专利名称：连接的超导制品的制作方法
技术领域：
本发明一般涉及超导制品及其形成方法。本发明特别涉及以连接的涂敷导体为形式的超导制品以及包含这种超导制品的器件。
背景技术：
超导材料为人所知由来已久。大约1911年人们就知道了在液氦温度下(4. 2K)呈现出超导特性的低温(低-T。)超导体。然而，直到最近人们才发现基于氧化物的高温(高-T。)超导体。在1986年附近，发现了在液氮温度以上呈现出超导特性的第一种高温超导体(HTS)，即 YBa2Cu307_x(YBC0)，在过去的 15 年间开发出了包括 Bi2Sr2Ca2Cu301(l+y (BSCCO)在内的其它材料。高-T。超导体的开发已使含这种材料的超导体组件的开发变得在经济方面切实可行，这部分程度是因为用液氮来操作这种超导体的低温设施的成本明显低于基于液氦的低温设施。在众多的潜在应用中，エ业界已在探索开发这种材料在电カエ业中的应用，其中包括电カ产生、传输、分配和存储。在这一方面，据估计，基于铜的商用电カ组件的本征阻抗导致每年损失数十亿美元的电能，相应地，当高温超导体用于电カ组件(比如传输和分配电カ线、发电机、变压器和故障电流断续器)时电カエ业一定会获利很多。另外，高温超导体用于电カエ业的其它好处包括电カ处理能力増大3-10个因子，电カ装备的尺寸(覆盖区)显著减小，对环境的影响减小，安全性増大，容量比常规技术増大。尽管高温超导体的潜在好处相当吸引人，当时在高温超导体的大規模生产和商品化的过程中仍然有大量的技术挑战。在与高温超导体商品化相关联的诸多挑战中，制造可用于形成各种电カ组件的超导条带遇到很多问题。第一代超导条带包括上述BSCCO高温超导体的使用。这种材料通常形如分立的细丝，它们被嵌在贵金属(通常是银)的基体中。尽管这种导体可以制成具有实现于电カエ业中所需的延长的长度(比如千米量级)，但是因材料和制造成本的原因，这种条带不是商业上切实可行的制品。相应地，人们对具有突出的商业潜カ的所谓第二代HTS条带产生了很大的兴趣。这些条带通常采用分层结构，它通常包括用于提供机械支撑的柔性基片、覆盖着基片的至少ー个缓冲层(该缓冲层任选地包含多个膜)、覆盖缓冲膜的HTS层以及覆盖超导体层的电稳定层(通常由至少ー种贵金属构成)。然而，到目前为止，在这种第二代条带完全商品化之前，仍然有大量工程和制造方面的挑战。相应地，考虑到上述内容，在超导体领域尤其是在具有商业潜カ的超导条带及其形成方法以及利用这种超导条带的电カ组件等方面仍然存在各种需求。
图I示出了根据本发明ー实施方式的超导条带导体的一般分层结构。图2示出了连接的超导制品的特定结构的实施方式。
图3示出了连接的超导制品的另ー个实施方式。图4示出了根据ー实施方式的拼接板(splice)。图5示出了根据另ー个实施方式的拼接板的超导制品的基本架构。图6和7示出了超导导体在电カ电缆中的实现。图8示意性地示出了电カ变压器。图9示出了发电机的基本结构。图10示出了电网的基本示意图。
发明内容
根据第一方面，超导导体(特别是超导制品)包括标称厚度为tnl的第一超导段、标称厚度为tn2的第二超导段、以及由拼接板构成的连接区域，该拼接板用于将第一和第二超导段连接到一起。该拼接板沿连接区域覆盖着一部分第一和第二超导段，该连接区域的厚度为t#，其中不大于I. 8tnl和I. 8tn2中的至少ー个。根据另一方面，超导制品包括具有第一段末端部分的第一超导段，该第一段末端部分具有减薄的厚度;具有第二段末端部分的第二超导段，该第二段末端部分具有减薄的厚度U ;以及由拼接板构成的连接区域，该拼接板用于将第一和第二超导段连接到一起。