专利名称：高工频耐受能力ZnO防雷芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种防雷元器件，尤其涉及一种ZnO防雷芯片。
背景技术：
众所周知，ZnO防雷芯片是由压敏电阻陶瓷芯片、分别固定在该压敏电阻陶瓷芯片表面和背面的上电极片和下电极片构成。由于压敏电阻陶瓷芯片边缘的致密度较低、缺陷较多，在长时间过电压作用下，边缘易被击穿喷火而造成重大事故；为此许多生产厂商为了提高aio防雷芯片自身的安全可靠性，通过改进生产工艺来提高压敏电阻陶瓷芯片边缘的工频耐受能力，从而使工频击穿点转移至压敏电阻陶瓷芯片的中心区域。然而，传统ZnO防雷芯片的上、下电极片表面通常都设有若干小孔，工频击穿点有可能与这些小孔重合，从而影响压敏电阻陶瓷芯片的工频耐受能力；若在上、下电极片上不设置这些小孔，上、下电极片与压敏电阻陶瓷芯片之间又容易产生虚焊，同样也会影响压敏电阻陶瓷芯片的工频耐受能力。因此，亟需开发一种能够高工频耐受能力的ZnO防雷芯片。发明内容为了克服现有技术中存在的缺陷，本实用新型旨在提供一种具有较高安全可靠性的高工频耐受能力SiO防雷芯片。为了实现上述目的，本实用新型采用以下技术方案它包括压敏电阻芯片、固定在该压敏电阻陶瓷芯片表面的上电极片、固定在该压敏电阻陶瓷芯片背面的下电极片；在上电极片和下电极片表面的对应位置设有至少两个通槽，各所述通槽将位于压敏电阻陶瓷芯片上的工频击穿点发生区域围在其中。通槽为L形结构、或直线形结构、或圆弧形结构。与现有技术比较，本实用新型由于采用了上述技术方案，在传统aio防雷芯片结构的基础上，将原来设在上、下电极片上的若干小孔改为了多个通槽，通过这些通槽将工频击穿点发生区域围在其中，因此不仅能够通过上、下电极片将工频击穿点遮盖，从而达到增强压敏电阻陶瓷芯片的工频耐受能力、最终提高aio防雷芯片自身的安全可靠性的目的； 而且这些通槽又能够避免上、下电极片与压敏电阻陶瓷芯片之间出现虚焊的现象。
图1是本实用新型的结构示意图；图2是图1中的A-A剖视图；图3是图1的后视图；图4是本实用新型实施例的结构示意图；图5是本实用新型另一实施例的结构示意图；图6是传统SiO防雷芯片的结构示意图。图中下电极片1上电极片2压敏电阻陶瓷芯片3通槽4频击穿点5工频击穿点发生区域6小孔具体实施方式
以下结合附图和具体的实施例对本实用新型作进一步说明实施例1在1 3中，压敏电阻陶瓷芯片3的表面焊有上电极片2、背面焊有下电极片1，上电极片2和下电极片1表面的对应位置分别设有四个呈L形的通槽4，各所述通槽将位于压敏电阻陶瓷芯片3上的工频击穿点发生区域6围在其中。实施例2在基本结构与实施例1相同的基础上，本实用新型还可以采用如图4所示的结构 上电极片2和下电极片1表面的对应位置分别设有四个呈直线形的通槽4。实施例3在基本结构与实施例1相同的基础上，本实用新型还可以采用如图5所示的结构 上电极片2和下电极片1表面的对应位置分别设有三个呈圆弧形的通槽4。将图6与图1、图4和图5进行比较可以看出，传统结构SiO防雷芯片的工频击穿点5与分布在上电极片2和下电极片1表面的若干小孔7重合的机率很大，压敏电阻陶瓷芯片3被击穿后产生的喷火有可能穿过小孔7而成为酿成事故的火源，安全可靠性较差；而本实用新型由于采用上述结构，即便压敏电阻陶瓷芯片3被击穿并产生喷火时，上电极片2 和下电极片1也能够将工频击穿点发生区域6内的工频击穿点5封闭、遮挡，从而大大提高了 SiO防雷芯片的高工频耐受能力，具有更好的安全可靠性。
权利要求1. 一种高工频耐受能力SiO防雷芯片，包括压敏电阻陶瓷芯片、固定在该压敏电阻陶瓷芯片表面的上电极片、固定在该压敏电阻陶瓷芯片背面的下电极片；其特征在于在上电极片( 和下电极片(1)表面的对应位置设有至少两个通槽，各所述通槽将位于压敏电阻陶瓷芯片(3)上的工频击穿点发生区域(6)围在其中。
2.根据权利要求1所述的高工频耐受能力ZnO防雷芯片，其特征在于通槽(4)为L形结构。
3.根据权利要求1所述的高工频耐受能力SiO防雷芯片，其特征在于通槽(4)为直线形结构。
4.根据权利要求1所述的高工频耐受能力ZnO防雷芯片，其特征在于通槽(4)为圆弧形结构。
专利摘要本实用新型公开了一种高工频耐受能力ZnO防雷芯片，属于防雷元器件；旨在提供一种具有较高安全可靠性的ZnO防雷芯片。它包括压敏电阻陶瓷芯片、固定在该压敏电阻陶瓷芯片表面的上电极片、固定在该压敏电阻陶瓷芯片背面的下电极片；在上电极片(2)和下电极片(1)表面的对应位置设有至少两个通槽(4)，各所述通槽将位于压敏电阻陶瓷芯片(3)上的工频击穿点发生区域(5)围在其中。本实用新型不仅能够增强压敏电阻陶瓷芯片的工频耐受能力，而且还能够避免上、下电极片与压敏电阻陶瓷芯片之间出现虚焊的现象；是一种理想的防雷元器件。
文档编号H01C7/12GK202084366SQ20112014983
公开日2011年12月21日 申请日期2011年5月12日 优先权日2011年5月12日
发明者庞驰, 张雷, 施斌, 费自豪 申请人:贵阳高新益舸电子有限公司