行动装置及其控制方法
【专利摘要】本发明公开一种行动装置及其控制方法。该行动装置包括：一天线结构、一信号源，以及一离子高分子金属复合物(Ionic Polymer Metal Composite，IPMC)。该信号源用于激发该天线结构。该离子高分子金属复合物为可弯曲的一致动器，并用于调整该天线结构的一共振长度，使得该天线结构操作于多重频带。
【专利说明】行动装置及其控制方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种行动装置，特别是涉及包括通过离子高分子金属复合物(1nicPolymer Metal Composite, I PMC)来调整天线有效共振长度的行动装置。
【背景技术】
[0002]随着行动通讯技术的发达，行动装置在近年日益普遍，常见的例如:手提式电脑、行动电话、多媒体播放器以及其他混合功能的携带型电子装置。为了满足人们的需求，行动装置通常具有无线通讯的功能。有些涵盖长距离的无线通讯范围，例如:行动电话使用 2G、3G、LTE (Long Term Evolut1n)系统及其所使用 700MHz、850MHz、900MHz、1800MHz、1900MHz、2100MHz、2300MHz以及2500MHz的频带进行通讯，而有些则涵盖短距离的无线通讯范围，例如:Wi_F1、Bluetooth 以及WiMAX(Worldwide Interoperability for MicrowaveAccess)系统使用2.4GHz、3.5GHz、5.2GHz和5.8GHz的频带进行通讯。
[0003]在行动装置中，天线为用于提供无线通讯功能的必要元件。为了涵盖多重频带，在传统设计中，常将一些电子元件(例如:二极管)加入天线中作为切换器，此种切换器用于调整天线的共振长度。然而，这些电子元件于切换时通常无法形成完美的短路(ShortCircuit)或是断路(Open Circuit),故其常会增加能量损耗,并导致天线的福射效能下降。
【发明内容】
[0004]为解决上述问题，在一实施例中，本发明提供一种行动装置，包括:一天线结构；一信号源，用于激发该天线结构；以及一离子高分子金属复合物(1nic Polymer MetalComposite, IPMC)，其中该离子高分子金属复合物为可弯曲的一致动器，并用于调整该天线结构的一共振长度，使得该天线结构操作于多重频带。
[0005]在另一实施例中，本发明提供一种天线频带的控制方法，适用于一行动装置，包括下列步骤:提供一天线结构和一离子高分子金属复合物(1nic Polymer MetalComposite, IPMC);将该离子高分子金属复合物作为可弯曲的一致动器；以及通过该离子高分子金属复合物，调整该天线结构的一共振长度，使得该天线结构操作于多重频带。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1是显示根据本发明一实施例所述的行动装置的示意图；
[0007]图2A是显示根据本发明一实施例所述的离子高分子金属复合物的示意图；
[0008]图2B是显示根据本发明一实施例所述的离子高分子金属复合物其形变时的示意图；
[0009]图3A是显示根据本发明一实施例所述的行动装置其天线结构操作于低频频带时的不意图；
[0010]图3B是显示根据本发明一实施例所述的行动装置其天线结构操作于高频频带时的不意图；
[0011]图3C是显示根据本发明一实施例所述的行动装置的示意图；
[0012]图4是显示根据本发明一实施例所述的天线效率比较图；
[0013]图5A是显示根据本发明一实施例所述的行动装置其天线结构操作于低频频带时的不意图；
[0014]图5B是显示根据本发明一实施例所述的行动装置其天线结构操作于高频频带时的不意图；
[0015]图6A是显示根据本发明一实施例所述的行动装置其天线结构操作于低频频带时的不意图；
[0016]图6B是显示根据本发明一实施例所述的行动装置其天线结构操作于高频频带时的不意图；
[0017]图7是显示根据本发明一实施例所述的天线频带的控制方法的流程图。
[0018]符号说明
[0019]100、300、350、500、600 ?行动装置；
[0020]110、310、510、610 ?天线结构；
[0021]120?信号源；
[0022]130?离子高分子金属复合物；
[0023]131、132 ?金属层；
