技术总结
一种局部互连结构的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成介质层；在所述介质层上形成图形化的第一膜层，定义局部互连结构围成的区域；在所述第一膜层周围形成侧墙；图形化所述侧墙，定义局部互连结构的位置；形成第二膜层，覆盖所述介质层且与侧墙顶面齐平；去除图形化后的侧墙，形成第一开口；形成第一开口后，刻蚀介质层至半导体衬底，在所述介质层中形成第二开口；在所述第二开口内填充导电材料，形成局部互连结构。采用本发明的方法可以形成变形较小的局部互连结构，以提高后续半导体器件的性能。
技术研发人员：王冬江;黄敬勇;张海洋
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201310009755
技术研发日：2013.01.10
技术公布日：2017.05.17