专利名称：一种有机磁敏二极管的制作方法
技术领域：
本发明设计了一种有机磁敏二极管，属于微电子器件与传感器技术领域，有望在磁场测量和探测方面得到广泛应用。
背景技术：
有机半导体材料主要由碳、氢、氮等轻元素组成，它们的自旋-轨道耦合作用较弱，使得有机半导体中电子的自旋弛豫时间较长，因此与自旋相关的扩散长度较大，使其具有独特的磁致电阻效应。磁致电阻效应是指器件的电阻随外加磁场的强度变化。磁致电阻(MR)定义为器件处在有磁场的空间时的微分电阻相对于处在无磁场的空间时的微分电阻的增量AR(可正可负)与处在无磁场空间时的电阻的比率，可表示为:
权利要求
1.一种有机磁敏二极管，其特征在于它由镀有铟锡氧化物(ITO)薄膜(阳极)的衬底、有机半导体薄膜和Al薄膜(阴极)组成。
2.权利要求1所述的有机磁敏二极管，其特征在于它的阳极、有机薄膜和阴极都无磁性。
3.权利要求1所述的有机磁敏二极管，其特征在于有机薄膜为酞菁铜(CuPc)和茈四甲酸二酐(PTCDA)。
4.权利要求1所述的有机磁敏二极管，其特征在于在室温下具有磁致电阻效应。当在其阳极和阴极之间施加正电压时，其微分电阻的大小随外加磁场强度的大小而单调变化。
5.权利要求1所述的有机磁敏二极管，其特征在于其磁致电阻的正负与有机材料有关。有机薄膜为CuPc时磁致电阻为正，而有机薄膜为PTCDA时，磁致电阻则为负。
全文摘要
本发明提出了一种有机磁敏二极管，属于微电子器件与传感器技术领域，有望在磁场测量和探测方面得到广泛应用。其结构为铟锡氧化物(ITO)/酞菁铜(CuPc)或苝四甲酸二酐(PTCDA)/Al。这种有机磁敏二极管具有磁致电阻效应，其磁致电阻的大小随外加磁场的增强而增大，其中以PTCDA为有机层的器件(PTCDA器件)的磁致电阻为负，而以CuPc为有机层的器件(CuPc器件)的磁致电阻为正。在室温下，外加磁场为100mT时，PTCDA器件和CuPc器件的磁致电阻可分别达到-30％和20％以上。
文档编号H01L43/10GK103187521SQ201110455640
公开日2013年7月3日 申请日期2011年12月31日 优先权日2011年12月31日
发明者彭应全 申请人:兰州大学