该拼接板覆盖第一和第二段末端部分。根据另一方面，超导制品包括具有第一段末端部分的第一超导段，该第一超导段具有标称厚度tnl，该第一段末端部分具有比tnl小的减薄的厚度;具有第二段末端部分的第二超导段，该第二超导段具有标称厚度U，第二段末端部分具有比tn2小的减薄的厚度tが其中第一和第二末端部分在连接区域处接合到一起。该连接区域具有厚度t#，该厚度不大于I. 8tnl和I. Stn2中的至少ー个。根据另一方面，超导制品包括标称厚度为tnl的第一超导导体；以及沿连接区域覆盖第一导体的第二超导导体，该连接区域具有不大于I. Stnl的厚度。根据另一方面，超导制品包括由第一基片所构成的第一超导段、覆盖着第一基片的第一超导层、以及覆盖着第一超导层的稳定层。该制品还包括由第二基片所构成的第二超导段、覆盖着第二基片的第二超导层、以及覆盖着第二超导层的稳定层。由拼接板构成的连接区域被设置成将第一和第二超导段连接到一起，该拼接板包括超导层但没有稳定层和基片之一。
具体实施例方式參照图1，描绘了根据本发明ー实施方式的超导制品的一般分层结构。超导制品包括基片10、覆盖着基片10的缓冲层12、超导层14、其后的保护层16 (通常是贵金属层)以及稳定层18 (通常是非贵金属，比如铜)。基片10通常是基于金属的并且最好是至少两种金属元素的合金。特别适合的基片材料包括基于镍的金属合金(比如，已知的Inconel 合金组)。Inconel 合金往往具有期望的蠕变、化学和机械特性，其中包括膨胀系数、抗张强度、屈服強度和延长性。这些金属通常都是以成卷条带的形式购得的，特别适合于超导条带制造过程，该制造过程将利用盘式条带处理。基片10通常采用条帯状结构，具有很高的尺寸比例。例如，条带的宽度通常具有约0. 4-10cm的量级，而条带的长度通常至少约为100米，最好大于约500米。事实上，本发明的各实施方式所提供的超导条带包括长度为I千米或更长的基片10。相应地，该基片可以具有相当高的尺寸比例，其量级不小于10、不小于100、甚至不小于约1000。某些实施方式更长，其尺寸比例为104和更高。如本文中所使用的那样，术语“尺寸比例”用于表示基片或条带的长度与接下来最长的尺寸即基片或条带的宽度的比例。在一个实施方式中，处理该基片，以使其具有期望的表面特性以便于接着沉积构 成超导条带的其它层。例如，可以将该表面轻度抛光到期望的平整度和表面粗糙度。另外，尽管本文的实施方式一般利用无纹理的多晶基片(比如，上述可买到的基于镍的条带)，但是通过使用已知的RABiTS (滚动辅助双轴纹理化基片)技术便可以将该基片处理成本领域可理解的双轴纹理型。再看缓冲层12，该缓冲层可以是单层，或者更常见的是由若干膜制成的。最典型的是，缓冲层包括具有结晶纹理的双轴纹理膜，这种结晶纹理通常沿该膜的共面和非共面的晶轴对准。这种双轴纹理可以通过IBAD来实现。如本领域所理解的那样，IBAD是首字母缩写词，表示离子束辅助沉积，该技术可以有利地用于形成恰当纹理化的缓冲层以便于接着形成具有期望的晶体取向的超导层从而实现优越的超导特性。氧化镁是用于IBAD膜的典型材料，并且可以具有50-500埃量级的厚度(比如50-200埃)。一般来说，IBAD膜具有像岩盐这样的晶体结构，就像美国专利6，190，752所定义和描述的那样，该专利引用在此作为參考。缓冲层可以包括其它膜，比如设置在IBAD膜和基片之间且与它们直接接触的阻挡膜。