专利名称：包括功率噪声降低的电压生成电路的半导体芯片封装件的制作方法
包括功率噪声降低的电压生成电路的半导体芯片封装件
本申请要求于2011年10月10日提交的第10-2011-0103018号韩国专利申请的优先权,该申请的全部内容通过弓I用包含于此。技术领域
本发明总体构思在这里涉及一种去除集成电路芯片中的功率噪声的设备，更具体地讲，涉及一种降低电路中的功率噪声的半导体芯片封装件，所述电路接收外部电源电压以提供用于内部电路的电源电压。
背景技术：
包括诸如动态随机存取存储器(以下称为DRAM)的半导体存储器的集成电路芯片在被封装之后通过从外部电源接收电源来进行操作。通过外部电压源端子施加的外部电压的电平可根据外部环境或集成电路芯片操作时产生的功率噪声而改变。然而，难以在需要时自由地改变外部电压的电平。
集成电路芯片可包括诸如内部电压转换器(IVC)的电压生成电路，以将外部电压转换为用于集成电路芯片内部的电源电压。
IVC可使电压适合于半导体器件。即使当外部电压改变时，IVC也可以通过负反馈来保持内部电压。如果使用IVC，则半导体器件的操作参数可以被控制。
诸如IVC的电压生成电路可应对具有各种电源电压的产品，并且可降低功耗。然而，IVC难以应对由于连接到电压生成电路的内部电路的高速化而引起的功率噪声。发明内容
本发明总体构思提供一种半导体芯片封装件，当一电路从外部源接收电源电压以提供用于内部电路的电压时，所述半导体芯片封装件降低所述电路中的功率噪声。本发明总体构思的实施例提供一种半导体芯片封装件，所述半导体芯片封装件包括集成电路芯片，包括电压生成电路和连接端子，其中，所述电压生成电路接收外部电压以生成用于内部电路的电源电压，所述连接端子连接到所述电压生成电路的输出节点；安装基底，包括电连接到所述连接端子以降低电源电压的功率噪声的噪声消除器，并且用于安 装所述集成电路芯片以将所述集成电路芯片封装为半导体芯片封装件。
本发明总体构思的另外的特点和效用将在以下描述中被部分地阐明，并且部分地通过描述将是明显的，或者可通过实施本发明总体构思而被了解。
可通过提供一种半导体芯片封装件来基本上实现本发明构思的上述和/或其他特点和效用，所述半导体芯片封装件包括集成电路芯片，包括接收外部电压以分配外部电压的外部电压源电路；电压生成电路，接收由所述外部电压源电路分配的外部电压以生成用于内部电路的电源电压；第一连接端子和第二连接端子，其中，所述第一连接端子连接到所述外部电压源电路的输入节点，所述第二连接端子连接到所述电压生成电路的输出端子；安装基底，包括连接到所述第一连接端子以降低外部电压的功率噪声的第一噪声消除器和连接到所述第二连接端子以降低电源电压的功率噪声的第二噪声消除器，并且用于安装所述集成电路芯片以将所述集成电路芯片封装为半导体芯片封装件。
可通过提供一种电子设备来基本上实现本发明构思的上述和/或其他特点和效用，所述电子设备包括接口单元，从外部电源接收外部电压；半导体芯片封装件；控制单元，控制所述半导体芯片封装件处理所述电子设备的与半导体芯片封装件的数据关联的功能，其中，所述半导体芯片封装件可包括集成电路芯片，包括电压生成电路和连接端子，其中，所述电压生成电路从外部电源接收外部电压以生成用于内部电路的电源电压，所述连接端子连接到所述电压生成电路的输出节点；安装基底，包括电连接到所述连接端子以降低电源电压的功率噪声的噪声消除器，并且用于安装所述集成电路芯片以将所述集成电路芯片封装为半导体芯片封装件。
所述噪声消除器可形成在所述集成电路芯片的外部，并且可降低从外部电源提供的外部电压的功率噪声。
所述控制单元可控制输入单元发送用户命令，并且控制所述接口单元从外部装置接收音频和视频图像数据。
所述噪声消除器可以使所述输入单元在外部电压和电源电压的功率噪声降低的情况下输入用户命令，并且使所述接口单元在外部电压和电源电压的功率噪声降低的情况下从外部装置接收音频和视频图像数据。
所述电子设备还可包括功能单元，处理用户命令以及音频和视频图像数据，并且控制单元可控制显示单元在外部电压和电源电压的功率噪声降低的情况下显示音频和视频图像数据。
通过以下结合附图对实施例的描述，本发明总体构思的这些和/或其他特点和效用将变得清楚和更容易理解，其中