[0024]133?离子交换膜；
[0025]134?阴离子；
[0026]135?阳离子；
[0027]136?水分子；
[0028]311、511、611 ?第一金属部；
[0029]312、512、612 ?第二金属部；
[0030]313?连接金属部；
[0031]340、540、640 ?绝缘体；
[0032]360?感测器；
[0033]370?处理器；
[0034]380 ?人体；
[0035]CC1、CC2、CC3、CC4 ?曲线；
[0036]FBI?既定频带；
[0037]G1、G2?耦合间隙；
[0038]SI?侦测信号；
[0039]S710、S720、S730 ?步骤；
[0040]VD?电位差。
【具体实施方式】
[0041]为让本发明的目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出本发明的具体实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
[0042]图1是显示根据本发明一实施例所述的行动装置100的示意图。行动装置100可以是一智慧型手机(Smart Phone)、一平板电脑(Tablet Computer),或是一笔记型电脑(Notebook Computer)。如图1所示,行动装置100至少包括:一天线结构110、一信号源120,以及一离子高分子金属复合物(1nic Polymer Metal Composite, IPMC) 130。天线结构110的种类在本发明中可以不作限制。举例来说，天线结构110可以包括一单极天线(Monopole Antenna)、一偶极天线(Dipole Antenna)、一回圈天线(Loop Antenna)、一补钉天线(Patch Antenna)、一槽孔天线(Slot Antenna),或(且)一平面倒F形天线(PlanarInverted F Antenna, PIFA)。信号源 120 可以是一射频(Rad1 Frequency, RF)模块。在一些实施例中，信号源120是经由一同轴电缆线(Coaxial Cable)(未显示)耦接至天线结构110，并用于激发天线结构110。离子高分子金属复合物130为可弯曲与形变的一致动器(Actuator)，并用于调整天线结构110的一有效共振长度，使得天线结构110能够操作于多重频带。离子高分子金属复合物130的操作原理将于其后的实施例中作详细说明。必须注意的是，行动装置100至少还可包括其他元件，例如:一触控面板、一触控模块、一处理器、一感测器、一微控制器、一供电模块、一扬声器，以及一外壳(未显不)。
[0043]图2A是显示根据本发明一实施例所述的离子高分子金属复合物130的示意图。如图2A所示，离子高分子金属复合物130包括二个金属层131、132和一离子交换膜(1n-exchange Membrane) 133。离子交换膜133设置于该等金属层131、132之间。在一些实施例中，该等金属层131、132以钼(Pt)、金(Au)、银(Ag)，或是其合金制成。在一些实施例中，该等金属层131、132以无电电镀法(Electroless Plating)附着于离子交换膜133上。离子交换膜133包括多个水分子(H2O) 136、多个阴离子(An1n) 134，以及多个阳离子(Cat1n) 135。在一些实施例中，该等阴离子134为多个氢氧根离子(0!Γ)。在一些实施例中，该等阳离子135为多个锂离子(Li+)或多个钠离子(Na+)。
[0044]图2Β是显示根据本发明一实施例所述的离子高分子金属复合物130其形变时的示意图。如图2Β所示，当一电位差VD施加于离子高分子金属复合物130时，金属层131具有一低电位，而金属层132具有一高电位。在此情况下，亲水性的该等阳离子135和该等水分子136将会往该低电位处移动，使得离子高分子金属复合物130整体产生形变并弯曲。更详细地说，离子高分子金属复合物130具有低电位的一侧会因弯曲而凸出，而离子高分子金属复合物130具有高电位的另一侧则因弯曲而凹陷。离子高分子金属复合物130的一弯曲程度是根据电位差VD而改变。举例来说，当电位差VD增加时，离子高分子金属复合物130的上下二端会更朝向该高电位处移动(亦即，该弯曲程度变得更显著)。反之，当电位差VD减少、消失，或甚至变为反向时，离子高分子金属复合物130的上下二端会朝向该低电位处移回(亦即，该弯曲程度变得较轻微)。在较佳实施例中，施加的电位差VD约为OV至3V，或是约为-3V至3V。通过调整电位差VD，可以轻易地控制离子高分子金属复合物130的该弯曲程度，使得离子高分子金属复合物130成为良好的一致动器。值得注意的是，本发明的离子高分子金属复合物130仅需3V或更小的电位差即可进行驱动，故其相较于传统致动器将显得更加省电。
