专利名称：一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法
技术领域：
本发明涉及光探测器的制备方法。
背景技术：
二维结构的纳米半导体材料有着独特的电学、光学、磁学和力学性能，而且该种材料与现代高科技的微纳加工技术相衔接，可以很好地实现微电子器件、光敏器件的高密度集成，在电子工业、能源转换方面有着巨大的应用潜力，有望成为下一代信息传输和储存的核心材料。随着电子技术的发展，半导体器件的特征尺寸不断降低，逐步由微米级别提高至纳米，在保证实现同样的电学、光学功能的前提下，就要求器件所使用的半导体材料维度的缩小，由原来的三维功能材料降低至二维甚至一维。一维半导体材料中碳纳米管是最具典型的代表，该种材料可以在纳米界面上表现出优越的电、光学性能，但是管状的结构特征限制了其加工性能，进而在微纳半导体电子器件上的应用有了局限性。现有的二维半导体材料有主要在制备技术上成本较高，所得到的材料大小、厚薄并不均一。由二维半导体材料制备的柔性光探测器仍然处于试验阶段，在构筑器件的加工技术中，常规的光刻工艺技术成本很高且难以实现批量化器件构筑。
发明内容
本发明要解决现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题，而提供一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法。本发明的一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法按以下步骤进行一、利用管式炉高温反应合成出半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在步骤一制备的半导体材料表面粘贴-剥离5 50次，得到粘附在思高胶带上的二维结构半导体材料；三、将聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜基底清洗后，将步骤二获得的粘附有二维结构半导体材料的思高胶带粘在聚对苯二甲酸类塑料基底上，轻压排去胶带和基底间的气泡，静置I 10分钟后撕去思高胶带，用乙醇清洗基底除去残留的胶印，干燥后得到复合二维结构半导体材料的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜基底；四、将电极大小为ImmX 1mm、电极间距为10 ii m的铜制掩膜覆到经步骤三处理的
基底上，利用真空镀膜机，在基底上的二维结构半导体材料表面先沉积厚度为40 60nm的金层，再沉积厚度为20 40nm铬层，完成了金/铬合金电极的制备；然后去掉铜制掩膜，将处理后的基底放在管式炉中，在温度为90°C 120°C，氩气与氢气的混合气氛中做退火处理0. 5 I. 5h，得到光探测器半成品；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对，即得到基于二维功能材料的柔性光探测器。其中步骤一中单晶硒化镓的制备方法如下A、按镓与硒的摩尔比为I : (I. 3
2)称取分析纯镓粉与分析纯硒粉，并置于管式炉中，其中硒粉位于管式炉的低温区，镓粉位于管式炉的高低温区，并通入气流量为10 30SCCm常压氩气，氩气的流向为从低温区流向高温区；B、将低温区升温至400 600°C，同时将高温区的温度升至1000 1050°C，硒蒸汽随着氩气流动与镓进行接触并发生反应，反应时间30 45min ;再将管式炉降至室温，得到单晶硒化镓；其中步骤一中单晶硫化镓的制备方法如下A、按镓与硫的摩尔比为I : (I. 3
2)称取分析纯镓粉与分析纯硫粉，并置于管式炉中，其中硫粉位于管式炉的低温区，镓粉位于管式炉的高低温区，并通入气流量为10 30sCCm常压氩气，氩气的流向为从低温区流向高温区；B、将低温区升温至300 350°C，同时将高温区的温度升至1000 1050°C，硫蒸汽随着氩气流动与镓进行接触并发生反应，反应时间30 45min ;再将管式炉降至室温，得到单晶硫化嫁；其中步骤四中氩气与氢气的混合气中氩气与氢气的体积比为9 I。