图1是本发明总体构思的实施例的半导体芯片封装件的电路连接图2是图1的电路连接图3是示出图1的半导体芯片封装件的剖面结构的示图4是示出图3的半导体芯片封装件的功能电路图5是在图3的半导体芯片封装件中的解耦电容器和集成电路芯片的电路之间的电连接的电路图示；
面图6是图5的等效电路连接图；图7是图5中示出的IVC的详细电路；图8是示出图7的电压波形的曲线图；图9是示出根据本发明总体构思的实施例的易失性存储器件的封装结构的剖面图10是示出根据本发明总体构思的实施例的非易失性存储器件的封装结构的剖图11是示出根据本发明总体构思的实施例的电子设备的电路图。
具体实施方式
以下将参照附图更全面地描述本发明总体构思的实施例，在附图中示出本发明的实施例。然而，本发明总体构思可以以许多不同形式来实施，并且不应该被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例以使本公开是彻底的和完整的，并且向本领域的技术人员全面地传达本发明总体构思的范围。在附图中，为了清晰，可夸大层和区域的大小和相对大小。相同的标号始终表示相同的元件。
将理解的是，当元件被称为“连接”或“结合”到另一元件时，元件可直接连接或结合到另一元件，或者可存在中间元件。
图1是根据本发明总体构思的实施例的半导体芯片封装件的电路连接图。参照图1，半导体芯片封装件包括集成电路芯片200和安装基底100。
集成电路芯片200包括电压生成电路230和连接端子232，电压生成电路230接收外部电压以生成用于内部电路250的电源电压，连接端子232连接到电压生成电路230的电源电压的输出节点NDl。
安装基底100包括电连接到连接端子232以降低电源电压的功率噪声的噪声消除器120，并且还安装集成电路芯片200以将集成电路芯片200封装为半导体芯片封装件。
在集成电路芯片200是诸如DRAM的半导体存储器件的情况下，集成电路芯片200 可包括存储单元阵列、核心电路和外围电路。
电压生成电路230是用于生成外围电路或存储单元阵列的内部电压的内部电压转换器(IVC)。电压生成电路230可以是生成高于外部电压的高电压VPP的高电压生成电路，或者可以是用于生成反馈偏置电压的反馈偏置电压生成电路。
噪声消除器120可以是用于消除功率噪声的作为解耦器件的解耦电容器。
解耦器件可以形成在安装基底100的上部、内部、下部或侧部。解耦器件可具有暴露到安装基底100的外部的部分。解耦器件不会从安装基底100的外部被看到。
解耦电容器可以通过引线键合或倒装芯片键合连接到连接端子232。
解耦电容器可以通过使用表面安装技术(SMT)安装方法或嵌入式安装方法安装到安装基底100上。解耦器件可以是薄膜型电容器或硅电容器。
如图1所示，如果电压生成电路230通过线LI接收外部电压(EVCC)，然后通过输出线LlO输出用于内部电路250的电源电压(例如，IVCC)，则内部电路250通过连接到输出节点NDl的线Lll接收内部电压(IVCC)。如果负载通过电压生成电路230的操作或内部电路250的高速操作而改变，则功率噪声被产生，并且输出节点NDl受到产生的功率噪声的影响。
功率噪声通过经由线L12连接到输出节点NDl的焊盘在连接端子232被产生。在本发明构思的实施例中，通过经由互连线12将连接端子232电连接到噪声消除器120，来消除或最小化电压生成电路230的功率噪声。通过线L13连接到电压生成电路230的连接端子234可用作接地焊盘，并且可通过接地互连线14连接到噪声消除器120。
噪声消除器120形成在位于集成电路芯片200外部的安装基底100上。因此，由于噪声消除器120可形成为具有比位于集成电路芯片200内部的噪声消除器相对高的容量， 因此其结果是可以更好地去除功率噪声。作为噪声消除器的解耦电容器可安装在系统基底上、半导体封装件的安装基底上或集成电路芯片的内部。如果解耦电容器位于集成电路芯片的内部，则效率相对较好，但是电容器的容量由于集成电路芯片的有限面积而相当低。因此，使用在芯片封装件的安装基底100上形成解耦电容器的方法。
