一种促进植物生长的紫外发光二极管的制作方法
【专利摘要】一种促进植物生长的紫外发光二极管，包括底座、紫外发光二极管芯片、紫外发光二极管芯片上的发光层、封装层，所述紫外发光二极管芯片上的发光层由高纯无机纳米发光材料、稀土蓝色荧光粉和稀土红色荧光粉混合组成，所述封装层由封装胶和无机纳米粉体混合组成，并涂覆于紫外发光二极管芯片上的发光层上。紫外发光二极管芯片上的发光层以紫外光源作为激发源主体，可以有效增强发光强度，提高发光效率，激发高纯无机纳米发光材料、稀土蓝色荧光粉和稀土红色荧光粉，可以使得发光更加充分均匀；封装层中混合有紫外屏蔽能力无机纳米粉体可以吸收多余的紫外光而发出较长波长的蓝光，在保证红蓝光通过的前提下，有效屏蔽紫外线，减少对植物的伤害。
【专利说明】一种促进植物生长的紫外发光二极管
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光二极管，特别涉及一种促进植物生长的紫外发光二极管。
【背景技术】
[0002]近年来，人工光源已经越来越广泛地应用到植物培养当中。研究发现，叶绿素与类胡萝卜素对400-520 nm的蓝光吸收比例最大，610-720 nm的红光对植物光合作用的贡献最大，特别是波长范围为500-600 nm的蓝光和600-700 nm的红光，是使光合作用效率达到最高的波段。
[0003]白炽灯、荧光灯、高压钠灯是常用的几种用于植物培养的人工光源，然而它们都具有一定的不完善之处，限制了大范围应用。具体来说，白炽灯的发光效率不高，照射植物时会产生大量热量，容易灼伤植物。荧光灯较白炽灯而言较为节能，但寿命短，其使用的材料对环境会造成污染。此外，荧光灯与白炽灯都不是平面光源，存在照射不均匀的问题。高压钠灯的照射强度大，照射面积广，但功耗大、寿命短、发热量大，严重制约了其在植物培养领域中的应用。
[0004]发光二极管(Light Emitting Diode,LED)具有体积小、寿命长、驱动电压低、反应速度快、耐震、耐热等特性，因而在应用于促进植物生长的人造光源领域得到了越来越多的关注。为了使植物能够同时获得蓝色光和红色光，以往采用混合多个红色LED和蓝色LED的方法，但由于红色LED和蓝色LED的效率不同，要获得特定红蓝光比例的光照，就要将一个蓝色LED周围配备多个红色LED，这样就造成了混色不均匀的情况，不利于最大程度地提高植物光合作用的效率。蓝色LED作为激发源时，受荧光粉厚度影响较大，而且由于蓝光激发型荧光粉需要在460 nm左右有较强的吸收，符合这一条件的材料相对较少。
[0005]另一方面，红绿蓝色荧光粉发光颜色会随着温度、驱动电压和荧光粉涂层厚度的变化而变化。紫外LED的出现，为LED用荧光粉提供了新的发展空间。可被紫外光有效激发的高效荧光体种类繁多，如硅酸盐、硫氧化物、磷酸盐、钒酸盐、硼酸盐、铝酸盐等。而且以这些材料为基础的高纯无机纳米发光材料在紫外光的激发下发出近紫外光，不利于植物的生长。
【发明内容】
[0006]本发明针对现有技术的不足之处提供了一种促进植物生长的紫外发光二极管，通过使用紫外发光二极管芯片作为光源主体，配合高纯无机纳米发光材料，使其能够充分激发稀土蓝色荧光粉和稀土红色荧光粉，发出强度大而均匀且有利于植物生长的光，提高植物的生长效率；通过改变封装层的成分，实现吸收屏蔽多余紫外光的功能，促进植物生长的同时保护植物免遭紫外线损害。
[0007]为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是:
一种促进植物生长的紫外发光二极管，包括底座、紫外发光二极管芯片、紫外发光二极管芯片上的发光层、封装层，其特征在于:所述紫外发光二极管芯片上的发光层由高纯无机纳米发光材料、稀土蓝色荧光粉和稀土红色荧光粉混合组成，所述封装层由封装胶和无机纳米粉体混合组成，并涂覆于紫外发光二极管芯片上的发光层之上。
[0008]作为优选，所述高纯无机纳米发光材料包括硫化物、氧化物、氟化物、磷酸盐、钒酸盐、铌酸盐、铝酸盐和钥酸盐的一种，所述硫化物为硫化锌、硫化镧、硫化钙、硫化铈、硫化镨、硫化钕、硫化钐或硫化钆；所述氧化物为氧化锌、氧化钇、氧化钛、氧化钆或氧化镥；所述氟化物为氟化钇、氟化钆、氟化镧或氟化铈；所述磷酸盐为磷酸镧、磷酸钆、磷酸锶、磷酸钇或磷酸钡；所述钒酸盐为钒酸钆、钒酸钇、钒酸镧、钒酸铈、钒酸钙、钒酸铅或钒酸锶；所述铌酸盐为铌酸钙、铌酸钇、铌酸钆或铌酸镥；所述铝酸盐为铝酸钇、铝酸钡、铝酸钆、铝酸钙或铝酸锶；所述钥酸盐为钥酸镧、钥酸锶或钥酸钡。
[0009]作为优选，所述高纯无机纳米发光材料结构包括纳米颗粒、纳米棒、纳米管、纳米线和纳米花中的一种或多种结构，具有明显的紫外或近紫外发射峰。
[0010]作为优选，所述无机纳米粉体为氧化锌超细纳米颗粒、二氧化钛超细纳米颗粒、二氧化硅超细纳米颗粒或氧化铁超细纳米颗粒的一种或多种的混合体。
[0011]作为优选，所述无机纳米粉体的粒径为100-200 nm。
[0012]作为优选，所述无机纳米粉体在封装层中所占质量比为5-15 %。
[0013]作为优选，所述稀土蓝色荧光粉为发射峰值为400-500 nm的氯磷酸盐、铝酸盐或氮化物荧光粉的一种或多种组合，所述稀土红色荧光粉为发射峰值为600-700 nm的氮化物或硫化物荧光粉的一种或两种组合。
[0014]作为优选，所述高纯无机纳米发光材料与稀土蓝色荧光粉、稀土红色荧光粉的总摩尔比为1:10，所述稀土蓝色荧光粉和稀土红色荧光粉的摩尔比为1.5-3:1。
[0015]与现有技术相比，本发明的优点在于:
一、紫外发光二极管芯片上的发光层以紫外光源作为激发源主体，可以有效增强发光强度，提高发光效率，激发高纯无机纳米发光材料、稀土蓝色荧光粉和稀土红色荧光粉，使得其发光更加充分均匀；
二、封装层中混合有紫外屏蔽能力无机纳米粉体可以吸收多余的紫外光而发出较长波长的蓝光，在保证红蓝光通过的前提下，有效屏蔽紫外线，减少对植物的伤害；
三、无机纳米粉体与封装胶交联后具有致密的结构可以有效地隔绝水、氧对荧光粉体的侵蚀；
发光以稀土蓝色荧光粉与稀土红色荧光粉为主，无机纳米粉体为辅，可以获得有利于植物光合作用的光波段，可广泛应用于植物育苗、叶菜栽培、花卉生产等方面。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是本发明的发光二极管的示意图；
图2是本发明实施例1的发光光谱图；
图3是本发明实施例2的发光光谱图；
图中:1_底座，2-紫外发光二极管芯片，3-紫外发光二极管芯片上的发光层，4-封装层。
【具体实施方式】[0017]下面结合附图对本发明作进一步说明。
[0018]参照图1，本发明的一种促进植物生长的紫外发光二极管，包括底座1、紫外发光二极管芯片2、封装层4，由高纯无机纳米发光材料、稀土蓝色荧光粉和稀土红色荧光粉混合组成的紫外发光二极管芯片上的发光层3，所述封装层4由封装胶和无机纳米粉体混合组成，并涂覆于紫外发光二极管芯片上的发光层3上，在高纯无机纳米发光材料的作用下，稀土蓝色荧光粉和稀土红色荧光粉充分受激发光，在封装层的紫外屏蔽作用下，发出的光能促进植物生长，并且均匀柔和，最大程度上提高植物生长的效率。
[0019]底座I为发光二极管的依托,它有良好的化学稳定性和热稳定性，良好的导电性和导热性。
[0020]紫外发光二极管芯片2作为激发荧光粉体发光的光源，它有较好的光功率以及发光波长与荧光材料有很好的匹配。
[0021]紫外发光二极管芯片上的发光层3将紫外发光二极管2包覆，封装层4将紫外发光二极管芯片上的发光层3与紫外发光二极管芯片2包覆，封装胶、高纯无机纳米发光材料和无机纳米粉体均具有较高的透光性，在不同环境下有良好的稳定性。
[0022]所述稀土蓝色荧光粉为发射峰值为400-500 nm的氯磷酸盐、铝酸盐或氮化物荧光粉的一种或多种组合，所述稀土红色荧光粉为发射峰值为600-700 nm的氮化物或硫化物荧光粉的一种或两种组合。
[0023]以下是本发明的具体实施例:
实施例1:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有氯磷酸盐蓝色荧光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物红色荧光粉[Sr2Si5N8/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为1.5:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米花，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为150 nm氧化锌纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为10 %。
