多天线系统的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种多天线系统，包括基板、接地元件、第一天线元件、第二天线元件与解耦元件。接地元件设置在基板的第一表面，且解耦元件设置在基板的第二表面。两天线元件的接地部与解耦元件的第一连接端电性连接至接地元件。解耦元件与部分第一接地部相隔第一解耦间隙，且解耦元件与部分第二接地部相隔第二解耦间隙。通过解耦元件、第一解耦间隙以及第二解耦间隙，可产生相对于两天线元件的相位差，进而消除两天线元件间互相干扰的能量。
【专利说明】多天线系统
【技术领域】
[0001] 本发明是有关于一种多天线系统，且特别是有关于一种具有解耦元件的多天线系 统。
【背景技术】
[0002] 由于第四代移动通信（4G)长期进化（Long Term Evolution,简称LTE)标准能够 支持具有多输入多输出（multi-input multi-output,简称ΜΙΜΟ)的多天线系统的应用，因 此4G LTE标准已逐渐成为移动通信装置的新规范。然而，目前各国市场所规划采用的LTE 频段过于广泛，例如：美国市场采用LTE700频段（704?862MHz)、中国大陆与欧洲市场采 用LTE2300与LTE2600频段（2300?2690MHz)，进而导致多天线系统的整合面临了全新的 技术挑战。
[0003] 例如，以可应用在LTE双频的多天线系统为例来看。由于多天线系统的低频频带 涵盖700MHz且高频频带涵盖2. 6GHz，因此低频天线的共振尺寸往往为高频频带的共振尺 寸的3倍以上。除了天线的共振尺寸变大，且天线之间的隔离距离变小以外，天线的操作波 长的大幅增加也会使得天线之间的互耦效应更加地强烈，进而导致天线的辐射效率降低。
[0004] 现有的解耦技术大多采用多天线间的长距离摆置，来达到空间分集（Spatial Diversity)的效果。例如，美国专利US6, 498, 591B2与美国专利US7, 253, 779B2,则是利 用不同的天线架构（Patch, Dipole)来得到不同的福射场型，进而达到场型分集（Pattern Diversity)或是极化分集（Polarization Diversity)。然而，上述方法可能会耗费庞大的 硬体空间，故无法满足移动通信装置在轻薄短小上的应用。
[0005] 此外，因应移动通信装置的有限硬体空间，具有中性线（Neutral Line)设计概念 的解耦技术也孕育而生，例如：美国专利US2011/0175792A1与美国专利US2012/0013519A1 所公开的多天线架构。然而，上述方法虽然可以缩减天线的摆置距离，但只能于高频2. 4GHz 附近形成一窄频隔离模态（IsolationMode)，若想应用于LTE系统低频频带700MHz附近时， 该中性线设计结构尺寸将会随之变大，因而占用天线或电路布局空间，进而限缩多天线系 统的应用范围。
【发明内容】
[0006] 本发明提供一多天线系统，利用解耦元件提升两天线元件之间的隔离度，并可与 两天线元件作整合式设计，以满足移动通信装置在轻薄短小上的应用。
[0007] 本发明的实施例提出一种多天线系统，包括基板、接地元件、第一天线元件、第二 天线元件与解耦元件。基板具有第一表面与第二表面。接地元件设置在第一表面。第一天 线元件包括电性连接至接地元件的第一接地部。第二天线元件包括电性连接至接地元件的 第二接地部。解耦元件设置在第二表面，并隔着基板相对于接地元件。此外，解耦元件具有 第一连接端与第二连接端，且第一连接端电性连接至接地元件。解耦元件与部分第一接地 部相互平行并相隔第一解耦间隙，且解耦元件与部分第二接地部相互平行并相隔第二解耦 间隙。通过解耦元件、第一解耦间隙以及第二解耦间隙，可产生相对于第一天线元件以及第 二天线元件的相位差。
[0008] 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式 作详细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】