在该方法中，在集成电路芯片中的电压生成电路230中产生的功率噪声通过噪声消除器120被有效地消除或最小化。在图1的方案被应用于诸如DRAM的半导体存储器件的内部电压转换器(IVC)的情况下，电压生成电路230的电源和地的波动被抑制，从而内部电路250可接收消除了功率噪声的更可靠的内部电压。因此，诸如DRAM的半导体存储器件对于功率噪声的免疫力被提高，从而数据存取操作的可靠性也被提高。
图2是图1的修改的实施例的电路连接图。
参照图2，与图1的噪声消除器120对应的解耦器件121形成在绝缘区域300中。 绝缘区域可以是形成在集成电路芯片200上部的区域。绝缘区域300还可以是形成在图1 的安装基底100上的区域。
如果IVC231通过线LI接收外部电压EVCC，以通过输出线LlO输出用于内部电路 250的电源电压IVCC，则内部电路250通过连接到输出节点NDl的线Lll接收内部电压。如果功率噪声由IVC231或内部电路250产生，则输出节点NDl受到产生的功率噪声的影响。与图1中示出的实施例相似，在诸如通过线L12连接到输出节点NDl的焊盘的连接端子232中产生功率噪声。在本发明构思的一些实施例中，通过经由互连线12将连接端子232电连接到解耦器件121，来消除或最小化IVC231的功率噪声。连接到IVC231的连接端子234可用作接地焊盘，并且可通过接地互连线14连接到解耦器件121。
在图2的半导体芯片封装件的结构中，在集成电路芯片的IVC231或高电压生成器中产生的功率噪声可通过形成在绝缘区域300中的解耦器件121被有效地消除或最小化。
图3是示出图1的半导体芯片封装件的剖面结构的示图。
参照图3，集成电路芯片200形成在安装基底100的上部上。可用于消除功率噪声的解耦器件Cl和C2形成在安装基底100的上部上，并且可连接到集成电路芯片200中的电压生成电路230。
可用于消除功率噪声的解耦器件C3和C4形成在安装基底100的下部上，并且可连接到成电路芯片200中的电压生成电路230。
可用于消除功率噪声的解耦器件C5和C6形成在安装基底100的内部，并且可连接到成电路芯片200中的电压生成电路230。
可用于消除功率噪声的解耦器件C7和CS形成在安装基底100的侧部上，并且可连接到成电路芯片200中的电压生成电路230。
半导体芯片封装件可具有形成在安装基底100上的接触凸块BI至B6，以电接触诸如控制器或微处理器的外部器件。
在图3中，从集成电路芯片200的内部产生的功率噪声可通过解耦器件Cl至C8 中的至少一个被有效地消除或最小化。
图4是图3的半导体芯片封装件的功能电路图。
参照图4，第一解耦电容器123和第二解耦电容器121是形成在安装基底100上的噪声消除器。外部电压源电路(EVSC) 210、内部电压转换器(IVC) 231、数据输出缓冲器241、 外围电路252和单元阵列电路254形成在集成电路芯片200中。
外部电压源电路(EVSC) 210接收并分配外部电压EVCC。
IVC231通过外部电压源电路(EVSC) 210接收外部电压EVCC，以生成用于内部电路 250的电源电压。
外围电路252和单元阵列电路254包括在内部电路250中。外围电路252从IVC231 接收外围内部电压VINTP。单元阵列电路254从IVC231接收阵列内部电压VINTA。
数据输出缓冲器241输出存储在存储单元中的数据，并且可通过外部电压源电路 (EVSC) 210接收外部电压EVCC。
从外部电压源电路210产生的功率噪声通过第一解耦电容器123被消除或最小化。此外，来自IVC231的功率噪声通过第二解耦电容器121被消除或最小化。
图5是在图3的半导体芯片封装件中的解耦电容器和集成电路芯片的电路之间的电连接的电路图示。
参照图5，外部电压源电路210从外部电源接收外部电压EVCC。因此，外部电压 EVCC被施加在连接到外部电压源电路210的输入端子的焊盘236和238之间。
内部电压转换器(IVC) 231通过线LI从外部电压源电路210接收外部电压EVCC， 以生成用于内部电路250的电源电压。内部电压IVCC被施加在连接到内部电压转换器231 的输出端子的焊盘232和234之间。内部电压IVCC可以是外围内部电压VINTP或阵列内部电压VINTA。
从外部电压源电路210产生的功率噪声可通过形成在安装基底100上并且电连接到焊盘236和238的第一解耦电容器123被消除或最小化。
