专利名称：一种光伏探测器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种光伏探测器，尤其是一种量子阱红外光伏探测器。
背景技术：
现有的光伏探测器包括InSb红外探测器、HgCdTe红外探测器和量子阱红外探测器，都是在低温下工作，需要通过液氮杜瓦或循环制冷机制冷，严重限制了光伏探测器的应用范围。
实用新型内容本实用新型提供了一种能够在室温条件下工作的光伏探测器。实现本实用新型目的的光伏探测器，包括依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs下电极层、多量子阱层和GaAs顶部电极层；所述量子阱层包括22周期，每个周期包括一个AlGaAs势垒层和一个GaAs势阱层，所述AlGaAs势垒层的厚度为GaAs势阱层厚度的30倍。本实用新型的光伏探测器的有益效果如下本实用新型的光伏探测器，可在常温下工作，无需制冷设备，光吸收系数高，提高了探测率。
图I为本实用新型的光伏探测器的结构示意图。
具体实施方式
如图I所示，本实用新型的光伏探测器，包括依次设置的GaAs衬底5、GaAs缓冲层
4、GaAs下电极层3、多量子阱层2和GaAs顶部电极层I ;所述量子阱层2包括22周期，每个周期包括一个AlGaAs势垒层和一个GaAs势阱层，所述AlGaAs势垒层的厚度为GaAs势阱层厚度的30倍。本实用新型的光伏探测器的优点如下本实用新型的光伏探测器，可在常温下工作，无需制冷设备，光吸收系数高，提高了探测率。上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的优选实施方式进行描述，并非对本实用新型的范围进行限定，在不脱离本实用新型设计精神前提下，本领域普通工程技术人员对本实用新型技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本实用新型的权利要求书确定的保护范围内。
权利要求1. 一种光伏探测器，其特征在于包括依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs下电极层、多量子阱层和GaAs顶部电极层；所述量子阱层包括22周期，每个周期包括一个AlGaAs势垒层和一个GaAs势阱层， 所述AlGaAs势垒层的厚度为GaAs势阱层厚度的30倍。
专利摘要本实用新型提供了一种能够在室温条件下工作的光伏探测器，包括依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs下电极层、多量子阱层和GaAs顶部电极层；所述量子阱层包括22周期，每个周期包括一个AlGaAs势垒层和一个GaAs势阱层，所述AlGaAs势垒层的厚度为GaAs势阱层厚度的30倍。本实用新型的光伏探测器，可在常温下工作，无需制冷设备，光吸收系数高，提高了探测率。
文档编号H01L31/0304GK202797042SQ20122033376
公开日2013年3月13日 申请日期2012年7月11日 优先权日2012年7月11日
发明者王四新, 刘先章, 宋亚美 申请人:北京瑞普北光电子有限公司