本发明将简单的胶带剥离层状半导体的方法引入二维结构硫化镓的制备过程中，以合成出的硒化镓/硫化镓体材料为母体，借助思高胶带，将硒化镓/硫化镓小片层转移到透明柔性的聚对苯二甲酸类塑料基底上，再以铜制掩膜图案为模版利用真空热蒸镀方法制备了金铬合金电极，最后通过光电性能测试筛选出有效的位置，制备的光探测器大小可以人为控制，取决于掩膜板的设计方案，后期可以很好的实现多类元器件高密度的集成。本发明具有如下优点一、本发明在制备二维纳米材料的方法上选取胶带这种低成本、易操作的工具，方便的分离、转移出了厚度仅有几个纳米的片层半导体；二、本发明在制备器件电极的工艺上，选择真空热蒸镀的方法较常规的磁控溅射制备电极成本大大降低，材料与电极接触良好，阻抗很低；三、本发明因为采用柔性、透明的聚对苯二甲酸类塑料为材料的作用基底，所以制备的光探测器可以任意的弯曲、且透光性好，单个器件大小在几百个微米左右，可通过大规模集成，制备高效的光电转换电池，且器件的形状和大小完全取决于所用的模板，具有很好的加工性能；在电子工业中采用此种材料可以实现电子器件、光电器件的微纳化、高密度集成化，制备出体型更小、质量更轻、性能更稳定的电子产品，进一步满足人们在现实生活中的种种需求。本发明制备的基于二维功能材料的柔性光探测器中二维半导体材料厚度约为I 7nm，制备的光探测器紫外光响应度高达100AW-1以上。
图I是试验一经步骤二得到的粘附在思高胶带上的硫化镓的扫描电镜照片；图2是试验一经步骤二得到的粘附在思高胶带上的硫化镓的原子力照片；图3是图2中沿线段ab的厚度曲线图；图4是试验一经步骤四制备的光探测器半成品的照片；图5是试验一经步骤五得到的一个基于二维硫化镓的柔性光探测器局部的扫描电镜照片；图6是试验一经步骤五得到的一个基于二维硫化镓的柔性光探测器的在不同光波长下的伏安特性曲线图，其中a为无光照、偏置电压在IV时的伏安特性曲线山为光照波长为610nm、强度在0. 5W/cm2、偏置电压在IV时的伏安特性曲线；c为光照波长为550nm、强度在0. 5W/cm2、偏置电压在IV时的伏安特性曲线；d为光照波长为490nm、强度在0. 5W/cm2、偏置电压在IV时的伏安特性曲线；e为光照波长为365nm、强度在0. 5W/cm2、偏置电压在IV时的伏安特性曲线；f为光照波长为254nm、强度在0. 5W/cm2、偏置电压在IV时的伏安特性曲线；图7是根据图6绘制的在不同光波长下的光电流变化曲线图；图8是试验一制备的一个基于二维硫化镓的柔性光探测器的在不同光照强度下的伏安特性曲线图8，其中a是光照波长为254nm、偏置电压为IV、光照强度为OmW/cm2时的伏安特性曲线山是光照波长为254nm、偏置电压为IV、光照强度为0. 281mff/cm2时的伏安特性曲线是光照波长为254nm、偏置电压为IV、光照强度为0. 359mff/cm2时的伏安特性曲线；d是光照波长为254nm、偏置电压为IV、光照强度为0. 491mff/cm2时的伏安特性曲线；e是光照波长为254nm、偏置电压为IV、光照强度为0. 545mff/cm2时的伏安特性曲线；f是光照波长为254nm、偏置电压为IV、光照强度为0. 646mff/cm2时的伏安特性曲线；g是光照波长 为254nm、偏置电压为IV、光照强度为0. 744mff/cm2时的伏安特性曲线；图9是根据图8绘制的不同光强下硫化镓薄层光探测器的光电流变化曲线图；图10是试验一制备的一个基于二维硫化镓的柔性光探测器的光电时间响应曲线图。
具体实施例方式具体实施方式
一本实施方式的一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法按以下步骤进行一、利用管式炉高温反应合成出半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在步骤一制备的半导体材料表面粘贴一剥离5 50次，得到粘附在思高胶带上的二维结构半导体材料；三、将聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜基底清洗后，将步骤二获得的粘附有二维结构半导体材料的思高胶带粘在聚对苯二甲酸类塑料基底上，轻压排去胶带和基底间的气泡，静置I 10分钟后撕去思高胶带，用乙醇清洗基底除去残留的胶印，干燥后得到复合二维结构半导体材料的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜基底；四、将电极大小为ImmX 1mm、电极间距为10 ii m的铜制掩膜覆到经步骤三处理的