[0045]图3Α是显示根据本发明一实施例所述的行动装置300其天线结构310操作于低频频带时的示意图。如图3Α所示，行动装置300的天线结构310包括一第一金属部311、一第二金属部312,以及一连接金属部313,其中第一金属部311 I禹接至一信号源120。在一些实施例中，第一金属部311和第二金属部312均大致为直条形,而连接金属部313的尺寸远小于第一金属部311和第二金属部312的尺寸。在其他实施例中，第一金属部311和第二金属部312的任一者亦可大致为其他形状，例如:一 U字形、一 L字形，或是一 S字形。行动装置300可以包括一或多个离子高分子金属复合物130，其用于控制天线结构310的连接金属部313的一连接状态。必须了解的是，虽然图3A中显示二个离子高分子金属复合物130，在其他实施例中，亦可仅用单一离子高分子金属复合物130来控制连接金属部313 (亦即，图3A中的另一离子高分子金属复合物130可以省略)。离子高分子金属复合物130的一弯曲程度可以根据一电位差而改变，使得连接金属部313可以动态选择性地耦接或不耦接第一金属部311至第二金属部312。更详细地说，离子高分子金属复合物130可以通过改变该弯曲程度来调整连接金属部313的位置，使得连接金属部313可以接触或是不接触第一金属部311和第二金属部312。在一些实施例中，行动装置300还可包括一绝缘层340，其设置于离子高分子金属复合物130和连接金属部313之间，以避免离子高分子金属复合物130直接接触天线结构310。绝缘层340可以是一刚性塑胶板或一玻璃板，其可以贴附于离子高分子金属复合物130的一表面和连接金属部313的一表面。绝缘层340用于防止离子高分子金属复合物130的一金属部分干扰天线结构310的辐射场型。在图3A的实施例中，连接金属部313耦接第一金属部311至第二金属部312，而天线结构310具有较长的有效共振路径并操作于一低频频带。
[0046]图3B是显示根据本发明一实施例所述的行动装置300其天线结构310操作于高频频带时的示意图。在图3B的实施例中，一电位差VD是施加于离子高分子金属复合物130。电位差VD可以由一处理器(未显示)根据一使用者输入信号或根据来自其他元件的一控制信号而产生。当离子高分子金属复合物130接收到电位差VD时，离子高分子金属复合物130的该弯曲程度会因实质形变而变得更加显著，使得连接金属部313远离第一金属部311和第二金属部312。由于连接金属部313不耦接第一金属部311至第二金属部312，故天线结构310将具有较短的有效共振路径并操作于一高频频带。值得注意的是，当电位差VD减少、消失，或甚至变为反向时，天线结构310即可切换回如图3A所示的一连接状态，并操作于一低频频带。
[0047]图3C是显示根据本发明一实施例所述的行动装置350的示意图。当一人体380 (例如:一头部或一手掌)接近行动装置350的天线结构310时，将会改变天线结构310的一共振长度及其辐射场型，使得天线结构310的辐射效能下降。为了解决前述问题，在图3C的实施例中，行动装置350还包括一感测器360和一处理器370。例如，感测器360可以是一近接感测器(Proximity Sensor, P-sensor)、一光感测器(Light Sensor)、一热感测器(Heat Sensor),或是一生物感测器(B1sensor)…等等。以近接感测器360为例,其用于侦测是否有人体380 (或一导体)接近天线结构310。更详细地说，近接感测器360设置于天线结构310附近，并用于侦测人体380和近接感测器360之间的一等效电容值。近接感测器360还根据该等效电容值产生一侦测信号SI。然后，处理器370根据侦测信号SI产生并控制施加于一或多个离子高分子金属复合物130的一电位差VD，以调整离子高分子金属复合物130的一形变状态。