从内部电压转换器231产生的功率噪声可通过形成在安装基底100上并且电连接到焊盘232和234的第二解耦电容器121被消除或最小化。
由于第一解耦电容器123和第二解耦电容器121不是形成在集成电路芯片200 中，而是直接形成在安装基底100上，因此其结果是噪声去除性能优良。
图6是图5的等效电路连接图。
在图6中，连接在负载端子Pl和P2之间的解耦电容器DC对应于图5中的第二解耦电容器121。连接在外部电源和负载端子Pl之间的电阻器Rl和R2可以是寄生电阻器， 或者是可在必要时插入的电阻器。以如图6的结构形成的RC滤波器消除功率噪声。
图7是图5中示出的IVC的详细电路。
参照图7，示出IVC231可以以电流镜类型被形成。IVC231还可通过p_型MOS晶体管MP1、MP2和MP3、η-型MOS晶体管MNl和ΜΝ2以及电阻器Rl来实现。
在图7中，如果参考电压Vref被施加到η-型MOS晶体管丽I的栅极，并且外部电压EVCC被施加到P型MOS晶体管MPl、ΜΡ2和MP3的 源极，则在ρ-型MOS晶体管MP3的漏极生成内部电压IVCC。通过图8中示出的曲线图显示内部电压IVCC的波形。内部电压 IVCC的电平可以等于或小于外部电压EVCC。图7的IVC仅是可用于本发明构思的实施例的各种不同类型的内部电压转换器的示例。
图8是示出图7中示出的外部电压EVCC和IVC电路的内部电压VINT的波形的曲线图。
在曲线图中，横轴表示时间，纵轴表示电压。从IVC231生成的内部电压VINT的功率噪声通过形成在安装基底100上的解耦电容器121被消除或最小化。因此，从IVC231生成的内部电压VINT以稳定状态被提供给内部电路250。
图9是示出应用本发明构思的易失性存储器件的封装结构的剖面图。图10是示出应用本发明构思的非易失性存储器件的封装结构的剖面图。
参照图9，易失性存储芯片封装件500包括安装基底100、诸如DRAM的易失性存储芯片200和保护层300。
形成在安装基底100上的解耦电容器121有效地消除或降低位于易失性存储芯片 200内部的电压生成电路的功率噪声。其结果是，可提高易失性存储芯片200的操作可靠性。
易失性存储芯片封装件500可以是这样的封装件，诸如PoP(层叠封装件)、球栅阵列(BGA)、芯片级封装件(CSP)、塑料引线芯片载体(PLCC)、塑料双列直插式封装件(PDIP)、 裸片格栅封装(die in waffle pack)、裸片级晶片形式(die in wafer form)、板上芯片 (COB)、陶瓷双列直插式封装件(CERDIP)、塑料方形扁平封装(公制)(MQFP)、薄型方形扁平封装(TQEP)、小外形封装(SOIC)、窄间距小外形封装件(SSOP)、薄型小外形封装(TSOP)、 薄型方形扁平封装(TQEP)、系统级封装件(SIP)、多芯片封装件(MCP)、晶片级制造封装件 (WFP)和晶片级加工的堆叠式封装件(WSP)。
参照图10，非易失性存储芯片封装件510包括安装基底100、非易失性存储芯片 220和保护层300。
形成在安装基底100上的解耦电容器121和123有效地消除或降低位于非易失性存储芯片220内部的电压生成电路的功率噪声。其结果是，可提高非易失性存储芯片220 的操作可靠性。
非易失性存储器可以是EEPR0M、闪存、MRAM、自旋转移矩MRAM、导电桥接RAM、 FeRAMj^Mt OUM的PRAM、电阻性RAM、纳米管PRAM、聚合物RAM、纳米浮栅存储器、全息存储器、分子电子存储器件或绝缘体电阻改变存储器。
以这种方式，当解耦电容器连接到集成电路芯片的外部时，集成电路芯片可有效地应对功率噪声和电压下降。
图11是示出根据本发明构思的实施例的电子设备1100的电路图。
电子设备1100可包括(但不限于)计算系统、蜂窝电话、膝上型/台式计算机或能够从存储和显示音频和/或视频图像数据的外部装置接收音频和/或视频图像数据的任何其他装置等。
参照图11，电子设备1100包括电源单元1110、半导体芯片封装件1120、功能单元 1125、控制单元1130、显示单元1135、输入单元1140、接口单元1150，其中，接口单元1150 通过有线或无线通信从位于电子设备1100外部的外部装置1160接收音频和视频数据。