在这方面，阻挡膜可以由氧化物(比如氧化钇)构成，并且用于将基片和IBAD膜隔离。阻挡膜也可以由非氧化物(比如氮化硅)构成。用于沉积阻挡膜的合适技术包括化学汽相沉积和物理汽相沉积(包括溅射)。阻挡膜的典型厚度可以介于约100-200埃的范围中。此外，缓冲层也可以包括在IBAD膜上形成的外延生长膜。在这种情况下，外延生长膜可用于有效地増大IBAD膜的厚度，并且最好主要是由IBAD层相同的材料(比如MgO)来制成。在使用基于MgO的IBAD膜和外延膜的实施方式中，MgO材料与超导层材料之间存在晶格失配。相应地，缓冲层可以进一歩包括另ー种缓冲膜，这在特殊实施方式中可以用于减小超导层和下面的IBAD膜和/或外延膜之间的晶格常数的失配。该缓冲膜可以由诸如YSZ (氧化钇-稳定的氧化锆)钌酸锶、锰酸镧等材料构成，通常由钙钛矿-结构的陶瓷材料构成。缓冲膜可以采用各种物理汽相沉积技术沉积而成。尽管上文主要讨论通过纹理形成过程(比如IBAD)在缓冲层叠(层)中实现双轴纹理化膜，但是基片表面自身也可以被双轴纹理化。在这种情况下，缓冲层通常是在纹理化基片上外延生长的，以便在缓冲层中保留双轴纹理化。一种用于形成双轴纹理化基片的エ艺是本领域内都理解的称为RABiTS(滚动辅助双轴纹理化基片)的エ艺。
超导层14通常采用高温超导体(HTS)层的形式。HTS材料通常选自在液氮温度77K以上呈现出超导特性的高温超导材料。这种材料可以包括YBa2Cu307_x、Bi2Sr2Ca2Cu301(l+y、Tl2Ba2Ca2Cu3CVJPHgBa2 Ca2Cu3 08+y。ー类材料包括 REBa2Cu307_x，其中 RE是稀土元素。在上文中，YBa2Cu3CVx通常也被称为YBC0，是可以使用的。超导层14可以采用任何一种技术形成，其中包括厚膜和薄膜形成技木。较佳地，薄膜物理汽相沉积技术(比如脉冲激光沉积(PLD))可以用于较高的沉积速率，或者化学汽相沉积技术可以用于低成本和大面积处理。通常，超导层的厚度量级约为1-30微米，最典型的是约2-20微米(比如约2-10微米)，以便获得与超导层14相关联的期望的安培速率。保护层16和稳定层18通常用于提供低阻抗界面以及用于电稳定化，有利于防止超导体在实际使用中被熔蚀。更具体地讲，当冷却出故障或者超过临界电流密度吋，层16和18帮助电荷沿超导体继续流动，超导层从超导状态中移出并且变得有电阻性。通常，贵金属用于保护层16以防止稳定层和超导层14之间出现不想要的相互作用。典型的贵金属包括金、银、钼和钯。通常使用银，是因为其成本和方便性的原因。保护层16通常制成足够厚以防止稳定层18中的各种成分扩散到超导层14中，但也要考虑到成本(原材料和处理成本)而尽量薄。保护层16的典型厚度介于约0. 1-10. 0微米的范围中，比如约0. 5-5. 0微米。各种技术都可以用于沉积保护层16，其中包括物理汽相沉积(比如DC磁控管溅射)。稳定层18通常用于覆盖超导层14，特别是在图I所示的特定实施方式中，可用于覆盖并直接接触着保护层16。稳定层18用作保护层/分路层以增强对抗恶劣环境条件和超导性淬灭的稳定性。该层通常很密且导电导热，并在超导层出故障时用于旁路电流。它可以采用任何一种厚膜和薄膜形成技术来形成，比如通过将预先形成的铜带层压到超导条带上、通过使用中间接合材料(比如焊料或焊剂)等手段来形成。其它技术则集中在物理汽相沉积(通常有蒸镀或溅射)以及湿法化学处理(比如无电喷镀和电镀)。在这一方面，保护层16可以具有作为沉积铜的晶种层的功能。