[0009] 图1A为依据本发明一实施例的多天线系统的示意图。
[0010]图1B为依据本发明一实施例的多天线系统的散射参数曲线图。
[0011] 图2与图3分别为依据本发明另一实施例的多天线系统的示意图。
[0012] 图4为依据本发明又一实施例的多天线系统的示意图。
[0013] 图5为图1A的多天线系统的透视图。
[0014] 图6A为依据本发明再一实施例的多天线系统的示意图。
[0015] 图6B为依据本发明再一实施例的多天线系统的实测散射参数曲线图。
[0016] 图7为依据本发明一实施例的相位接合结构的示意图。
[0017] 图8为图7的相位接合结构的延伸实施例。
[0018] 图9为依据本发明另一实施例的相位接合结构的示意图。
[0019] 图10为依据本发明又一实施例的多天线系统的示意图。
[0020] 其中，附图标记：
[0021] 10、20、30、40、60、70、100 :多天线系统
[0022] 110、1010:基板 120、1020 :接地元件
[0023] 130、1030 :第一天线元件 131、1031 :第一辐射部
[0024] 132、1032 :第一馈入部 133、1033 :第一接地部
[0025] FP1UFP101 :第一馈入点 GP11、GP101 :第一接地点
[0026] 140、1040 :第二天线元件 141、1041 :第二辐射部
[0027] 142、1042 :第二馈入部 143、1043 :第二接地部
[0028] FP12、FP102 :第二馈入点 GP12、GP102 :第二接地点
[0029] Sll、S22、S113 :返回损失曲线 S211、S212、S213 :隔离度曲线
[0030] 15〇、25〇、35〇、4 5〇、75〇、1〇5〇 :解耦元件
[0031] 151、251、351、1051 :解耦元件的第一连接端
[0032] 152、252、352、1052 :解耦元件的第二连接端
[0033] D1UD101 :第一解耦间隙 D12、D102 :第二解耦间隙
[0034] L1 :金属配线
[0035] GP13、GP31、GP32、GP41、GP71、GP103 :接地点
[0036] 451、751 :第一金属配线 452、752 :第二金属配线
[0037] 453、830 :二极管 510、520、530、540 :辐射导体
[0038] 753:相位接合结构 810:固定电容
[0039] 820、920:可变电容 910:电抗单元
【具体实施方式】
[0040] 图1A为依据本发明一实施例的多天线系统的示意图。参照图1A，多天线系统10 包括基板110、接地元件120、第一天线元件130、第二天线元件140以及解耦元件150。其 中，基板110具有第一表面与第二表面。接地元件120相当于多天线系统10的系统接地面， 并设置在基板110的第一表面。解耦元件150设置在基板110的第二表面。此外，基板110 的第一表面上未配置接地元件120的区域可视为天线的净空区域。
[0041] 第一天线元件130包括第一辐射部131、第一馈入部132与第一接地部133。其 中，第一馈入部132与第一接地部133电性连接第一辐射部131。此外，第一馈入部132具 有第一馈入点FP11，并用以接收一馈入信号。第一接地部133具有第一接地点GP11，并用 以电性连接至接地元件120。例如，在一实施例中，多天线系统10还包括第一通孔。其中， 第一通孔贯穿第一接地部133、基板110与接地元件120。以至于，第一接地部133上的第 一接地点GP11将可通过第一通孔内的导电元件电性连接至接地元件120。
[0042] 第二天线元件140相邻于第一天线元件130,并包括第二辐射部141、第二馈入部 142与第二接地部143。其中，第二馈入部142与第二接地部143电性连接第二辐射部141。 此外，第二馈入部142具有第二馈入点FP12,并用以接收另一馈入信号。第二接地部143具 有第二接地点GP12,并用以电性连接至接地元件120。例如，在一实施例中，多天线系统10 还包括第二通孔。其中，第二通孔贯穿第二接地部143、基板110与接地元件120。以至于， 第二接地部143上的第二接地点GP12将可通过第二通孔内的导电元件电性连接至接地元 件 120。