基底上，利用真空镀膜机，在基底上的二维结构半导体材料表面先沉积厚度为40 60nm的金层，再沉积厚度为20 40nm铬层，完成了金/铬合金电极的制备；然后去掉铜制掩膜，将处理后的基底放在管式炉中，在温度为90°C 120°C，氩气与氢气的混合气氛中做退火处理0. 5 I. 5h，得到光探测器半成品；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的有效电极对，即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。本实施方式先用思高胶带，在单晶硒化镓或单晶硫化镓表面，机械剥离出横向尺寸在几个微米，厚度仅有几个纳米的二维结构的硒化镓/硫化镓材料，然后将其转移至聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜基底上，再在其上镀金层和铬层作为电极，镀膜完成后通过热处理将电极上的金颗粒彻底溶解，以提高电极与二维材料的接触性，降低接触阻抗；由于二维材料在塑料基底上的分布存在随机性，制备的光探测在某些位置就没有光电响应效果，为了识辨出有效位置需要对制备的光探测器进行一一测试，方法是利用半导体测试仪和氙灯汞灯系统，对光电响应进行测试。纳米厚度的二维功能材料在紫外光处的响应最为敏感，因此侧重研究了不同紫外光强下的光电响应，以此为判断依据进行器件的筛选，对有效的位置做出标记，完成基于二维功能材料制备柔性光探测器的制备。本实施方式具有如下优点一、本发明在制备二维纳米材料的方法上选取胶带这种低成本、易操作的工具，方便的分离、转移出了厚度仅有几个纳米的片层半导体；二、本发明在制备器件电极的工艺上，选择真空热蒸镀的方法较常规的磁控溅射制备电极成本大大降低，材料与电极接触良好，阻抗很低；三、本发明因为采用柔性、透明的聚对苯二甲酸类塑料为材料的作用基底，所以制备的光探测器可以任意的弯曲、且透光性好，单个器件大小在几百个微米左右，可通过大规模集成，制备高效的光电转换电池，且器件的形状和大小完全取决于所用的模板，具有很好的加工性能。
具体实施方式
二 本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤一中单晶硒化镓的制备方法如下A、按镓与硒的摩尔比为I : (I. 3 2)称取分析纯镓粉与分析纯硒粉，并置于管式炉中，其中硒粉位于管式炉的低温区，镓粉位于管式炉的高低温区，并通入气流量为10 30SCCm常压氩气，氩气的流向为从低温区流向高温区；B、将低温区升温至400 600°C，同时将高温区的温度升至1000 1050°C，硒蒸汽随 着氩气流动与镓进行接触并发生反应，反应时间30 45min ;再将管式炉降至室温，得到单晶硒化镓。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
三本实施方式与具体实施方式
一不同的是步骤一中单晶硫化镓的制备方法如下A、按镓与硫的摩尔比为I : (I. 3 2)称取分析纯镓粉与分析纯硫粉，并置于管式炉中，其中硫粉位于管式炉的低温区，镓粉位于管式炉的高低温区，并通入气流量为10 30SCCm常压氩气，氩气的流向为从低温区流向高温区；B、将低温区升温至300 350°C，同时将高温区的温度升至1000 1050°C，硫蒸汽随着氩气流动与镓进行接触并发生反应，反应时间30 45min ;再将管式炉降至室温，得到单晶硫化镓。其它与具体实施方式
一相同。
具体实施方式
四本实施方式与具体实施方式
一至三之一不同的是步骤四中氩气与氢气的混合气中氩气与氢气的体积比为9 I。其它与具体实施方式
一至三之一相同。
具体实施方式
五本实施方式与具体实施方式
一至四之一不同的是步骤二中用思高胶带在步骤一制备的半导体材料表面粘贴——剥离的次数为10 40次。其它与具体实施方式
一至四之一相同。本实施方式通过粘贴剥离操作，在单晶硒化镓或单晶硫化镓表面机械剥离出横向尺寸在几个微米，厚度仅有几个纳米的二维结构的硒化镓/硫化镓材料。
具体实施方式
六本实施方式与具体实施方式
一至五之一不同的是步骤四中沉积的金层的厚度为45 55nm。其它与具体实施方式
一至五之一相同。
具体实施方式
七本实施方式与具体实施方式
一至六之一不同的是步骤四中沉积的铬层的厚度为25 35nm。其它与具体实施方式