半导体芯片封装件1120通过电源单元1110接收外部电压，以生成用于半导体芯片封装件1120的电源电压。半导体芯片封装件1120可以是图1至图10中示出的半导体芯片封装件。半导体芯片封装件1120可具有用于存储数据的存储单元，电子设备可将数据存储在半导体芯片封装件1120中或者从半导体芯片封装件1120读取数据，从而数据可被处理以执行电子设备1100的功能。
噪声消除器1124连接`到电源单元1110以降低外部电压的功率噪声，并且还连接到半导体芯片封装件1120以降低内部电压的功率噪声。噪声消除器1124形成在半导体芯片封装件1120的外部，从而以比形成在半导体芯片封装件1120内部的噪声消除器高的效率消除或最小化来自外部电压和电源电压的功率噪声。噪声消除器1124可以使电子设备 1100的输入单元1140在外部电压和电源电压的功率噪声降低的情况下输入用户命令，并且可以使接口单元1150在外部电压和电源电压的功率噪声降低的情况下从外部装置1160 接收音频和视频图像数据。
接口单元1150接收通过半导体芯片封装件1120生成的功率噪声水平降低的电源电压，并且还从诸如移动电话、台式计算机或电视机等的外部装置1160接收音频和/或视频图像数据。此外，接口单元1150将接收的音频和/或视频图像数据发送到控制单元1130。 控制单元1130还可接收电子设备1100的用户通过输入单元1140输入的用户命令，并且/ 或者从半导体芯片封装件1120的存储器接收数据，以执行电子设备1100的功能。输入单元1140可以由(但不限于)计算机或移动电话上的键盘或者电视显示器或电视遥控器上的多个频道号等来表现。输入单元1140和显示单元1135可形成为单个单元(例如，触摸板)，以显示图像并输入用户命令或用户输入数据。
功能单元1125可用作在控制单元1130中处理与半导体芯片封装件1120相关的数据和/或处理音频和/或视频图像数据的处理单元，以允许控制单元1130将音频和/或视频图像数据发送到显示单元1135。功能单元可安装在半导体芯片封装件1120中以执行其功能。
控制单元1130可将通过功能单元1125处理的音频和/或视频图像数据发送到显示单元1135，以允许显示单元1135在外部电压和电源电压的功率噪声降低的情况下显示电子设备1100的音频和视频图像数据。
在图11中描述的示例性实施例中，从外部电压和电源电压产生的功率噪声通过位于半导体芯片封装件1120外部的噪声消除器1124被有效地消除或最小化。因此，显示单元1135可以在外部电压和电源电压的功率噪声降低的情况下显示从外部装置1160接收的音频和视频图像·数据。
根据本发明构思的实施例，从集成电路芯片中的电压生成电路产生的功率噪声通过形成在安装基底上的噪声消除器被有效地消除或最小化。在本发明构思被应用于诸如 DRAM的半导体存储器件的内部电压转换器的情况下，内部电路可接收更可靠的内部电压。 因此，可以提高对于半导体存储器件的数据存取操作的可靠性。
以上公开的主题将被考虑为说明性的，而非限制性的，权利要求旨在覆盖落入本发明构思的真实精神和范围内的所有这样的修改、增强和其他实施例。虽然已经显示和描述了本发明总体构思的一些特征和效用，但是本领域技术人员将理解的是，在不脱离本发明总体构思的原理和精神的情况下，可以对这些实施例进行改变，本发明总体构思的范围由权利要求及其等同物限定。
权利要求
1.一种半导体芯片封装件，包括 集成电路芯片，包括电压生成电路和连接端子，其中，所述电压生成电路接收外部电压以生成用于内部电路的电源电压，所述连接端子连接到所述电压生成电路的输出节点； 安装基底，包括电连接到所述连接端子以降低电源电压的功率噪声的噪声消除器，并且用于安装所述集成电路芯片以将所述集成电路芯片封装为半导体芯片封装件。
2.如权利要求1所述的半导体芯片封装件，其中，所述电压生成电路是生成用于外围电路或单元阵列的电源电压的内部电压转换器。
3.如权利要求1所述的半导体芯片封装件，其中，所述电压生成电路是生成高于外部电压的高电压的高电压生成电路。
4.如权利要求1所述的半导体芯片封装件，其中，所述电压生成电路是生成反馈偏置电压的反馈偏置电压生成电路。
