专利名称：倍频晶体加热装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种激光装置，尤其涉及一种倍频晶体的加热装置。
背景技术：
倍频晶体在使用的过程中常常表面产生灰迹，灰迹会降低倍频晶体的效率。现有倍频晶体加热的方式为半导体接触式，由外到内热传导，一旦光从晶体中心通过，则只能通过周边温升传导至中心地带，而不能直接将半导体贴合在倍频晶体的中心位置加热，否则会影响光路传递
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种非接触式、内外均匀加热的倍频晶体加热装置，光脉冲加热时间和温度可控从而提高倍频晶体的效率。本实用新型为解决上述技术问题采用的技术方案如下一种倍频晶体加热装置，倍频晶体固定在隔热架上，在所述的隔热架和倍频晶体之间在倍频晶体表面设置有温度传感器，所述的加热装置设置有脉冲光发生器和控制器，所述的控制器实时监测所述温度传感器探测的倍频晶体的温度、并且控制所述脉冲光发生器发生加热脉冲光，所述的脉冲光发生器发射出的加热脉冲光穿透所述的倍频晶体。上述加热装置的倍频晶体加热方法如下，所述的脉冲光发生器发射的脉冲光穿透所述的倍频晶体、给倍频晶体加热，所述的温度传感器探测倍频晶体的温度，所述的控制器实时监测所述温度传感器探测的倍频晶体的温度，当倍频晶体温度高于设定值时所述控制器向所述脉冲光发生器发出停止脉冲光发生的指令，当倍频晶体温度低于设定值时所述控制器向所述脉冲光发生器发出脉冲光发生指令，对倍频晶体进行加热，保证倍频晶体在设定的温度下通过工作激光。本实用新型的倍频晶体加热装置及其方法，巧妙地通过脉冲光加热的方式实现倍频晶体非接触式加热，清洁无污染，内外加热均勻、稳定，光脉冲加热时间和温度可控，不影响光的传递路线，从而有效地提高了倍频晶体的效率。
为让本实用新型的上述目的、特征和优点能更明显易懂，
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
作详细说明，其中图I是本实用新型的倍频晶体加热装置的结构示意图。图中I、隔热架2、倍频晶体3、温度传感器4、控制器5、脉冲光发生器。
具体实施方式
图I示出了ー种倍频晶体加热装置，倍频晶体2固定在隔热架I上，在所述的隔热架I和倍频晶体2之间在倍频晶体2表面设置有温度传感器3，所述的加热装置设置有脉冲光发生器5和控制器4，所述的控制器4实时监测所述温度传感器3探測的倍频晶体2的温度、并且控制所述脉冲光发生器5发生加热脉冲光，所述的脉冲光发生器5发射出的加热脉冲光穿透所述的倍频晶体2。上述加热装置的倍频晶体加热方法如下所述的脉冲光发生器5发射的脉冲光穿透所述的倍频晶体2、给倍频晶体2加热，所述的温度传感器3探測倍频晶体2的温度，所述的控制器4实时监测所述温度传感器3探測的倍频晶体2的温度，当倍频晶体2温度高于设定值时所述控制器4向所述脉冲光发生器5发出停止脉冲光发生的指令，当倍频晶体2温度低于设定值时所述控制器4向 所述脉冲光发生器5发出脉冲光发生指令，对倍频晶体2进行加热，保证倍频晶体2在设定的温度下通过工作激光。
权利要求1.ー种倍频晶体加热装置，倍频晶体固定在隔热架上，在所述的隔热架和倍频晶体之间在倍频晶体表面设置有温度传感器，其特征在干所述的加热装置设置有脉冲光发生器和控制器，所述的控制器实时监测所述温度传感器探測的倍频晶体的温度、并且控制所述脉冲光发生器发生加热脉冲光，所述的脉冲光发生器发射出的加热脉冲光穿透所述的倍频晶体。
专利摘要本实用新型公开了一种倍频晶体加热装置，倍频晶体固定在隔热架上，在隔热架和倍频晶体之间设置有温度传感器，加热装置设置有脉冲光发生器和控制器，所述的控制器实时监测所述温度传感器探测的倍频晶体的温度、并且控制所述脉冲光发生器发生加热脉冲光，所述的脉冲光发生器发射出的加热脉冲光穿透所述的倍频晶体。该加热装置巧妙地通过脉冲光加热的方式实现倍频晶体非接触式加热，清洁无污染，内外加热均匀、稳定，光脉冲加热时间和温度可控，不影响光的传递路线，从而有效地提高了倍频晶体的效率。
文档编号H01S3/042GK202602075SQ20122024943
公开日2012年12月12日 申请日期2012年5月30日 优先权日2012年5月30日
发明者陆高银, 杨智勇 申请人:上海奥通激光技术有限公司