一至六之一相同。
具体实施方式
八本实施方式与具体实施方式
一至七之一不同的是步骤四中退火处理的温度为95°C 110°C、退火处理时间为lh。其它与具体实施方式
一至七之一相同。
具体实施方式
九本实施方式与具体实施方式
一至八之一不同的是步骤五中筛选出的对紫外光有光电响应的有效电极对是指对紫外光的光电响应达到明暗电流比值> 10的电极对。其它与具体实施方式
一至八之一相同。
由于二维半导体材料在塑料基底上的分布存在随机性，制备的光探测在某些位置就没有光电响应效果，为了识辨出有效位置需要对制备的光探测器进行一一测试，方法是利用半导体测试仪和氙灯汞灯系统，对光电响应进行测试。纳米厚度的二维功能材料在紫外光处的响应最为敏感，因此侧重研究了不同紫外光强下的光电响应，以此为判断依据进行器件的筛选，对有效的位置做出标记，完成基于二维功能材料制备柔性光探测器的制备。但是对紫外光的光电响应达到明暗电流比值> 10，即具有明显光开关比的电极对才可以用。用以下试验验证本发明的有益效果试验一本试验的一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法按以下步骤进行—、利用管式炉高温反应合成出半导体材料单晶硫化镓A、称取I. 23克分析纯镓粉与0. 54克分析纯硫粉，并置于管式炉中，其中硫粉位于管式炉的低温区，镓粉位于管式 炉的高低温区，并通入气流量为30sCCm常压氩气，氩气的流向为从低温区流向高温区；B、将低温区升温至340°C，同时将高温区的温度升至1000°C，硫蒸汽随着氩气流动与镓进行接触并发生反应，反应时间40min ;再将管式炉降至室温，得到单晶硫化镓；二、用思高胶带在步骤一制备的半导体材料表面粘贴一剥离30次，得到粘附在思闻股带上的硫化嫁；三、将聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜基底清洗后，将步骤二获得的粘附有硫化镓的思高胶带粘在聚对苯二甲酸类塑料基底上，轻压排去胶带和基底间的气泡，静置I 10分钟后撕去思高胶带，用乙醇清洗基底除去残留的胶印，干燥后得到复合硫化镓的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜基底；四、将带有正方形电极图案、且具有6行、12列电极对的、电极大小为ImmX 1mm、电极间距为IOym的铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上，利用真空镀膜机，在基底上的硫化镓表面先沉积厚度为60nm的金层，再沉积厚度为20nm铬层，完成了金/铬合金电极的制备；然后去掉铜制掩膜，将处理后的基底放在管式炉中，在温度为ioo°c,||气与氢气的体积比为9 I的混气氛中做退火处理时间为lh，得到光探测器半成品；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对，即得到基于二维硫化镓的柔性光探测器。本试验经步骤二得到的粘附在思高胶带上的硫化镓的扫描电镜照片如图I所示，从图I可以看出，粘附在思高胶带上的硫化镓具有片层结构。本试验经步骤二得到的粘附在思高胶带上的硫化镓的原子力照片如图2所示，图2中沿线段ab的厚度曲线如图3所示；从图2也可以看出，粘附在思高胶带上的硫化镓具有片层结构；本试验经步骤四制备的光探测器半成品的照片如图4所示，从图4可以看出，在柔性基底上分布着6X12对电极。步骤五将测试每一对电极在紫外光作用下的光电响应情况，有响应者为合格的光探测器，不合格者弃去。因采用柔性、透明的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜为材料的作用基底，所以制备的光探测器可以任意的弯曲、且透光性好，单个器件大小在几百个微米左右，可通过大规模集成，制备高效的光电转换电池，且器件的形状和大小完全取决于所用的模板，具有很好的加工性能。
