形成具有贯穿硅通孔的散热件的方法与流程

技术总结
本发明揭露一种形成具有贯穿硅通孔的散热件的方法，其中，半导体装置是用从背侧表面伸入半导体衬底的贯穿硅通孔予以形成以供改进式散热。具体实施例包含在衬底的背侧表面中形成凹洞，衬底在前侧表面上包含栅极堆栈，以及以导热材料填充凹洞。

技术研发人员：J·B·谭;Y·K·林;S·N·袁;S·Y·西娅
受保护的技术使用者：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
文档号码：201310143438
技术研发日：2013.04.23
技术公布日：2018.05.08