[0024]实施例2:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有氯磷酸盐蓝色荧光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物红色荧光粉[CaAlSiN3/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为1.8:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米花，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为150 nm氧化锌纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为10 %。
[0025]实施例3:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有氯磷酸盐蓝色荧光粉[Ba5 (PO4)3CVEu],氮化物红色荧光粉[SrAlSiN3/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为2.1:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米花，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为150 nm氧化锌纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为10 %。
[0026]实施例4:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有铝酸盐蓝色荧光粉[BaMgAl 1(l017/Eu]，氮化物红色荧光粉[Ca2Si5N8/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为2.5:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米花，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为150 nm氧化锌纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为10 %。
[0027]实施例5:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有铝酸盐蓝色荧光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物红色荧光粉[CaS/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为2.8:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米花，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1: 10，所述无机纳米粉体选用粒径为150 nm氧化锌纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为10 %。
[0028]实施例6:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有铝酸盐蓝色荧光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物红色荧光粉[La202S/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为3:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米花，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为150 nm氧化锌纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为10 %。
[0029]实施例7:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有氯磷酸盐蓝色荧光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物红色荧光粉[Sr2Si具/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为1.5:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米花，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为100 nm 二氧化钛纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为15 %。
[0030]实施例8:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有氯磷酸盐蓝色荧光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物红色荧光粉[CaAlSiN3/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为1.8:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米花，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为100 nm 二氧化钛纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为15 %。
[0031]实施例9:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有氯磷酸盐蓝色荧光粉[Ba5 (PO4)3CVEu],氮化物红色荧光粉[SrAlSiN3/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为2.1:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米花，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为100 nm 二氧化钛纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为15 %。
[0032]实施例10:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有铝酸盐蓝色荧光粉[BaMgAl 1(l017/Eu]，氮化物红色荧光粉[Ca2Si5N8/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为2.5:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米花，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为100 nm 二氧化钛纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为15 %。[0033]实施例11:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有铝酸盐蓝色荧光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物红色荧光粉[CaS/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为2.8:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米花，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1: 10，所述无机纳米粉体选用粒径为100 nm 二氧化钛纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为15 %。