在图I所示的特定实施方式中，导电层8被设置在基片10的背面上，即超导制品的组分层(最值得注意的是有效层(超导层14))的反面。导电层8可以是同时沉积的，或者在稳定层18形成期间在同一处理步骤中沉积而成，并且可以用同一材料(比如铜)形成。导电层8通常是导电的(但不是超导的)，并且可以电连接着稳定层，从而提供其它的稳定功能。尽管已结合图I示出了超导制品的一般结构，但需注意图2，它示出了超导制品的详细细节，特别是将两个超导段连接到一起以形成超导制品200的区域，该超导制品200可以具有图I所示超导制品I的基本结构。此处，相似的标号用于表示同类结构特征。下文不再重复关于各组分层的描述；读者可參照上文关于超导制品的各组分层的详细描述。更具体地讲，超导制品200分别包括第一和第二超导段Ia和lb。这两段Ia和Ib包括第一和第二基片IOa和10b，并其上设置了多个层，包括第一和第二缓冲层12a和12b、第一和第二超导层14a和14b、第一和第二保护层16a和16b、以及第一和第二稳定层18a和18b。如图所示，第一和第二段Ia和Ib定位成端对端。特别是，第一和第二段Ia和Ib的各个端一般都定位成在界面202处相邻或近邻接触。尽管图中示出沿界面202有一小空 隙，但是这些段可以定位成彼此直接相接触。根据图2所示实施方式的特定特征，第一和第二超导段Ia和Ib沿连接区域204以电和机械的方式连接到一起。拼接板206横跨连接区域204，以提供这两段之间的电连接和机械连接。在图2所示的特定实施方式中，拼接板206包括基片20、缓冲层22、超导层24、保护层26，顺序按上文所描述的那样。特定的拼接板206可以根据用于形成超导段的基本エ艺流程来制造，但是没有形成稳定层的步骤。或者，可以修改所完成的超导结构，以去除稳定层，并且切割成合适的长度或试样，以形成拼接板206。
通过使用接合层25，拼接板206就可与第一和第二段Ia和Ib键合在一起。通常，接合层25由焊料构成，比如铟焊料或铅-锡焊料。參照图2和5，第一和第二段分别包括第一段末端部分222和第二段末端部分224，它们都具有减薄的厚度。更具体地讲，相对于第一和第二超导段的标称厚度，第一段末端部分222和第二段末端部分224具有减薄的厚度和、2。下文參照图5提供了另外的描述。图3示出了另ー个实施方式，该实施方式与图2所示实施方式相似。然而，一般来讲，图3所示实施方式使用了不同的拼接结构，其中拼接板不包含基片而包含稳定层。更具体地讲，超导制品300包括像上文结合图2所描述的第一和第二超导段。拼接板306被设置成横跨连接区域304。拼接板306包括稳定层38、保护层36a、超导层34和第二保护层36b。与图2所示实施方式相似，通过使用接合层35，拼接板306与第一和第二超导段键合在一起。拼接板306的特定结构可以采用若干种不同方式来形成。例如，通过沿超导层/缓冲层界面对所完成的结构进行分层，便可以对所完成的超导段部分进行分层以便从该段部分去除基片。包括稳定层和超导层在内的分层后的结构可以被处理成在超导层34上沉积第二保护层。图4示出了更简单的拼接板406，它包括稳定层48和超导层44。图3和4所示的特定拼接板结构306和406有利地利用了稳定层，从而提高了连接区域在实际使用中的稳定性。相应地，这种拼接结构特别适用于连接稳定性是重要參数的那些应用。根据本文所描述的实施方式，拼接板通常包括超导层。该特定方面帮助确保足够低的连接阻杭。