有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，包括：基板，在所述基板上的非像素区域和像素区域；设置于所述非像素区域的薄膜晶体管；保护层，形成在非像素区域和像素区域，并覆盖于所述薄膜晶体管上方；在所述保护层之上的像素定义层和有机发光单元，所述像素定义层设置于所述非像素区域，有机发光单元设置于所述像素区域，其中，仅在所述非像素区域设置有反射层，所述反射层位于所述薄膜晶体管远离所述基板的一侧，所述反射层与所述薄膜晶体管绝缘。2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述反射层设置于所述保护层与所述像素定义层之间。3.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述保护层包括覆盖所述薄膜晶体管的钝化层和形成于所述钝化层上的平坦化层。4.根据权利要求3所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述反射层形成于所述钝化层和平坦化层之间。5.根据权利要求3所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述平坦化层包括下平坦化层和上平坦化层两层结构，反射层形成于下平坦化层和上平坦化层之间。6.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述反射层的材料采用银、铝、镍、铬、铂。7.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管面板，其特征在于，所述反射层的厚度在0.05～10μm之间。8.一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，所述基板包括非像素区域和像素区域；在所述基板上形成薄膜晶体管；形成所述薄膜晶体管的保护层；在所述保护层上形成反射层；图案化反射层，使反射层只覆盖所述非像素区域；在所述反射层上形成像素定义层和有机发光单元，所述像素定义层设置于非像素区域，有机发光单元设置于所述像素区域；其中，所述反射层与所述薄膜晶体管绝缘。9.根据权利要求8所述的有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管上形成保护层包括：在所述薄膜晶体管上形成钝化层；在所述钝化层上形成平坦化层。10.根据权利要求8所述的有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述反射层的材料采用银、铝、镍、铬或铂。11.根据权利要求8所述的有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述反射层的厚度在0.05-10μm之间。12.一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，所述基板包括非像素区域和像素区域；在所述基板上形成薄膜晶体管；形成覆盖所述薄膜晶体管的钝化层；在所述钝化层上形成下平坦化层；在所述下平坦化层上形成反射层；图案化反射层，使反射层只覆盖所述非像素区域；在反射层和下平坦化层上形成上平坦化层；在所述上平坦化层上形成像素定义层和有机发光单元，所述像素定义层设置于非像素区域，有机发光单元设置于所述像素区域；其中，所述反射层与所述薄膜晶体管绝缘。13.根据权利要求12所述的有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述反射层的材料采用银、铝、镍、铬或铂。14.根据权利要求12所述的有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述反射层的厚度在0.05-10μm之间。15.一种有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板，所述基板包括非像素区域和像素区域；在所述基板上形成薄膜晶体管；形成覆盖所述薄膜晶体管的钝化层；在所述钝化层上形成反射层；图案化反射层，使反射层只覆盖所述非像素区域；在所述反射层之上形成平坦化层；在所述平坦化层上形成像素定义层和有机发光单元；其中，所述反射层与所述薄膜晶体管绝缘。16.根据权利要求15所述的有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述反射层的材料采用银、铝、镍、铬或铂。17.根据权利要求15所述的有源矩阵有机发光二极管面板的制造方法，其特征在于，所述反射层的厚度在0.05-10μm之间。