在一些实施例中，当人体380接近天线结构310时，离子高分子金属复合物130即控制连接金属部313不耦接第一金属部311至第二金属部312。在此情况下，天线结构310的一操作频带将会往高频移动，以抵消人体380接近的影响。反之，当人体380远离天线结构310时,离子高分子金属复合物130即控制连接金属部313稱接第一金属部311至第二金属部312。在此情况下，天线结构310的该操作频带会往低频移动，以抵消人体380远离的影响。通过以高分子金属复合物130调整天线结构310的该有效共振长度，天线结构310的一头手效应(Phantom Effect)(该头手效应代表人体接近时天线效率会降低的现象)可以有效地消除，从而改善行动装置350的通讯品质。图3C的行动装置350的其余特征皆与图3A、图3B的行动装置300相似，故这些实施例均可达成相似的操作效果。
[0048]图4是显示根据本发明一实施例所述的天线效率比较图，其中横轴代表操作频率(MHz)，而纵轴代表天线效率(dB)。为了彰显本发明的效果，以下举出四种例子来作说明。在一第一示例中，一行动装置的一天线结构原本是操作于一既定频带FBI。当该天线结构附近没有任何人体或导体时，该天线结构的一天线效率如一曲线CCl所示。在一第二示例中，当一人体或一导体接近该天线结构时，该天线结构于既定频带FBl内的该天线效率将会急速地下降。该第二示例的该天线效率如另一曲线CC2所示。在第三示例中，通过将一二极管加入该天线结构中来调整该天线结构的一有效共振长度，以抵消于该人体或该导体接近时所产生的一头手效应。该第三示例的该天线效率如一曲线CC3所示。在第四示例中，通过将一离子高分子金属复合物加入该天线结构中来调整该天线结构的该有效共振长度，以抵消于该人体或该导体接近时所产生的该头手效应。该第四示例的该天线效率如另一曲线CC4所示。根据图4的一实验结果可知，将一电子元件(例如:一二极管)加入该天线结构中的方法可以略为改善该头手效应。然而，与该电子元件相比，该离子高分子金属复合物可以更有效地解决该头手效应的问题，并提升该天线结构的该天线效率。如图4所示，相较于包括该二极管的该天线结构，包括该离子高分子金属复合物的该天线结构于既定频带FBl中的该天线效率提升了至少约3dB。这是由于作为一致动器的该离子高分子金属复合物所产生的损耗必然小于耦接该天线结构的该电子元件所产生的损耗所致。因此，本发明结合该离子高分子金属复合物的该天线结构可适合套用至其讲求良好通讯品质的各种行动装置中。
[0049]图5A是显示根据本发明一实施例所述的行动装置500其天线结构510操作于低频频带时的示意图。如图5A所示，行动装置500的天线结构510包括一第一金属部511和一第二金属部512,其中第一金属部511稱接至一信号源120。第一金属部511与第二金属部512分离,并邻近于第二金属部512。在一些实施例中,第一金属部511和第二金属部512均大致为直条形，而第一金属部511的尺寸小于第二金属部512的尺寸。在其他实施例中，第一金属部511和第二金属部512的任一者亦可大致为其他形状，例如:一 U字形、一 L字形，或是一 S字形。天线结构510可视为一稱合式馈入天线结构(Coupled-fed AntennaStructure),而第一金属部511和第二金属部512之间可形成一f禹合间隙(Coupling Gap)。行动装置500可以包括一或多个离子高分子金属复合物130。离子高分子金属复合物130的一弯曲程度可以根据一电位差而改变，以调整第一金属部511和第二金属部512之间的该耦合间隙。更详细地说，离子高分子金属复合物130可以通过改变该弯曲程度来移动第一金属部511，以调整该耦合间隙。必须了解的是，虽然图5A中仅显示单一离子高分子金属复合物130，在其他实施例中，亦可用二个以上的离子高分子金属复合物130来控制第一金属部511。在一些实施例中，行动装置500还可包括一绝缘层540而形成一悬臂,其中绝缘层540设置于离子高分子金属复合物130和第一金属部511之间，以避免离子高分子金属复合物130直接接触天线结构510。绝缘层540可以是一刚性塑胶板或一玻璃板,其可以贴附于离子高分子金属复合物130的一表面和第一金属部511的一表面。绝缘层540用于防止离子高分子金属复合物130的一金属部分干扰天线结构510的辐射场型。在图5A的实施例中，第一金属部511和第二金属部512之间的该耦合间隙相对地缩小(例如:成为较小的一稱合间隙Gl)。在此情况下,第一金属部511和第二金属部512之间的一电容值将相对地增加，使得天线结构510具有较长的有效共振路径并操作于一低频频带，其中该有效共振路径包括第一金属部511与第二金属部512两者。
