专利名称：高频稳相半钢射频电缆的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电缆，尤其涉及一种高频稳相半钢射频电缆。
背景技术：
在射频通讯领域，国防和精密测试等环境恶劣场合都需要各种各样的高端射频半刚电缆组件。，目前市场上的半钢电缆多为聚四氟乙烯(PTFE)实心作为介质层，极少数采用绕包的低密度PTFE作为介质层。使用这两种材料作为介质层会导致产品的使用频率极多数不超过6(ihZ，传输速率只有70%和76%。而且温度相位非常高，在正常的使用温度 40°C 80°C范围内超过1000PPM，甚至达到数千PPM。随着国内各类高端器材的大规模发展，各类射频器件被广泛应用于无线通信系统中，射频器件的研发、设计与生产在国内蓬勃发展，对半刚电缆的要求随之增高，目前的产品已经不能满足各种高端场合的需求。
实用新型内容本实用新型的目的是克服现有技术中的缺陷，提供一种速率，温度相位稳定性和衰减等性能指标优良的高频稳相半钢射频电缆。本实用新型的技术方案是提供高频稳相半钢射频电缆，包括内导体及其外部的介质层，其特征在于所述内导体材料为铜镀银，所述介质层材料为发泡聚四氟乙烯 (LD-PTFE)，所述介质层通过绕包方式缠绕在所述内导体上面，所述介质层外套有管形屏蔽层。优选的，所述屏蔽层为无缝紫铜管。优选的，所述屏蔽层外镀有三元合金，用于避免屏蔽层被氧化。优选的，所述屏蔽层内壁紧贴所述介质层。优选的，所述屏蔽层是通过拉拔的工艺加工而成的。本实用新型的高频稳相半钢射频电缆具有使用频率高，传播速率快，温度相位低于500PPM等优点。其电气性能和机械性能优异，可广泛应用于各种高端场合。
图1是本实用新型的高频稳相半钢射频电缆的结构示意图。图中内导体1，介质层2，屏蔽层3。
具体实施方式
下面对本实用新型的具体实施方式
作进一步详细的描述。如图1所示，本实用新型的高频稳相半钢射频电缆包括内导体1，介质层2，屏蔽层 3。其中，内导体1的材料为铜镀银，介质层2为发泡聚四氟乙烯(LD-PTFE)，介质层2通过绕包方式缠绕在内导体1上面。屏蔽层3为无缝紫铜管，无缝紫铜管通过拉拔的工艺套在介质层2外，其内壁紧贴介质层2，其表面镀有三元合金，用以保护紫铜管本身不被氧化。[0014]通过实际产品的开发测试，其电气性能和机械性能完全能够达到客户要求，超过目前市场上的现有产品。其频率最高可达40(ihZ，传播速率达到81%。温度相位在正常的使用温度40°C -80°C范围内不超过500PPM，远远优于同类产品。以上实施例仅为本实用新型其中的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求1.高频稳相半钢射频电缆，包括内导体(1)及其外部的介质层(2)，其特征在于所述内导体(1)材料为铜镀银，所述介质层(2)材料为发泡聚四氟乙烯，所述介质层(2)通过绕包方式缠绕在所述内导体(1)上面，所述介质层(2)外套有管形屏蔽层(3)。
2.根据权利要求1所述的高频稳相半钢射频电缆，其特征在于所述屏蔽层(3)为无缝紫铜管。
3.根据权利要求2所述的高频稳相半钢射频电缆，其特征在于所述屏蔽层(3)的表面镀有三元合金。
4.根据权利要求2所述的高频稳相半钢射频电缆，其特征在于所述屏蔽层(3)内壁紧贴所述介质层(2)。
5.根据权利要求4所述的高频稳相半钢射频电缆，其特征在于所述屏蔽层(3)是通过拉拔的工艺加工而成的。
专利摘要本实用新型公开了高频稳相半钢射频电缆，包括内导体(1)及其外部的介质层(2)，其特征在于所述内导体(1)材料为铜镀银，所述介质层(2)材料为发泡聚四氟乙烯，所述介质层(2)通过绕包方式缠绕在所述内导体(1)上面，所述介质层(2)外套有管形屏蔽层(3)。本实用新型的高频稳相半钢射频电缆具有使用频率高，传播速率快，温度相位低于500PPM等优点。其电气性能和机械性能优异，可广泛应用于各种高端场合。
文档编号H01P3/06GK202150530SQ20112024262
公开日2012年2月22日 申请日期2011年7月12日 优先权日2011年7月12日
发明者周赤伟, 李军民 申请人:昆山安胜达微波科技有限公司