[0043] 解耦元件150隔着基板110相对于接地元件120。亦即，接地元件120设置在解耦 元件150的下方。此外，解耦元件150与部分第一接地部133相互平行并相隔第一解耦间 隙D11。相似地，解耦元件150与部分第二接地部143相互平行并相隔第二解耦间隙D12。 在图1A实施例中，第一接地部133与第二接地部143分别具有至少一弯折，以各自形成与 解耦元件150相互平行的区段。
[0044] 在整体运作上，第一天线元件130的最低操作频率不大于（亦即，小于或是等于） 第二天线元件140的最低操作频率。此外，通过解耦元件150、第一解耦间隙D11以及第二 解耦间隙D12,可产生相对于第一天线元件130以及第二天线元件140的相位差，进而有效 降低两天线元件130与140所激发的共振模态的干扰。
[0045] 换言之，多天线系统10可通过解耦元件150来降低两天线元件130与140之间互 相干扰的能量，进而提升两天线元件130与140之间的隔离度。举例来说，图1B为依据本 发明一实施例的多天线系统的散射参数曲线图，其中曲线S11与S22是用以表示两天线元 件130与140的返回损失，且曲线S211与S212是用以表示多天线系统10在未加入解耦元 件150与加入解耦元件150后的隔离度。如图1B所示，可以发现，在加入解耦元件150后 天线的隔离度有明显的改善。据此，本实施例的多天线系统10无需通过天线间的长距离摆 置就可提升天线元件之间的隔离度，故可以满足移动通信装置在轻薄短小上的应用。
[0046] 值得一提的是，第一解耦间隙D11与第二解耦间隙D12皆小于第一天线元件130 的最低操作频率的百分之一波长。此外，第一接地部133具有与解耦元件150相互平行的 一区段，且所述区段的长度不小于第一天线元件130的最低操作频率的百分之一波长。相 似地，第二接地部143具有与解耦元件150相互平行的一区段，且所述区段的长度也不小于 第一天线元件130的最低操作频率的百分之一波长。
[0047] 在图1A实施例中，解耦元件150具有第一连接端151与第二连接端152。其中，第 一连接端151具有一接地点GP13,以电性连接至接地元件120,且第二连接端152则为一开 路端。换言之，解耦元件150的第一连接端151与接地元件120为电感性连接，而解耦元件 150的第二连接端152与第二天线元件140则为电容性连接。
[0048] 虽然图1Α实施例列举了解耦元件150与两天线元件130U40的连接形态，但其并 非用以限定本发明。举例来说，图2与图3分别为依据本发明另一实施例的多天线系统的 示意图。在图2实施例中，多天线系统20中的解耦元件250具有第一连接端251与第二连 接端252,且第一连接端251电性连接至第一接地部133,第二连接端252为一开路端。以 至于，第一连接端251将可通过第一接地部133上的第一接地点GP11电性连接至接地元件 120。换言之，解耦元件250的第一连接端251与第一天线元件130为电感性连接，且解耦 元件250的第二连接端252与第二天线元件140为电容性连接。
[0049] 值得一提的是，在另一实施例中，第一连接端251与第二连接端252的连接状态也 可对调。亦即，第一连接端251可为一开路端，且第二连接端252电性连接至第二接地部 133。以至于，解耦元件250将分别与第一天线元件130、第二天线元件140形成电容性连接 与电感性连接。至于图2实施例中其余元件的详细说明已包含在上述实施例中，故在此不 予赘述。
