一种Zigbee的红外线传感器制作方法
【专利摘要】本发明公开一种Zigbee的红外线传感器，由红外线传感器电路、信号采集电路、Zigbee模块、天线、主机和电源模块组成，所述红外线传感器电路与信号采集电路相连，所述信号采集电路与Zigbee模块相连，所述Zigbee模块通过天线与主机相连，所述电源模块分别与红外线传感器电路、信号采集电路和Zigbee模块相连。该红外线传感器具有能检测是否有人入侵，且减少家庭布线，抗干扰能力强的特点。
【专利说明】一种Zigbee的红外线传感器制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于传感器领域，具体涉及一种Zigbee的红外线传感器制作方法。
【背景技术】
[0002]无线传感网络是近几年应用较多的网络之一，随着互联网技术的发展对无线传感网络的研究也会有大的发展，Zigbee技术正是众多无线传感网路技术中比较成熟的一种，它具有最低的功耗和成本、足够的传输速度和距离、较大的网络容量和较好的安全特性等特点。
[0003]本 申请人:设计的Zigbee的红外线传感器，可应用于非接触开关机放到报警等控制装置中，在自动控制，电器节能，安防等领域具有广阔的应用前景。目前，市场上的红外线传感器多采用陶瓷体材料制作，工序繁琐且成本高。此外，陶瓷体材料厚达几十微米，器件热容较大，相应速率提高受到限制。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是为了克服现有技术的不足，提供一种Zigbee的红外线传感器制作方法，本方法制作出的红外线传感器热导较低，可靠性高，响应速度快，并且耗费低。
[0005]为了实现上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的:
一种Zigbee的红外线传感器制作方法，按照如下步骤进行:
(1)提供衬底；
(2)在所述衬底中细加工形成多个凹槽，在所述凹槽内填充第一释放牺牲层，在所述衬底表面覆盖膜片；
(3)在所述膜片上形成下部电极；
(4)进行气相释放工艺去除第一释放牺牲层；
(5)在所述膜片和下部电极上形成热电层；
(6)在基片上表面上形成红外结构吸收层，在该基片中局部地形成多个像素，在该红外结构吸收层的形成步骤中，沉积一种胶质微粒的分散体，从而形成一种覆盖于所述基片的吸收层，所述吸收层在热电层的上面；
(7)然后去除部分所述吸收层以便形成多个基本吸收区，它们分别与所述多个像素连接。
[0006]作为进一步的说明，以上所述红外结构吸收层的形成包括以下几个步骤:
(1)把具有多个开孔的掩模放到所述基片上，这些开孔确定出所述基本吸收区；
(2)沉积由胶质微粒形成的所述红外结构吸收层；
(3)去除所述掩模使得局部去除上述基本上是均匀的层，以便只让这种层保留在多个所述基本吸收区中。
作为进一步的说明，以上所述胶质微粒是由Ti或TiN构成的，其直径小于90微米，所述红外结构吸收层的厚度小于10微米。[0007]作为进一步的说明，以上所述膜片为多孔聚酰亚胺。
[0008]作为进一步的说明，以上所述衬底为SOI衬底。
[0009]与现有技术相比，本发明的有益效果是:本发明提供的传感器热导较低，可靠性高，响应速度快；加工工艺成熟，量产成本较低，工艺较简单。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1是本发明Zigbee的红外线传感器局部俯视图；
图2是图1的A-A剂面不意图。
[0011]附图标记:
1-接点区，2-导电通道，3-红外光结构吸收层，4-红外传感器，5-下部电极，6-上部电极，7-像素，8-热电层，9-膜片，10-衬底，11-凹槽，12-基片。
【具体实施方式】
[0012]下面结合实施例对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式并不局限于实施例表示的范围。
[0013]实施例1:
如图1和2所示，一种Zigbee的红外线传感器制作方法，按照如下步骤进行:
(1)提供衬底10，衬底10为SOI衬底；