本试验经步骤五得到的一个基于二维硫化镓的柔性光探测器局部的扫描电镜照片如图5所示，从图5中可以看出硫化镓薄片位于金铬合金电极之间，具有很好的接触性。测试本试验制备的一个基于二维硫化镓的柔性光探测器的在不同光波长下的伏安特性曲线，得到的伏安特性曲线图6所示，其中a为无光照、偏置电压在IV时的伏安特性曲线；b为光照波长为610nm、强度在0. 5W/cm2、偏置电压在IV时的伏安特性曲线；c为光照波长为550nm、强度在0. 5W/cm2、偏置电压在IV时的伏安特性曲线；d为光照波长为490nm、强度在0. 5W/cm2、偏置电压在IV时的伏安特性曲线；e为光照波长为365nm、强度在0. 5W/cm2、偏置电压在IV时的伏安特性曲线；f为光照波长为254nm、强度在0. 5W/cm2、偏置电压在IV时的伏安特性曲线。从图6可以看出，a、b、c和d重合，而且在无光照以及在波长为610、550nm、490nm的条件下，光探测器无响应，对波长为365nm及254nm的紫外光有响应，光探测器呈现出肖特基接触特性，波长的变化对伏安曲线影响显著。根据图6绘制的在不同光波长下的光电流变化曲线图如图7所示，图7进一步说、明该二维态的硫化镓对紫外光照响应是最显著的，光控电流开关比达到IO4数量级，根据此图可以利用该探测器对光波长做出初步的判断。测试本试验制备的一个基于二维硫化镓的柔性光探测器的在不同光照强度下的伏安特性曲线，得到的伏安特性曲线图8所示，其中a是光照波长为254nm、偏置电压为IV、光照强度为OmW/cm2时的伏安特性曲线；b是光照波长为254nm、偏置电压为IV、光照强度为0. 281mff/cm2时的伏安特性曲线；c是光照波长为254nm、偏置电压为IV、光照强度为0. 359mff/cm2时的伏安特性曲线；d是光照波长为254nm、偏置电压为IV、光照强度为0. 491mff/cm2时的伏安特性曲线；e是光照波长为254nm、偏置电压为IV、光照强度为0. 545mff/cm2时的伏安特性曲线；f是光照波长为254nm、偏置电压为IV、光照强度为0. 646mff/cm2时的伏安特性曲线；g是光照波长为254nm、偏置电压为IV、光照强度为0. 744mff/cm2时的伏安特性曲线。从图8可以看出，光照强度不同，光电流有变化。根据图8绘制的不同光强下硫化镓薄层光探测器的光电流变化曲线图如图9所示，从图9可以看出，光电流变化与光照强度满足很好的线性关系，在确定了紫外光照的条件下，根据图7就可以对光强度做出准确的判断。至此二维功能材料硫化镓制备的光探测器功能可以得以很好的实现。将本试验一制备的一个基于二维硫化镓的柔性光探测器在光照波长为254nm、偏置电压为2V、光照强度为0. 256mff/cm2时的光电时间响应测试。得到的光电时间响应曲线如图10所示，从图10可以看出，该基于二维硫化镓的柔性光探测器对紫外光的响应时间约在30ms以下，响应灵敏度高。
权利要求
1.一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，其特征在于基于二维功能材料制 备柔性光探测器的方法按以下步骤进行一、利用管式炉高温反应合成出半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在步骤一制备的半导体材料表面粘贴——剥离5 50次，得到粘附在 思高胶带上的二维结构半导体材料；三、将聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜基底清洗后，将步骤二获得的粘附有二维结构半导 体材料的思高胶带粘在聚对苯二甲酸类塑料基底上，轻压排去胶带和基底间的气泡，静置 1 10分钟后撕去思高胶带，用乙醇清洗基底除去残留的胶印，干燥后得到复合二维结构 半导体材料的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜基底；四、将电极大小为lmmXlmm、电极间距为10y m的铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底 上，利用真空镀膜机，在基底上的二维结构半导体材料表面先沉积厚度为40 60nm的金 层，再沉积厚度为20 40nm铬层，完成了金/铬合金电极的制备；然后去掉铜制掩膜，将处 理后的基底放在管式炉中，在温度为90°C 120°C，氩气与氢气的混合气氛中做退火处理 0. 5 1. 5h，得到光探测器半成品；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应 的电极对，即得到基于二维功能材料的柔性光探测器。