[0050] 在图3实施例中，多天线系统30中的解耦元件350具有第一连接端351与第二连 接端352。其中，第一连接端351具有一接地点GP31以电性连接至接地元件120,且第二连 接端352具有另一接地点GP32以电性连接至接地元件120。换言之，解耦元件350的第一 连接端351与接地元件120为电感性连接，且解耦元件350的第二连接端352与接地元件 120也为电感性连接。至于图3实施例中其余元件的详细说明已包含在上述各实施例中，故 在此不予赘述。
[0051] 请继续参照图1Α。解耦元件150可例如是由一金属配线L1所构成。此外，金属 配线L1的长度小于第一天线元件130的最低操作频率的四分之一波长。例如，在一实施例 中，金属配线L1的长度为第一天线元件130的最低操作频率的七分之一波长。除此之外， 在另一实施例中，也可在金属配线中穿插至少一二极管。以至于，将可通过二极管的导通与 否来切换金属配线的长度，进而调整解耦频率的位置。
[0052] 举例来说，图4为依据本发明又一实施例的多天线系统的示意图。在图4实施例 中，多天线系统40中的解耦元件450包括第一金属配线451、第二金属配线452与二极管 453。具体而言，第一金属配线451的第一端用以作为解耦元件450的第一连接端，且第一金 属配线451的第一端具有一接地点GP41。此外，第一金属配线451与部分第一接地部133相 隔第一解耦间隙D11，且第一金属配线451与部分第二接地部143相隔第二解耦间隙D12。
[0053] 第二金属配线452的第一端用以作为解耦元件450的第二连接端。此外，第二金 属配线452与部分第二接地部143相隔第二解耦间隙D12。另一方面，二极管453电性连 接在第一金属配线451的第二端与第二金属配线452的第二端之间。以至于，通过二极管 453的导通与否，将可切换从第一接地部133延伸至第二接地部143的金属配线的长度，进 而调整解耦频率的位置。再者，第一金属配线451的第一端通过接地点GP41电性连接至接 地兀件120,而第二金属配线452的第一端为一开路端。此外，在另一实施例中，第一金属 配线451的第一端电性连接至第一接地部133,且第二金属配线452的第一端为一开路端。 相似地，在另一实施例中，第一金属配线451的第一端为一开路端，且第二金属配线452的 第一端电性连接至第二接地部143。
[0054] 图5为图1A的多天线系统的透视图，其中图5实施例绘示出第一辐射部131与第 二辐射部141的详细结构。具体而言，图5实施例是以平面倒F形天线结构来列举第一天 线元件130与第二天线元件140的实施形态。因此，如图5所示，第一辐射部131包括辐射 导体510与辐射导体520。其中，辐射导体510电性连接至第一馈入部132,且辐射导体520 电性连接至第一接地部133并环绕辐射导体510。相似地，第二辐射部141包括辐射导体 530与辐射导体540。其中，辐射导体530电性连接至第二馈入部142,且辐射导体540电性 连接至第二接地部143并环绕辐射导体530。虽然图5实施例列举了第一天线元件130与 第二天线元件140的实施形态，但其并非用以限定本发明。
[0055] 除此之外，为了可以动态地调整解耦元件的解耦频率，还可在解耦元件中设置一 相位接合结构。举例来说，图6A为依据本发明再一实施例的多天线系统的示意图。在图6A 实施例中，多天线系统70中的解耦元件750包括第一金属配线751、第二金属配线752与相 位接合结构753。其中，第一金属配线751与部分第一接地部133相隔第一解耦间隙D11， 且第一金属配线751具有一接地点GP71，以电性连接至接地元件120。第二金属配线752 与部分第二接地部143相隔第一解耦间隙D12。相位接合结构753电性连接在第一金属配 线751与第二金属配线752之间，并用以调整解耦元件750所提供的相位差。
[0056] 在一实施例中，相位接合结构753可为一金属线段、一晶片电感、一晶片电容或是 一分布式电容或其组合。此外，本领域技术人员可依设计所需，调整金属线段的长度，或是 调整晶片电感、晶片电容与分布式电容的阻抗值，并达到调整解耦元件750的相位差。
