专利名称：检测mpw产品重复缺陷和设计弱点的方法
技术领域：
本发明涉及一种检测方法，尤其涉及一种检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法。
背景技术：
随着集成电路的技术不断地提升，最小的设计尺寸也在不断降低，单位面积芯片上的器件数量也越来越多。因此在集成电路设计开发阶段，设计者经常采用多项目晶圆(Multi Project Wafer，简称MPW)，如图I中所示，就是将多个具有相同工艺的集成电路设计放在同一圆片I上流片，流片后，每个设计品种可以得到数十片芯片样品11，这一数量对于设计开发阶段的实验、测试已经足够。同时实验费用由所有参加MPW的项目按面积分担流片费用，以降低开发成本和新产品开发风险，降低中小集成电路设计企业在起步时的门 槛，降低单次实验流片造成的资源严重浪费。但是MPW晶圆通常通过光罩的每个曝光(shot)作为一个图形空间(die)的方式进行生产。这样如果光罩本身存在缺陷，将在各个图形空间的相同位置产生同样的缺陷，即产生重复缺陷和设计弱点。针对此种重复缺陷和设计弱点，目前常用的检测方法是通过扫描检查。但是这种扫描非常耗时，很难及时发现问题，而且仅仅采用检测光罩本身的方式，不会对成像后的图形进行检测。同时在常规的检测方法中，对成像后的图形进行检测的方法是通过图形空间与图形空间的比较方法，如图2中所示，由于各个图形空间2、3、4均是有同一光罩生产出来，图形空间2、3、4上会显示同一位置21、31、41的缺陷，因此即使光罩有缺陷，通过图形空间比对也不能检测出来。除非通过阵列(array)模式检测出恰好处于单元(cell)区域的重复缺陷和设计弱点。但针对大部分通过图形空间与图形空间的比较方法进行检测的区域就无能为力。因此，本领域的技术人员致力于开发一种能够检测出MPW晶圆重复缺陷与设计弱点的方法。
发明内容
鉴于上述的现有技术中的问题，本发明所要解决的技术问题是现有的技术无法快速有效的检测出MPW晶圆的重复缺陷与设计弱点。本发明提供的一种检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法，包括以下步骤 步骤1，应用多项目晶圆技术，将图形电路设计图利用光罩在晶圆上形成多个图形空
间；
步骤2，获得晶圆的图形信息；
步骤3，通过比对图形电路设计图与晶圆的图形信息，检测是否存在差异；
步骤4，如存在差异，光罩存在缺陷和设计弱点；如不存在差异，则光罩无缺陷。在本发明的一个较佳实施方式中，所述步骤2通过扫描机台扫描获得晶圆的图形信息。在本发明的另一较佳实施方式中，所述扫描机台中还设有比对模块，所述步骤3中通过扫描机台中的比对模块进行比对。在本发明的另一较佳实施方式中，所述步骤3中的比对模块中设有图形电路设计图数据库，所述步骤3中包括将用于与晶圆的图形信息比对的图形电路设计图输入到图形电路设计图数据库中。在本发明的另一较佳实施方式中，所述步骤3中还包括将比对结果进行降噪处理，并通过比对出的差异识别是否存在缺陷。在本发明的另一较佳实施方式中，所述步骤2中的晶圆的图形信息为单一层晶圆的图形信息。
在本发明的另一较佳实施方式中，所述步骤I中所使用的光罩为掩膜组。本发明的检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法简便易行，能够快速有效的检测出了 MPW晶圆的重复缺陷与设计弱点，为良率提升做出贡献。
图I是MPW晶圆广品的结构不意 图2是现有技术的图形比对示意 图3是本发明的实施例的流程 图4是本发明的实施例的缺陷示意图。
具体实施例方式以下将结合附图对本发明做具体阐释。如图3中所示的本发明的实施例的一种检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法，包括以下步骤
步骤1，应用多项目晶圆技术，将图形电路设计图利用光罩在晶圆上形成多个图形空间。优选光罩为掩膜组；
步骤2，获得晶圆的图形信息；优选为一特定层，比如多晶硅(Poly)层的单一层晶圆，以避免其他信息的干扰；
步骤3，通过比对图形电路设计图与晶圆的图形信息，检测是否存在差异；
