专利名称：一种高压大功率手机充电控制芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种高压大功率手机充电控制芯片。
背景技术：
手机上的大功率半导体充电芯片主要用于手机充电电路的电流控制，目前，国内的手机充电芯片的耐压一般在7V左右，安全性差，容易过压被烧毁，此外，国内手机芯片的充电效率不高，一般在70%左右，浪费大量能源。
实用新型内容为解决现有技术存在的问题，本实用新型提供一种能提高芯片耐压能力、增大芯片功率的高压大功率手机充电控制芯片。本实用新型所述高压大功率手机充电控制芯片，其包括基区，所述基区进行扩散形成集电区和发射区，所述集电区为长方形，所述发射区环绕所述集电区的任意三边。优选地，所述发射区环绕所述集电区的一条长边和两条短边。优选地，所述发射区环绕所述集电区的一条短边和两条长边。本实用新型所述高压大功率手机充电控制芯片，其有益效果是:发射区环绕集电区的任意三边，从而增加了有源区的接触面积，提高了电流的通道能力，基区、集电区和发射区的扩散深度范围为10微米至15微米，在不改变芯片面积的前提下，增加了有源区的接触面积，从而提高了电流的通道能力；在电压增加的情况下，依靠增加有源区的面积而增大电流，不但提高了芯片的耐压，也增大了芯片的功率。
此附图说明所提供的图片用来辅助对实用新型的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本实用新型的不当限定，在附图中:附图1为本实用新型高压大功率手机充电控制芯片结构示意图。
具体实施方式
下面将以具体实施例来详细说明本实用新型，在此本实用新型的示意性实施例以及说明用来解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。实施例1:如附图1所示，本实用新型所述高压大功率手机充电控制芯片，其包括基区，基区进行扩散形成集电区和发射区，集电区为长方形，发射区环绕集电区的一条长边和两条短边。基区、集电区和发射区的扩散深度范围为10微米至15微米。在不改变芯片面积的前提下，增加了有源区的接触面积，从而提高了电流的通道能力；在电压增加的情况下，依靠增加有源区的面积而增大电流，不但提高了芯片的耐压，也增大了芯片的功率。实施例2:如附图1所示，本实用新型所述高压大功率手机充电控制芯片，其包括基区，基区进行扩散形成集电区和发射区，集电区为长方形，发射区环绕集电区的一条短边和两条长边。基区、集电区和发射区的扩散深度范围为10微米至15微米。在不改变芯片面积的前提下，增加了有源区的接触面积，从而提高了电流的通道能力；在电压增加的情况下，依靠增加有源区的面积而增大电流，不但提高了芯片的耐压，也增大了芯片的功率。以上对本实用新型实施例所提供的技术方案进行了详细介绍，本文应用了具体个例对本实用新型实施例的原理以及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只适用于帮助理解本实用新型实施例的原理；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型实施例，在具体实施方式
以及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
权利要求1.一种高压大功率手机充电控制芯片，其特征在于: 包括基区，所述基区进行扩散形成集电区和发射区，所述集电区为长方形，所述发射区环绕所述集电区的任意三边。
2.如权利要求1所述高压大功率手机充电控制芯片，其特征在于: 所述发射区环绕所述集电区的一条长边和两条短边。
3.如权利要求1所述高压大功率手机充电控制芯片，其特征在于: 所述发射区环绕所述集电区的一条短边和两条长边。
专利摘要本实用新型涉及手机芯片领域，具体涉及一种高压大功率手机充电控制芯片，其包括基区，所述基区进行扩散形成集电区和发射区，所述集电区为长方形，所述发射区环绕所述集电区的任意三边，优选选择为一条长边、两条短边或一条短边、两条长边。本实用新型所述高压大功率手机充电控制芯片，在不改变芯片面积的前提下，增加了有源区的接触面积，从而提高了电流的通道能力；在电压增加的情况下，依靠增加有源区的面积而增大电流，不但提高了芯片的耐压，也增大了芯片的功率。
文档编号H01L29/08GK202917495SQ20122053877
公开日2013年5月1日 申请日期2012年10月19日 优先权日2012年10月19日
发明者余梅, 潘逸清 申请人:南京泊月科技有限公司