2.根据权利要求1所述的一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，其特征在 于步骤一中单晶硒化镓的制备方法如下A、按镓与硒的摩尔比为1 : (1. 3 2)称取分析 纯镓粉与分析纯硒粉，并置于管式炉中，其中硒粉位于管式炉的低温区，镓粉位于管式炉的 高低温区，并通入气流量为10 30sCCm常压氩气，氩气的流向为从低温区流向高温区；B、 将低温区升温至400 600°C，同时将高温区的温度升至1000 1050°C，硒蒸汽随着氩气 流动与镓进行接触并发生反应，反应时间30 45min ;再将管式炉降至室温，得到单晶硒化 镓。
3.根据权利要求1所述的一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，其特征在 于步骤一中单晶硫化镓的制备方法如下A、按镓与硫的摩尔比为1 : (1.3 2)称取分析 纯镓粉与分析纯硫粉，并置于管式炉中，其中硫粉位于管式炉的低温区，镓粉位于管式炉的 高低温区，并通入气流量为10 30sCCm常压氩气，氩气的流向为从低温区流向高温区；B、 将低温区升温至300 350°C，同时将高温区的温度升至1000 1050°C，硫蒸汽随着氩气 流动与镓进行接触并发生反应，反应时间30 45min ;再将管式炉降至室温，得到单晶硫化 镓。
4.根据权利要求1、2或3所述的一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，其 特征在于步骤四中IS气与氢气的混合气中IS气与氢气的体积比为9 : 1。
5.根据权利要求1、2或3所述的一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法， 其特征在于步骤二中用思高胶带在步骤一制备的半导体材料表面粘贴——剥离的次数为 10 40次。
6.根据权利要求1、2或3所述的一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，其 特征在于步骤四中沉积的金层的厚度为45 55nm。
7.根据权利要求1、2或3所述的一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，其 特征在于步骤四中沉积的铬层的厚度为25 35nm。
8.根据权利要求1、2或3所述的一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，其 特征在于步骤四中退火处理的温度为95°C 110°C、退火处理lh。
9.根据权利要求1、2或3所述的一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，其 特征在于步骤五中筛选出的对紫外光有光电响应的有效电极对是指对紫外光的光电响应 达到明暗电流比值> 10的电极对。
全文摘要
一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，本发明涉及光探测器的制备方法。本发明是要解决现有的现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题。方法一、制备半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在半导体材料表面粘贴-剥离；三、将二维结构半导体材料转移至基底上；四、将铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上，沉积金层和铬层；再去掉掩膜退火处理；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对，即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。该光探测器紫外光响应度高达100AW-1以上。可作为微电子器件、光敏器件用于信息传输和储存领域。
文档编号H01L31/18GK102664218SQ201210171108
公开日2012年9月12日 申请日期2012年5月29日 优先权日2012年5月29日
发明者张甲, 张荣福, 文振忠, 曹文武, 李俊杰, 李晓超, 杨彬, 王晓娜, 王立峰, 胡平安 申请人:哈尔滨工业大学