[0050]图5B是显示根据本发明一实施例所述的行动装置500其天线结构510操作于高频频带时的示意图。在图5B的实施例中，一电位差VD施加于离子高分子金属复合物130。电位差VD可以由一处理器(未显示)根据一使用者输入信号或根据来自其他元件(未显示)的一控制信号而产生。当离子高分子金属复合物130接收到电位差VD时，离子高分子金属复合物130的该弯曲程度会因实质形变而变得更加显著，使得第一金属部511远离第二金属部512。由于第一金属部511和第二金属部512之间的该稱合间隙相对地扩大(例如:成为较大的一稱合间隙G2),故第一金属部511和第二金属部512之间的该电容值将相对地减少，使得天线结构510具有较短的有效共振路径并操作于一高频频带，其中该有效共振路径仅包括第一金属部511。值得注意的是，当电位差VD减少、消失，或甚至变为反向时，天线结构510即可切换回如图5A所示的一耦合状态，并操作于一低频频带。在较佳实施例中，该低频频带约介于704MHz至746MHz之间，而该高频频带约介于894MHz至960MHz之间。在一些实施例中，行动装置500还可包括一非导体外壳(未显示)。第一金属部511可以设置于该非导体外壳内，而该非导体外壳可以配置于第一金属部511和第二金属部512之间，以分离第一金属部511和第二金属部512。在一些实施例中，第二金属部512可以通过雷雕制作工艺(Laser Direct Structuring, LDS)而图案化于该非导体外壳上。该非导体外壳用于限制其内的第一金属部511的一移动范围，以有效地限制第一金属部511和第二金属部512之间的耦合间隙。在一些实施例中，行动装置500还可包括一感测器和一处理器(未显示)。例如，该感测器可以是一近接感测器、一光感测器、一热感测器，或是一生物感测器…等等。以该近接感测器为例，其用于侦测是否有一人体(未显示)接近天线结构510，并据以产生一侦测信号。该处理器根据该侦测信号，产生并控制施加于离子高分子金属复合物130的电位差VD。在一些实施例中，当该人体接近天线结构510时，第一金属部511和第二金属部512之间的该耦合间隙即扩大。当该人体远离天线结构510时，第一金属部511和第二金属部512之间的该耦合间隙即缩小。通过以离子高分子金属复合物130调整天线结构510的一有效共振长度，天线结构510的一头手效应可以有效地消除，从而改善行动装置500的通讯品质。图5A、图5B的行动装置500的其余特征皆与图3A、图3B、图3C的行动装置300、350相似，故这些实施例均可达成相似的操作效果。
[0051]图6A是显示根据本发明一实施例所述的行动装置600其天线结构610操作于低频频带时的示意图。如图6A所示，行动装置600的天线结构610包括一第一金属部611和一第二金属部612，其中第一金属部611耦接至一信号源120。在一些实施例中，第一金属部611和第二金属部612均大致为直条形,而第一金属部611的尺寸大致等于第二金属部612的尺寸。在其他实施例中，第一金属部611和第二金属部612的任一者亦可大致为其他形状，例如:一 U字形、一 L字形，或是一 S字形。行动装置600可以包括一或多个离子高分子金属复合物130。离子高分子金属复合物130的一弯曲程度可以根据一电位差而改变，使得第一金属部611可以动态选择性地接触或不接触第二金属部612。更详细地说，离子高分子金属复合物130可以通过改变该弯曲程度来移动第一金属部611或(且)第二金属部612，使得第一金属部611和第二金属部612彼此互相接近或是远离。必须了解的是，虽然图6A中显示二个离子高分子金属复合物130其分别控制第一金属部611和第二金属部612，在其他实施例中，亦可仅用单一离子高分子金属复合物130来控制第一金属部611或是第二金属部612两者其中之一(亦即，图6A中的另一离子高分子金属复合物130可以省略)。在一些实施例中，行动装置600还可包括一或多个绝缘层640而形成一悬臂，其中该等绝缘层640设置于离子高分子金属复合物130和第一金属部611之间，或(且)设置于离子高分子金属复合物130和第二金属部612之间，以避免离子高分子金属复合物130直接接触天线结构610。绝缘层640可以是一刚性塑胶板或一玻璃板，其可以贴附于离子高分子金属复合物130的一表面和第一金属部611的一表面,或(且)可以贴附于离子高分子金属复合物130的一表面和第二金属部612的一表面。绝缘层640用于防止离子高分子金属复合物130的一金属部分干扰天线结构610的辐射场型。在图6A的实施例中，第一金属部611接触第二金属部612，而天线结构610具有一较长的有效共振路径并操作于一低频频带。