特别是，根据本文的实施方式，具有本文所描述的连接结构的超导制品具有不大于约100微米-欧姆Cm2的连接阻杭，比如不大于约50微米-欧姆Cm2，甚至不大于25微米-欧姆cm2。另外，可以从消散的热能这一方面来量化连接阻抗，其上限为每个连接不大于0. 5ff/cm2,比如每个连接不大于0. 25W/cm2。參照图5，结合超导制品500，示出了各种技术特征。此处，超导制品500包括第一和第二段51a和51b，它们分别具有标称厚度tnl和tn2。这些标称厚度对应于各段沿该段主要长度的厚度，尤其是不包括段末端部分，比如图5中标记的第一段末端部分522和第二段末端部分524。第一和第二段末端部分522和524分别具有减薄的厚度，特别是减薄的厚度和b2。通过使末端部分相对于各段主体(具有相对较厚的标称厚度)作各种结构变化，便可以实现与末端部分相关联的减薄的厚度。例如，各段的末端可以被蚀刻以便去除稳定层的一部分，并且在一些实施方式中，去除整个稳定层。或者，在处理过程中，各段的末端部分可以在稳定层沉积期间被遮掩住或以其它方式保留下来未被处理。通常，与各段末端部分相关联的减薄的厚度不大于各段标称厚度的90%，比如不大于80%甚至70%。事实上，在某些实施方式中，末端部分的厚度可能不大于各标称厚度的60%，并且在某些实施方式中，达到约50%，即超导段的标称厚度的一半。通常，期望第一和第二段的末端部分减薄的厚度彼此相差在约10%之内，最常见的是，减薄的厚度彼此相等，除非处理工艺控制会导致厚度有微小变化。超导段沿其末端部分的厚度减小能够形成相对较薄的断面的连接区域。更具体地讲，參照图5，横跨段末端部分522和524的连接区域504具有厚度t#。通常，连接区域的厚度不大于I. Stnl和I. Stn2中的至少ー个。通常，连接区域的剖面不大于约I. 6tnl或
I.61^。此外,连接区域的厚度可以进ー步减小，比如不大于I. 5tnl和I. Stn2中的至少ー个，或者不大于I. 3tnl和I. 3tn2中的至少ー个。根据ー个实施方式，连接厚度基本上等于至少一个超导段的标称厚度。尽管图中未示出，但是连接区域的厚度可以低于超导段的厚度之ー或两者。根据本文的实施方式，连接的超导制品可以具有相对较长的长度，特别是具有上文结合图I所描述的尺寸。另外，各段可以具有相对延长的长度，比如具有不小于10(不小 于100，甚至不小于1000或更高)的尺寸比例。超导制品可以包括附加的超导段，进ー步延长该制品的长度和尺寸比例，每一段都是根据本文所描述的结构和/或技木。延长的长度特别适合于长距离电流输运能力，比如横跨市区甚至横跨更大的地理区域。另外，距离很长、尺寸比例很高的超导制品可以特别适合构成成诸如旋转电机或者变压器的线圈或绕组的结构，正如以下所要描述的那样。根据另ー个实施方式，具有厚度较小的末端部分的第一和第二段可以彼此直接接合而无需拼接板。在这种情况下，第一和第二段可以按重叠方式连接到一起，使得厚度较小的末端部分彼此重叠。在这一方面，一个实施方式预期沿姆ー个末端部分去除稳定材料，之后上述段之一倒置并且连接。或者，连接结构不需要上述段之一倒置。此处，可以沿第一超导段去除稳定层的一部分，同时沿第二超导段的末端部分去除导电层和/或基片的一部分，从而允许将这两段连接起来而无需使任一段倒置。这种特定的结构可以有利于大量的应用，特别包括超导段以缠绕或成卷的结构来部署的那些应用。尽管上述各实施方式与前面的备选实施方式相比要依赖于用于连接的拼接板，但是备选实施方式共用了这样ー个概念，即具有厚度较小的末端部分的超导体被用于实现薄断面连接。