[0057] 在另一实施例中，相位接合结构753可为一可变电容。此外，多天线系统70可通过 一控制信号来调整可变电容的电容值，并调整解耦元件750的相位差，其中该可变电容可 为一射频微机电系统元件。举例来说，图6B为依据本发明再一实施例的多天线系统的实测 散射参数曲线图，其中曲线S113是用以表示随着可变电容值改变的天线元件的回波损耗， 且曲线S213是用以表示随着可变电容值改变的多天线系统70的隔离度。如图6B所示，可 以发现，通过调整可变电容的电容值（例如：图6B中的2. 8pF、2. 4pF、2pF、1.6pF、1.4pF)， 可相对地调整天线系统70中隔离频宽所涵盖的频率范围，进而致使解耦元件750具有宽频 带操作的特性。
[0058] 为了致使本领域技术人员能更了解图6A实施例所列举的相位接合结构753,以下 将针对相位接合结构753的详细结构作进一步的说明。
[0059] 图7为依据本发明一实施例的相位接合结构的示意图。如图7所示，相位接合结构 753包括固定电容810与可变电容820。其中，固定电容810电性连接在第一金属配线751 与第二金属配线752之间，且可变电容820与固定电容810相互并联。在操作上，多天线系 统70可通过一控制信号调整可变电容820的电容值，进而改变串接在第一金属配线751与 第二金属配线752之间的等效电容值。以至于，解耦元件750所提供的相位差将响应于所 述等效电容值产生对应的改变。
[0060] 图8为图7的相位接合结构的延伸实施例。与图7实施例相较之下，图8的相位 接合结构753还包括二极管830。其中，二极管830的阳极电性连接可变电容820与第一金 属配线751，且二极管830的阴极电性连接固定电容810。在操作上，当二极管830导通时， 可变电容820与固定电容810将同时串接在两金属配线751与752之间。此时，相位接合 结构753所提供的等效电容值将被提升，进而致使解耦元件750可操作在较低的频带。相 对地，当二极管830不导通时，仅有可变电容820串接在两金属配线751与752之间。此 时，相位接合结构753所提供的等效电容值将被降低，进而致使解耦元件750可操作在较高 的频带。换言之，可利用相位接合结构753中二极管830的导通与不导通，而致使解耦元件 750具有可双频带操作的特性。
[0061] 图9为依据本发明另一实施例的相位接合结构的示意图。如图9所示，相位接合 结构753包括电抗单元910与可变电容920。其中，可变电容920与电抗单元910相互串 接在第一金属配线751与第二金属配线752之间，且电抗单兀910可为一固定电容或是一 固定电感。在操作上，多天线系统70可通过一控制信号调整可变电容920的电容值，进而 改变串接在第一金属配线751与第二金属配线752之间的等效电抗值。以至于，解耦元件 750所提供的相位差将响应于所述等效电抗值产生对应的改变。
[0062] 图10为依据本发明又一实施例的多天线系统的示意图。参照图10,多天线系统 100包括基板1010、接地元件1020、第一天线元件1030、第二天线元件1040以及解耦元件 1050。其中，基板1010具有第一表面与第二表面。接地元件1020相当于多天线系统10的 系统接地面，并设置在基板1010的第一表面。解耦元件1050设置在基板1010的第二表面。 此外，基板1010的第一表面上未配置接地元件1020的区域可视为天线的净空区域。
[0063] 第一天线元件1030包括第一辐射部1031、第一馈入部1032与第一接地部1033， 且第二天线元件1040包括第二辐射部1041、第二馈入部1042与第二接地部1043。第一馈 入部1032与第二馈入部1042分别具有一馈入点（例如，第一馈入点FP101与第二馈入点 FP102)，以分别接收一馈入信号。第一接地部1033与第二接地部1043分别具有一接地点 (例如：第一接地点GP101与第二接地点GP102)，以电性连接至接地元件1020。