(2)在衬底10中细加工形成多个凹槽11，在凹槽11内填充第一释放牺牲层，在衬底10表面覆盖膜片9，膜片9为多孔聚酰亚胺；
(3)在膜片9上形成下部电极5；
(4)进行气相释放工艺去除第一释放牺牲层；
(5)在膜片9和下部电极5上形成热电层8；
(6)在基片12上表面上形成红外结构吸收层3，在该基片12中局部地形成多个像素7，在该红外结构吸收层3的形成步骤中，沉积一种胶质微粒的分散体，从而形成一种覆盖于基片12的红外结构吸收层，红外结构吸收层3在热电层8的上面；红外结构吸收层的厚度小于10微米；
(7)然后去除部分红外结构吸收层3以便形成多个基本吸收区，它们分别与多个像素7连接。
[0014]红外结构吸收层3的形成包括以下几个步骤:
(1)把具有多个开孔的掩模放到基片12上，这些开孔确定出基本吸收区；
(2)沉积由胶质微粒形成的红外结构吸收层3，胶质微粒是由Ti构成的，其直径小于90微米；
(3)去除掩模使得局部去除上述基本上是均匀的层，以便只让这种层保留在多个基本吸收区中。
[0015]
实施例2:
如图1和2所示，一种Zigbee的红外线传感器制作方法，按照如下步骤进行:
(I)提供衬底10，衬底10为SOI衬底； (2)在衬底10中细加工形成多个凹槽11，在凹槽11内填充第一释放牺牲层，在衬底10表面覆盖膜片9，膜片9为多孔聚酰亚胺；
(3)在膜片9上形成下部电极5；
(4)进行气相释放工艺去除第一释放牺牲层；
(5)在膜片9和下部电极5上形成热电层8；
(6)在基片12上表面上形成红外结构吸收层3，在该基片12中局部地形成多个像素7，在该红外结构吸收层3的形成步骤中，沉积一种胶质微粒的分散体，从而形成一种覆盖于基片12的红外结构吸收层，红外结构吸收层3在热电层8的上面；红外结构吸收层的厚度小于10微米；
(7)然后去除部分红外结构吸收层3以便形成多个基本吸收区，它们分别与多个像素7连接。
[0016]红外结构吸收层3的形成包括以下几个步骤:
(1)把具有多个开孔的掩模放到基片12上，这些开孔确定出基本吸收区；
(2)沉积由胶质微粒形成的红外结构吸收层3，胶质微粒是由TiN构成的，其直径小于90微米；
(3)去除掩模使得局部去除上述基本上是均匀的层，以便只让这种层保留在多个基本吸收区中。
【权利要求】
1.一种Zigbee的红外线传感器制作方法，其特征在于，按照如下步骤进行: (1)提供衬底； (2)在所述衬底中细加工形成多个凹槽，在所述凹槽内填充第一释放牺牲层，在所述衬底表面覆盖膜片； (3)在所述膜片上形成下部电极； (4)进行气相释放工艺去除第一释放牺牲层； (5)在所述膜片和下部电极上形成热电层； (6)在基片上表面上形成红外结构吸收层，在该基片中局部地形成多个像素，在该红外结构吸收层的形成步骤中，沉积一种胶质微粒的分散体，从而形成一种覆盖于所述基片的吸收层，所述吸收层在热电层的上面； (7)然后去除部分所述吸收层以便形成多个基本吸收区，它们分别与所述多个像素连接。
2.根据权利要求1所述的Zigbee的红外线传感器制作方法，其特征在于，所述红外结构吸收层的形成包括以下几个步骤: (1)把具有多个开孔的掩模放到所述基片上，这些开孔确定出所述基本吸收区； (2)沉积由胶质微粒形成的所述红外结构吸收层； (3)去除所述掩模使得局部去除上述基本上是均匀的层，以便只让这种层保留在多个所述基本吸收区中。
3.根据权利要求1或2所述的Zigbee的红外线传感器制作方法，其特征在于，所述胶质微粒是由Ti或TiN构成的，其直径小于90微米，所述红外结构吸收层的厚度小于10微米。
4.根据权利要求3所述的Zigbee的红外线传感器制作方法，其特征在于:所述膜片为多孔聚酰亚胺。
5.根据权利要求4所述的Zigbee的红外线传感器制作方法，其特征在于，所述衬底为SOI衬底。
【文档编号】H01L31/18GK103515485SQ201310459741
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年9月29日 优先权日:2013年9月29日
【发明者】王萌, 唐新来, 李健军 申请人:柳州市宏亿科技有限公司