值得注意的是，在本文中，术语“超导导体”一般用于指超导元件，比如超导段或拼接板。即该术语按其一般意义用于本说明书和权利要求书中。根据本文的实施方式，应该理解的是，连接的超导制品是用相对薄断面的连接区域来描述的。这种薄断面连接区域可以特别有利于各种应用，尤其是那些对沿连接区域的厚断面或过大的断面很敏感的应用。通常，常规搭接连接都会具有令人不期望看得的过大的断面，其量级是每一个超导段的标称厚度的2倍。这种厚度或断面可能在各种应用中都是不能容忍的，并且根据目前搭接的情况拼接区域的机械性能可能会有所下降。除了重点讨论超导导体的特定结构之外，图6和7还示出了在商用电カ组件(即电カ电缆)中超导导体的实现。图6示出了在地下管道40中延伸的若干电カ电缆42，它们可能是塑料管或钢管。为了清晰表示，图6还示出了地面41。如图所示，若干电カ电缆可以铺设在管道40中。再看图7，示出了电カ电缆的特定结构。为了提供用于保持超导电カ电缆的超导状态的冷却，可通过LN2导管44将液氮馈入电力电缆。ー个或多个HTS导体46被设置成覆盖导管44。尽管常规条带一般以螺旋方式被置于导管44之上，但是本发明各实施方式的导体不需要以螺旋方式缠绕，但在其它实施方式中可以平行于电カ电缆的纵轴线性地延伸。其它组件包括铜屏蔽48、用于使各组件介电分离的介电条带50、第二 HTS条带52、具有多个中心导线56的铜屏蔽54、较大的第二 LN2导管58、有助于保持低温状态的绝热层60、用作结构支撑的波纹钢管62 (包括滑线64)、以及外包层66。题8示意性图示说明了ー种电カ变压器，它具有中心磁芯76以及围绕着该芯的初级绕组72和次级绕组74。注意到，图8是示意性的，并且变压器的实际几何结构可以像本领域所公知的那样进行改变。然而，变压器至少包括基本的初级绕组和次级绕组。在这方面，在图8所示实施方式中，初级绕组具有的线圈数目比次级绕组74多，从而表示一种用于减小输入功率信号的电压的降压变压器。相反，初级绕组的线圈数目比次级绕组少则提供升压电压。在这方面，通常，升压变压器用于将电压增大到高电压以减小长距离电力损耗的电カ传输变电所，而降压变压器则被整合到将电カ分配到終端用户的分配变电所中。初级 绕组和次级绕组中的至少ー个并且最好两者都包括上文所描述的超导导体。參照图9，提供了发电机的基本结构。发电机包括像本领域所已知的驱动转子(比如通过涡轮来驱动)。转子86包括高強度电磁铁，它们是由转子线圈87构成的，用于形成期望的电磁场以便于发电。电磁场的产生在定子88 (它包括至少ー个导电绕组89)内产生了电力。根据本实施方式的特定特征，转子线圈和/或定子绕组包括根据上述实施方式的超导导体。在定子绕组中，采用的低损耗的超导体通常可显著减小磁滞损失。參照图10，提供了电网的基本示意图。一般来说，电网110包括电厂90，电厂通常可安装多个发电机。电厂90与传输变电所94电连接并且通常位于同一地方。传输变电所通常包含ー组升压变压器，它们被用于提高所产生的电カ的电压。通常，所产生的电カ电压都是几千伏特，而传输变电所具有将这些电压提升到100，000到1，000, 000伏特的量级以便减小线路损耗的功能。典型的传输距离是50-1000英里，并且电カ传输电缆96沿这些距离传输电力。电カ传输电缆96可连接着多个变电所98 (图10仅示出了ー个)。该变电所一般包含ー组降压变压器，以将传输电压从相对很高的值减小到分配电压(通常小于约10，000伏特)。多个其它的变电所也可以像网格那样来定位，设置在各个区域化的地区中以便将电カ分配到終端用户。