步骤4，如存在差异，光罩存在缺陷和设计弱点；如不存在差异，则光罩无缺陷。本发明的检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法简便易行，能够快速有效的检测出了 MPW晶圆的重复缺陷与设计弱点，为良率提升做出贡献。在本发明的实施例中，步骤2优选通过扫描机台扫描获得晶圆的图形信息。并优选扫描机台中还设有比对模块，步骤3中通过扫描机台中的比对模块进行比对。此外，在本发明的实施例中，步骤3中的比对模块中设有图形电路设计图数据库，步骤3中包括将用于与晶圆的图形信息比对的图形电路设计图输入到图形电路设计图数据库中。另外，在本发明的实施例中，如图4中所示，步骤3中还包括将比对结果5进行降噪处理，并通过比对出的差异识别是否存在缺陷。
本发明的实施例通过为扫描机台增加一个整体版图检查(Job Deck View，简称JDV)数据库比对模块，在扫描前将要检测层的图形电路设计图数据导入扫描机台；然后准备某一特定层，比如Poly层的单一层晶圆，以避免其他信息的干扰；然后对此晶圆进行扫描，并通过比对模块将扫描到的晶圆信息与图形电路设计图信息进行比较，检测出缺陷示意图；鉴别所检测到的差异是否为真正的缺陷，并确定扫描程式。在实际的生产过程中，可以定期按照此方法对光罩缺陷进行扫描，这样就解决了MPff晶圆重复缺陷和设计弱点的检测难题，为良率提升以及生长周期的控制做出贡献。以上对本发明的具体实施例进行了详细描述，但其只是作为范例，本发明并不限制于以上描述的具体实施例。对于本领域技术人员而言，任何对本发明进行的等同修改和 替代也都在本发明的范畴之中。因此，在不脱离本发明的精神和范围下所作的均等变换和修改，都应涵盖在本发明的范围内。
权利要求
1.一种检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法，其特征在于，包括以下步骤 步骤1，应用多项目晶圆技术，将图形电路设计图利用光罩在晶圆上形成多个图形空间； 步骤2，获得晶圆的图形信息； 步骤3，通过比对图形电路设计图与晶圆的图形信息，检测是否存在差异； 步骤4，如存在差异，光罩存在缺陷和设计弱点；如不存在差异，则光罩无缺陷。
2.如权利要求I所述的检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法，其特征在于，所述步骤2通过扫描机台扫描获得晶圆的图形信息。
3.如权利要求2所述的检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法，其特征在于，所述扫描机台中还设有比对模块，所述步骤3中通过扫描机台中的比对模块进行比对。
4.如权利要求3所述的检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法，其特征在于，所述步骤3中的比对模块中设有图形电路设计图数据库，所述步骤3中包括将用于与晶圆的图形信息比对的图形电路设计图输入到图形电路设计图数据库中。
5.如权利要求I所述的检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法，其特征在于，所述步骤3中还包括将比对结果进行降噪处理，并通过比对出的差异识别是否存在缺陷。
6.如权利要求I所述的检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法，其特征在于，所述步骤2中的晶圆的图形信息为单一层晶圆的图形信息。
7.如权利要求I所述的检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法，其特征在于，所述步骤I中所使用的光罩为掩膜组。
全文摘要
本发明提供的一种检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法，包括应用多项目晶圆技术，将图形电路设计图利用光罩在晶圆上形成多个图形空间；获得晶圆的图形信息；通过比对图形电路设计图与晶圆的图形信息，检测是否存在差异；如存在差异，光罩存在缺陷和设计弱点；如不存在差异，则光罩无缺陷。本发明的检测MPW产品重复缺陷和设计弱点的方法简便易行，能够快速有效的检测出了MPW晶圆的重复缺陷与设计弱点，为良率提升做出贡献。
文档编号H01L21/66GK102881609SQ201210343429
公开日2013年1月16日 申请日期2012年9月17日 优先权日2012年9月17日
发明者范荣伟, 倪棋梁, 龙吟, 王恺, 陈宏璘 申请人:上海华力微电子有限公司