[0064] 解耦元件1050具有至少一弯折，以致使部分解耦元件1050位在第一天线元件 1030与第二天线元件1040之间。此外，解耦元件1050隔着基板1010相对于接地元件1020。 亦即，接地元件1020设置在解耦元件1050的下方。再者，解耦元件1050与部分第一接地 部1033相互平行并相隔第一解耦间隙D101，且解耦元件1050与部分第二接地部1043相互 平行并相隔第二解耦间隙D102。
[0065] 以至于，解耦元件1050、第一解耦间隙D101以及第二解耦间隙D102可产生相对于 第一天线元件1030与第二天线元件1040的相位差，进而有效降低两天线元件1030与1040 所激发的共振模态的干扰。换言之，多天线系统100可通过解耦元件1050来降低两天线元 件1030与1040之间互相干扰的能量，进而提升两天线元件1030与1040之间的隔离度。
[0066] 值得一提的是，第一天线元件1030的最低操作频率不大于（亦即，小于或是等于） 第二天线元件1040的最低操作频率。此外，第一解耦间隙D101与第二解耦间隙D102皆小 于第一天线元件1030的最低操作频率的百分之一波长。此外，第一接地部1033具有与解 耦元件1050相互平行的一区段，且所述区段的长度不小于第一天线元件1030的最低操作 频率的百分之一波长。相似地，第二接地部1043具有与解耦元件1050相互平行的一区段， 且所述区段的长度也不小于第一天线元件1030的最低操作频率的百分之一波长。
[0067] 更进一步来看，解耦元件1050具有第一连接端1051与第二连接端1052。其中，第 一连接端1051具有一接地点GP103,以电性连接至接地元件1020,而第二连接端1052为一 开路端。以至于，第一连接端1051将与接地元件1020形成电感性连接，而第二连接端152 将与第二天线元件140形成电容性连接。此外，与图2实施例相似地，解耦元件1050的第 一连接端1051也可电性连接至第一接地部1033,并通过第一接地点GP101电性连接至接地 元件1020。再者，与图3实施例相似地，解耦元件1050的两连接端1051与1052也可各自 通过一接地点电性连接至接地元件1020。
[0068] 与图1A实施例相似地，解耦元件1050可例如是由一金属配线所构成，且所述金属 配线的长度小于第一天线元件1030的最低操作频率的四分之一波长。此外，与图4实施例 相似地，也可在所述金属配线中穿插至少一二极管。以至于，将可通过二极管的导通与否来 切换金属配线的长度，进而调整解耦频率的位置。
[0069] 另一方面，与图6A实施例相似地，可在解耦元件1050中设置一相位接合结构，以 动态地调整解耦元件1050的解耦频率，其中所述相位接合结构的详细结构如同图7、8实施 例所示。
[0070] 综上所述，本发明是通过解耦元件来降低两天线元件之间互相干扰的能量，进而 提升两天线元件之间的隔离度。如此一来，多天线系统将无需通过天线间的长距离摆置就 可提升天线元件之间的隔离度，因此可以满足移动通信装置在轻薄短小上的应用。
[0071] 虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人 员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的变更与修改，故本发明的保护范围当以 权利要求为准。
【权利要求】
1. 一种多天线系统，其特征在于，包括： 基板，具有第一表面与第二表面； 接地元件，设置在该第一表面； 第一天线元件，包括电性连接该接地元件的第一接地部； 第二天线元件，包括电性连接该接地元件的第二接地部；以及 解耦元件，设置在该第二表面，并隔着该基板相对于该接地元件，其中该解耦元件具有 第一连接端与第二连接端，且该第一连接端电性连接至该接地元件，且该解耦元件与部分 该第一接地部相互平行并相隔第一解耦间隙，该解耦元件与部分该第二接地部相互平行并 相隔第二解耦间隙， 其中，通过该解耦元件、该第一解耦间隙以及该第二解耦间隙，可产生相对于该第一天 线元件与该第二天线元件的相位差。
2. 如权利要求1所述的多天线系统，其特征在于，该第一天线元件的最低操作频率不 大于该第二天线元件的最低操作频率，且该第一解耦间隙与该第二解耦间隙小于该第一天 线元件的最低操作频率的百分之一波长。