然而，为了简单起见，只示出了单个变电所，注意到，下游变电所可以串联的方式来设置。分配的电カ接着沿配电电缆100传输到終端用户102，这包括商业终端用户和居民終端用户。还注意到，各变压器可以设置用于单个終端用户或成组的终端用户。根据特定的特征，电厂90中的发电机、变压器和传输变电所、电カ传输电缆、变电所中的变压器、以及配电电缆中的至少ー种包含本发明的超导条帯。尽管已结合特定实施方式示出并描述了本发明，但是本发明并不限于所示的细节，因为在不背离本发明的范围的情况下可以作出各种修改和替换。例如，可以提供附加或等价替代物，并且可以使用附加或等价的生产步骤。这样，本领域的技术人员仅仅通过使用常规实验便可以作出本发明的许多修改和等价，并且所有这些修改和等价都被认为处于所附权利要求书定义的范围中。
权利要求
1.一种超导制品，包括 第一超导段，所述第一超导段包括第一基片、用于覆盖所述第一基片的第一缓冲层、用于覆盖所述第一缓冲层的第一超导层以及用于覆盖所述第一超导层的第一稳定层，所述第一超导段具有带有去除了所述第一稳定层的一部分的第一段末端部分，所述第一超导段具有标称厚度tnl，所述第一段末端部分具有比tnl小的减薄的厚度; 第二超导段，所述第二超导段包括第二基片、用于覆盖所述第二基片的第二缓冲层、用于覆盖所述第二缓冲层的第二超导层以及用于覆盖所述第二超导层的第二稳定层，所述第ニ超导段具有带有去除了所述第二稳定层的一部分的第二段末端部分，所述第二超导段具有标称厚度，所述第二段末端部分具有比U小的减薄的厚度tが其中所述第一和第二末端部分在连接区域接合到一起，所述连接区域的厚度t#不大于I. 8tnl和I. Stn2中的至少ー个。
2.如权利要求I所述的制品，其特征在于，所述连接区域由拼接板构成，用于将所述第一和第二超导段连接到一起，所述拼接板用于覆盖所述第一和第二段末端部分。
3.—种超导制品，包括 第一超导导体，所述第一超导导体包括第一基片、用于覆盖所述第一基片的第一超导层以及用于覆盖所述第一超导层的第一稳定层，所述第一超导导体具有带有去除了所述第一稳定层的一部分的第一末端部分，所述第一超导导体具有标称厚度tnl ;以及 第二超导导体，所述第二超导导体包括第二基片、用于覆盖所述第二基片的第二超导层以及用于覆盖所述第二超导层的第二稳定层，所述第二超导导体具有带有去除了所述第ニ稳定层的一部分的第二末端部分， 所述第二末端部分沿ー连接区域覆盖所述第一末端部分，所述连接区域的厚度不大于1.8 tni o
4.如权利要求3所述的制品，其特征在于，所述第一超导导体是第一超导段，所述第二超导导体是拼接板。
5.如权利要求4所述的制品，还包括第二超导段、用于覆盖所述第一和第二超导段的拼接板、以及横跨所述第一和第二段的连接区域，所述拼接板包括第三超导层以及用于覆盖所述第三超导层的第三基片或第三稳定层。
全文摘要
一种超导制品包括标称厚度为tn1的第一超导段、标称厚度为tn2的第二超导段以及连接区域，该连接区域包括用于将第一和第二超导段连接到一起的拼接板。该拼接板叠在沿该连接区域的第一和第二超导段的一部分上，该连接区域具有厚度tjr，其中tjr不大于1.8tn1和1.8tn2中的至少一个。
文档编号H01L39/02GK102655205SQ20121004437
公开日2012年9月5日 申请日期2006年4月10日 优先权日2005年4月8日
发明者A·R·诺尔, V·塞尔瓦曼尼克姆, 谢义元 申请人:美国超能公司