面金属层600的通孔500以及金属层之间的钝化层400。MIM电容的大小主要取决于电介质层300的厚度以及作为电极板的第一金属层100和第二金属层200两者的相对应面积。在常规制作工艺中，为了形成通孔500，往往在钝化层400的表面先形成光阻层，通过刻蚀光阻层和钝化层400以形成通孔 500。关于MIM电容的制作工艺，可进一步参考专利号为ZL200310109109. 0、名称为“形成金属-绝缘体-金属电容的方法”的中国专利，其中也提到使用反应性离子蚀刻去除通孔开口下的介电质以及用于形成通孔的光阻层。目前，在制作MIM电容的过程中，在需要对对所形成的光阻层进行去除时，例如当完成了曝光和显影，或者当工艺过程中发生了差错需要返工时，通常采用干法刻蚀的方法。 然而，发明人在长期的生产实践中发现当采用干法刻蚀去除光阻层时，由于干法刻蚀中的氧气容易与表面的金属，例如TiN，发生反应，进而在MIM电容器表面形成不易刻蚀的氧化物，影响后续的工艺；而且，一般的干法刻蚀通常无法将表面的光阻层去除干净，从而造成了产品良率的下降。
发明内容
本发明提出一种光阻去除方法，改变了传统MIM电容制作工艺中所采用的干法刻蚀去除光阻的步骤，提高了产品良率。为了实现上述技术目的，本发明提出一种光阻去除方法，应用于MIM电容制作工艺，该光阻去除方法包括在晶片表面形成光阻层，并对覆盖光阻层的晶片进行曝光和显影；采用至少一种有机溶剂对所述光阻层进行湿法刻蚀，以去除晶片表面的光阻层。可选的，所述采用至少一种有机溶剂对光阻层进行刻蚀包括仅采用一种有机溶剂对所述光阻层进行刻蚀，其中，根据所述光阻材料对所述有机溶剂进行选择。可选的，所述有机溶剂为异甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇异甲基醚酯经过预定配比比例所形成的溶剂。可选的，所述采用至少一种有机溶剂对光阻层进行刻蚀包括采用两种有机溶剂依次对所述光阻层进行湿法刻蚀，其中，至少一种有机溶剂为由异甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇异甲基醚酯经过预定配比比例所形成的溶剂。可选的，至少一种有机溶剂为由乙醇胺等按一定配比组成的有机碱溶液。本发明的有益效果为改变了传统工艺中的干法刻蚀去除光阻的步骤，避免了产品表面形成不易刻蚀的氧化物，此外能够更加有效地去除光阻，从而提高了产品良率。
图1为常规MIM电容的结构剖面示意图；图2为本发明光阻去除方法一种实施方式的流程示意图；图3为图2所示步骤S12 —种具体实施方式
的流程示意图。
具体实施例方式下面将结合具体实施例和附图，对本发明光阻去除方法进行详细阐述。参考图2，本发明光阻去除方法的一种具体实施方式
应用于MIM电容制作工艺，该光阻去除方法的具体实施方式
可包括以下步骤步骤S11，在晶片表面形成光阻层，并对覆盖光阻层的晶片进行曝光和显影；步骤S12，当需要对所形成的光阻层进行去除时，采用至少一种有机溶剂对所述光阻层进行湿法刻蚀，以去除晶片表面的光阻层。其中，步骤Sll可采用现有的工艺步骤和参数，其具体实施过程并不对本发明思路构成影响。其中，步骤S12可包括采用一种有机溶剂对所述光阻进行去除，所采用的有机溶剂可根据所述光阻的材料进行选择，例如，可采用异甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇异甲基醚酯经过预定配比比例所形成的溶剂。在其它实施方式中，步骤S12还可包括采用不同的有机溶剂依次对所述光阻层进行去除。例如，参考图3，步骤S12可包括步骤S210，先采用第一有机溶剂对所述光阻层进行去除；步骤S220，再采用第二有机溶剂对残留的光阻层继续进行去除。其中，所述第一有机溶剂可为根据所述光阻所选取的有机溶剂，例如可采用异甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇异甲基醚酯经过预定配比比例所形成的溶剂，第二有机溶剂可为由乙醇胺等按一定配比组成的有机碱溶液，从而能够更有效的去除所述光阻层。此外，步骤S12还可包括采用两种以上的有机溶剂依次对所述光阻层进行去除，从而达到更有效的光阻去除效果。上述各具体实施方式
中，发明人通过选取合适的有机溶剂，采用湿法刻蚀对晶片表面的光阻层进行去除，改变了传统工艺中常规采用的干法刻蚀，由于所选取的有机溶剂仅和光阻材料发生反应，不仅避免了在晶片表面形成影响后续工艺且不易刻蚀的氧化物， 并且相对于干法刻蚀，能够更加有效彻底地去除光阻，提高产品良率。此外，本发明光阻去除方法可以有效地利用现有的工艺设备，从而节省生产成本， 提高生产效率。本领域技术人员应能理解，在上述各实施方式中，例如沉积、曝光、显影、刻蚀等工艺的具体实现和步骤并不对本发明光阻去除方法的发明构思造成限制，上述各工艺步骤中可采用但并不限于现有的常规工艺参数、原料及设备。 本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
权利要求
1.一种光阻去除方法，应用于MIM电容制作工艺，其特征在于，所述光阻去除方法包括在晶片表面形成光阻层，并对覆盖光阻层的晶片进行曝光和显影； 采用至少一种有机溶剂对所述光阻层进行湿法刻蚀，以去除晶片表面的光阻层。
2.如权利要求1所述的光阻去除方法，其特征在于，所述采用至少一种有机溶剂对光阻层进行湿法刻蚀包括仅采用一种有机溶剂对所述光阻层进行刻蚀，其中，根据所述光阻材料对所述有机溶剂进行选择。
3.如权利要求2所述的光阻去除方法，其特征在于，所述有机溶剂为异甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇异甲基醚酯经过预定配比比例所形成的溶剂。
4.如权利要求1所述的光阻去除方法，其特征在于，所述采用至少一种有机溶剂对光阻层进行湿法刻蚀，包括采用两种有机溶剂依次对所述光阻层进行刻蚀，其中，至少一种有机溶剂为由异甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇异甲基醚酯经过预定配比比例所形成的溶剂。
5.如权利要求4所述的光阻去除方法，其特征在于，至少一种有机溶剂为由乙醇胺等按一定配比组成的有机碱溶液。
全文摘要
一种光阻去除方法，应用于MIM电容制作工艺，该光阻去除方法包括在晶片表面形成光阻层，并对覆盖光阻层的晶片进行曝光和显影；当需要去除所述光阻层时，采用至少一种有机溶剂对所述光阻层进行湿法刻蚀，以去除晶片表面的光阻层。本发明光阻去除方法改变了传统工艺中的干法刻蚀去除光阻的步骤，避免了产品表面形成不易刻蚀的氧化物，此外能够更加有效地去除光阻，从而提高了产品良率。
文档编号H01L21/02GK102427039SQ20111034197
公开日2012年4月25日 申请日期2011年11月2日 优先权日2011年11月2日
发明者孔秋东, 简中祥, 贾敏, 陈蕾 申请人:上海宏力半导体制造有限公司