3. 如权利要求1所述的多天线系统，其特征在于，该第一接地部具有与该解耦元件相 互平行的区段，且该区段的长度不小于该第一天线元件的最低操作频率的百分之一波长。
4. 如权利要求1所述的多天线系统，其特征在于，该第二接地部具有与该解耦元件相 互平行的区段，且该区段的长度不小于该第一天线元件的最低操作频率的百分之一波长。
5. 如权利要求1所述的多天线系统，其特征在于，该第一天线元件及该第二天线元件 设置在该第二表面。
6. 如权利要求1所述的多天线系统，其特征在于，该解耦元件具有至少一弯折，以致使 部分该解耦元件位在该第一天线元件与该第二天线元件之间。
7. 如权利要求1所述的多天线系统，其特征在于，该解耦元件由金属配线所构成。
8. 如权利要求7所述的多天线系统，其特征在于，该第一天线元件的最低操作频率不 大于该第二天线元件的最低操作频率，且该金属配线的长度小于该第一天线元件的最低操 作频率的四分之一波长。
9. 如权利要求1所述的多天线系统，其特征在于，该第一连接端通过该第一接地部电 性连接至该接地元件。
10. 如权利要求1所述的多天线系统，其特征在于，该第二连接端为开路端或是电性连 接至该第二接地部。
11. 如权利要求1所述的多天线系统，其特征在于，该解耦元件包括： 第一金属配线，其中该第一金属配线的第一端用以作为该第一连接端，且该第一金属 配线与所述部分该第一接地部相隔该第一解耦间隙，该第一金属配线与所述部分该第二接 地部相隔该第二解耦间隙； 第二金属配线，其中该第二金属配线的第一端用以作为该第二连接端，且该第二金属 配线与所述部分该第二接地部相隔该第二解耦间隙；以及 二极管，电性连接在该第一金属配线的第二端与该第二金属配线的第二端之间。
12. 如权利要求1所述的多天线系统，其特征在于，该解耦元件的该第一连接端电性连 接该接地元件，且该解耦元件的该第二连接端电性连接该接地元件。
13. 如权利要求1所述的多天线系统，其特征在于，该解耦元件包括： 第一金属配线，与部分该第一接地部相隔该第一解耦间隙； 第二金属配线，与部分该第二接地部相隔该第二解耦间隙；以及 相位接合结构，电性连接在该第一金属配线与该第二金属配线之间，并用以调整该解 耦元件所提供的相位差。
14. 如权利要求13所述的多天线系统，其特征在于，该相位接合结构为金属线段、晶片 电感、晶片电容、或是分布式电容。
15. 如权利要求13所述的多天线系统，其特征在于，该相位接合结构为可变电容，且该 多天线系统依据控制信号调整该可变电容的电容值。
16. 如权利要求13所述的多天线系统，其特征在于，该相位接合结构包括： 固定电容，电性连接在该第一金属配线与该第二金属配线之间；以及 可变电容，与该固定电容相互并联，并依据控制信号调整其电容值。
17. 如权利要求16所述的多天线系统，其特征在于，该相位接合结构还包括： 二极管，其阳极电性连接该可变电容与该第一金属配线，且该二极管的阴极电性连接 该固定电容。
18. 如权利要求13所述的多天线系统，其特征在于，该相位接合结构包括： 电抗单元；以及 可变电容，其中该可变电容与该电抗单元相互串接在该第一金属配线与该第二金属配 线之间，且该可变电容依据控制信号调整其电容值。
19. 如权利要求18所述的多天线系统，其特征在于，该电抗单元为固定电容或是固定 电感。
20. 如权利要求1所述的多天线系统，其特征在于，该第一天线元件还包括第一辐射部 与第一馈入部，且该第一馈入部与该第一接地部电性连接该第一辐射部。
21. 如权利要求1所述的多天线系统，其特征在于，该第二天线元件还包括第二辐射部 与第二馈入部，且该第二馈入部与该第二接地部电性连接该第二辐射部。
【文档编号】H01Q5/10GK104112911SQ201310263550
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2013年6月27日 优先权日:2013年4月18日
【发明者】吴俊熠, 陈伟吉, 王钦宏 申请人:财团法人工业技术研究院