5.如权利要求1所述的半导体芯片封装件，其中，所述噪声消除器是用于消除功率噪声的解耦器件。
6.如权利要求5所述的半导体芯片封装件，其中，所述解耦器件是形成在所述安装基底的上部上的解耦电容器。
7.如权利要求5所述的半导体芯片封装件，其中，所述解耦器件是形成在所述安装基底的内部的解耦电容器。
8.如权利要求5所述的半导体芯片封装件，其中，所述解耦器件是形成在所述安装基底的下部上的解耦电容器。
9.如权利要求6所述的半导体芯片封装件，其中，所述解耦电容器通过使用引线键合连接到所述连接端子。
10.如权利要求6所述的半导体芯片封装件，其中，所述解耦电容器通过使用倒装芯片键合连接到所述连接端子。
11.如权利要求5所述的半导体芯片封装件，其中，所述解耦器件通过使用SMT安装方法或嵌入式安装方法被安装。
12.如权利要求5所述的半导体芯片封装件，其中，所述解耦器件是薄膜型电容器或硅电容器。
13.一种半导体芯片封装件，包括 集成电路芯片，包括接收外部电压以分配外部电压的外部电压源电路； 电压生成电路，接收由所述外部电压源电路分配的外部电压，以生成用于内部电路的电源电压； 第一连接端子和第二连接端子，其中，所述第一连接端子连接到所述外部电压源电路的输入节点，所述第二连接端子连接到所述电压生成电路的输出端子； 安装基底，包括连接到所述第一连接端子以降低外部电压的功率噪声的第一噪声消除器和连接到所述第二连接端子以降低电源电压的功率噪声的第二噪声消除器，并且用于安装所述集成电路芯片以将所述集成电路芯片封装为半导体芯片封装件。
14.如权利要求13所述的半导体芯片封装件，其中，所述电压生成电路是生成半导体存储器的外围电路或存储单元阵列所需的内部电压的内部电压转换器。
15.如权利要求13所述的半导体芯片封装件，其中，所述第一噪声消除器是形成在安装基底内部或外部的第一解耦电容器，所述第二噪声消除器是形成在安装基底内部或外部的第二解耦电容器。
16.—种电子设备,包括 接口单元，从外部源接收外部电压； 半导体芯片封装件； 控制单元，控制所述半导体芯片封装件处理所述电子设备的与半导体芯片封装件的数据关联的功能， 其中，所述半导体芯片封装件包括 集成电路芯片，包括电压生成电路和连接端子，其中，所述电压生成电路从外部源接收外部电压以生成用于内部电路的电源电压，所述连接端子连接到所述电压生成电路的输出节点； 安装基底，包括电连接到所述连接端子以降低电源电压的功率噪声的噪声消除器，并且用于安装所述集成电路芯片以将所述集成电路芯片封装为半导体芯片封装件。
17.如权利要求16所述的电子设备，其中，所述噪声消除器形成在所述集成电路芯片的外部，并且降低从外部源提供的外部电压的功率噪声。
18.如权利要求17所述的电子设备，其中，所述控制单元控制输入单元发送用户命令，并且控制所述接口单元从外部装置接收音频和视频图像数据。
19.如权利要求18所述的电子设备，其中，所述噪声消除器使所述输入单元在外部电压和电源电压的功率噪声降低的情况下输入用户命令，并且使所述接口单元在外部电压和电源电压的功率噪声降低的情况下从外部装置接收音频和视频图像数据。
20.如权利要求19所述的电子设备,还包括 功能单元，处理用户命令以及音频和视频图像数据，并且控制单元控制显示单元在外部电压和电源电压的功率噪声降低的情况下显示音频和视频图像数据。
全文摘要
提供一种包括功率噪声降低的电压生成电路的半导体芯片封装件。所述半导体芯片封装件消除和最小化从半导体芯片封装件中的电压生成电路产生的功率噪声，所述半导体芯片封装件包括集成电路芯片，具有电压生成电路和连接端子，其中，所述电压生成电路接收外部电压以生成用于内部电路的电源电压，所述连接端子连接到所述电压生成电路的输出节点；安装基底，包括电连接到所述连接端子以降低电源电压的功率噪声的噪声消除器，所述安装基底用于安装所述集成电路芯片以将所述集成电路芯片封装为半导体芯片封装件。
文档编号H01L23/58GK103035622SQ201210380798
公开日2013年4月10日 申请日期2012年10月10日 优先权日2011年10月10日
发明者姜善远, 金致旭, 禹贤贞, 黄祥俊 申请人:三星电子株式会社