[0052]图6B是显示根据本发明一实施例所述的行动装置600其天线结构610操作于高频频带时的示意图。在图6B的实施例中，一电位差VD施加于离子高分子金属复合物130。电位差VD可以由一处理器(未显示)根据一使用者输入信号或根据来自其他元件(未显示)的一控制信号而产生。当离子高分子金属复合物130接收到电位差VD时，离子高分子金属复合物130的该弯曲程度会因实质形变而变得更加显著，使得第一金属部611远离第二金属部612。由于第一金属部611不接触第二金属部612，故天线结构610具有较短的有效共振路径并操作于一高频频带。值得注意的是，当电位差VD减少、消失，或甚至变为反向时，天线结构610即可切换回如图6A所示的一连接状态，并操作于一低频频带。在较佳实施例中，该低频频带约介于704MHz至746MHz之间,而该高频频带约介于894MHz至960MHz之间。在一些实施例中，行动装置600还可包括一感测器和一处理器(未显不)。例如，该感测器可以是一近接感测器、一光感测器、一热感测器，或是一生物感测器…等等。以该近接感测器为例，其用于侦测是否有一人体(未显示)接近天线结构610，并据以产生一侦测信号。该处理器根据该侦测信号，产生并控制施加于离子高分子金属复合物130的电位差VD。在一些实施例中，当该人体接近天线结构610时,第一金属部611即不接触第二金属部612。当该人体远离天线结构610时，第一金属部611即接触第二金属部612。通过以离子高分子金属复合物130调整天线结构610的一共振长度，天线结构610的一头手效应可以有效地消除，从而改善行动装置600的通讯品质。图6A、图6B的行动装置600的其余特征皆与图3A、图3B、图3C的行动装置300、350相似，故这些实施例均可达成相似的操作效果。
[0053]在图3A-3C、图5A-5B、图6A-6B的实施例中，前述的天线结构于无任何电位差施加于离子高分子金属复合物130时产生一低频频带,而于有一电位差施加于离子高分子金属复合物130时产生一高频频带。然而，本发明并不限于此。在一些实施例中，前述的天线结构亦可于有一电位差施加于离子高分子金属复合物130时产生一低频频带,而于该电位差减少、消失，或甚至变为反向时产生一高频频带。在一些实施例中，前述的天线结构亦可于有一电位差施加于离子高分子金属复合物130时产生一高频频带，而于该电位差减少、消失，或甚至变为反向时产生一低频频带。亦即，关于前述的电位差的正负极方向可以根据不同设计需求而改变。
[0054]图7是显示根据本发明一实施例所述的天线频带的控制方法的流程图。该控制方法适用于一行动装置，并至少包括下列步骤。一开始，在步骤S710，提供一天线结构和一离子高分子金属复合物(1nic Polymer Metal Composite, IPMC)。然后,在步骤S720,将该离子高分子金属复合物作为可弯曲与形变的一致动器(Actuator)。最后，在步骤S730，通过该离子高分子金属复合物，调整该天线结构的一共振长度，使得该天线结构操作于多重频带。值得注意的是，图1-图6的实施例的任何一或多项特征均可套用至图7的该控制方法中，故在此不再重复说明。
[0055]以上所述的元件尺寸、元件形状、元件参数，以及频率范围仅为举例，并非用于限制本发明。设计者可根据不同需求调整这些设定值。
[0056]在本说明书以及权利要求书中的序数，例如「第一」、「第二」、「第三」等等，彼此之间并没有顺序上的先后关系，其仅用于标示区分两个具有相同名字的不同元件。
[0057]本发明虽以较佳实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。
【权利要求】
1.一种行动装置，包括: 天线结构； 信号源，用于激发该天线结构；以及 离子高分子金属复合物(1nic Polymer Metal Composite, IPMC),其中该离子高分子金属复合物为可弯曲的一致动器，并用于调整该天线结构的一共振长度，使得该天线结构操作于多重频带。
2.如权利要求1所述的行动装置，其中该离子高分子金属复合物包括二金属层和一离子交换膜，该离子交换膜设置于该二金属层之间，该二金属层以无电电镀法附着于该离子交换膜上，而该离子交换膜包括多个水分子、多个阴离子，以及多个阳离子。
3.如权利要求1所述的行动装置，其中该天线结构包括第一金属部、第二金属部，以及连接金属部，其中该第一金属部耦接至该信号源，而该离子高分子金属复合物的一弯曲程度根据一电位差而改变，使得该连接金属部选择性地耦接或不耦接该第一金属部至该第二金属部。
4.如权利要求3所述的行动装置，其中该离子高分子金属复合物通过改变该弯曲程度来移动该连接金属部。
5.如权利要求3所述的行动装置，其中当该连接金属部耦接该第一金属部至该第二金属部时，该天线结构操作于一低频频带，而其中当该连接金属部不耦接该第一金属部至该第二金属部时，该天线结构操作于一高频频带。
6.如权利要求3所述的行动装置，还包括: 绝缘层，设置于该离子高分子金属复合物和该连接金属部之间，以避免该离子高分子金属复合物直接接触该天线结构。
7.如权利要求3所述的行动装置，还包括: 感测器，用于侦测是否有一人体接近该天线结构，并据以产生一侦测信号；以及 处理器，根据该侦测信号，产生并控制施加于该离子高分子金属复合物的该电位差。
8.如权利要求7所述的行动装置，其中当该人体接近该天线结构时，该连接金属部不耦接该第一金属部至该第二金属部，而其中当该人体远离该天线结构时，该连接金属部耦接该第一金属部至该第二金属部。
9.如权利要求1所述的行动装置，其中该天线结构包括第一金属部和第二金属部，其中该第一金属部耦接至该信号源，该第一金属部与该第二金属部分离并邻近于该第二金属部，而该离子高分子金属复合物的一弯曲程度根据一电位差而改变，以调整该第一金属部和该第二金属部之间的一稱合间隙。
10.如权利要求9所述的行动装置，其中该离子高分子金属复合物通过改变该弯曲程度来移动该第一金属部。
11.如权利要求9所述的行动装置，其中当该耦合间隙缩小时，该天线结构操作于一低频频带，而其中当该稱合间隙扩大时，该天线结构操作于一高频频带。
12.如权利要求9所述的行动装置，还包括: 感测器，用于侦测是否有一人体接近该天线结构，并据以产生一侦测信号；以及 处理器，根据该侦测信号，产生并控制施加于该离子高分子金属复合物的该电位差。
13.如权利要求12所述的行动装置，其中当该人体接近该天线结构时，该耦合间隙扩大，而其中当该人体远离该天线结构时，该耦合间隙缩小。
14.如权利要求1所述的行动装置，其中该天线结构包括第一金属部和第二金属部，其中该第一金属部耦接至该信号源，而该离子高分子金属复合物的一弯曲程度根据一电位差而改变，使得该第一金属部选择性地接触或不接触该第二金属部。
15.如权利要求14所述的行动装置，其中该离子高分子金属复合物通过改变该弯曲程度来移动该第一金属部或(且)该第二金属部。
16.如权利要求14所述的行动装置，其中当该第一金属部接触该第二金属部时，该天线结构操作于一低频频带，而其中当该第一金属部不接触该第二金属部时，该天线结构操作于一高频频带。
17.如权利要求14所述的行动装置，还包括: 感测器，用于侦测是否有一人体接近该天线结构，并据以产生一侦测信号；以及 处理器，根据该侦测信号，产生并控制施加于该离子高分子金属复合物的该电位差。
18.如权利要求17所述的行动装置，其中当该人体接近该天线结构时，该第一金属部不接触该第二金属部，而其中当该人体远离该天线结构时，该第一金属部接触该第二金属部。
19.一种天线频带的控制方法，适用于一行动装置，包括下列步骤: 提供一天线结构和一离子高分子金属复合物(1nic Polymer Metal Composite,IPMC)； 将该离子高分子金属复合物作为可弯曲的一致动器；以及 通过该离子高分子金属复合物，调整该天线结构的一共振长度，使得该天线结构操作于多重频带。
【文档编号】H01Q1/36GK104466358SQ201310554686
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2013年11月8日 优先权日:2013年9月18日
【发明者】陈建志, 苏国栋, 郭彦良, 陈万明, 曾俊维 申请人:宏达国际电子股份有限公司