[0034]实施例12:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有铝酸盐蓝色荧光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物红色荧光粉[La202S/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为3:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米花，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为100 nm 二氧化钛纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为15 %。
[0035]实施例13:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有氯磷酸盐蓝色荧光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物红色荧光粉[Sr2Si5N8/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为1.5:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米棒，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为200 nm氧化铁纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为5 %。
[0036]实施例14:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有氯磷酸盐蓝色荧光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物红色荧光粉[CaAlSiN3/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为1.8:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米棒，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为200 nm氧化铁纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为5 %。
[0037]实施例15:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有氯磷酸盐蓝色荧光粉[Ba5 (PO4)3CVEu],氮化物红色荧光粉[SrAlSiN3/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为2.1:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米棒，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为200 nm氧化铁纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为5 %。
[0038]实施例16:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有铝酸盐蓝色荧光粉[BaMgAl 1(l017/Eu]，氮化物红色荧光粉[Ca2Si5N8/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为2.5:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米棒，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为200 nm氧化铁纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为5 %。
[0039]实施例17:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有铝酸盐蓝色荧光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物红色荧光粉[CaS/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为2.8:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米棒，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1: 10，所述无机纳米粉体选用粒径为200 nm氧化铁纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为5 %。
[0040]实施例18:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有铝酸盐蓝色荧光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物红色荧光粉[La202S/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为3:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米棒，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为200 nm氧化铁纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为5 %。
[0041]实施例19:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有氯磷酸盐蓝色荧光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物红色荧光粉[Sr2Si具/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为1.5:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米棒，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为100 nm 二氧化钛纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为15 %。
[0042]实施例20:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有氯磷酸盐蓝色荧光粉[Ca5 (PO4)3CVEu],氮化物红色荧光粉[CaAlSiN3/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为1.8:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米棒，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为100 nm 二氧化钛纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为15 %。
[0043]实施例21:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有氯磷酸盐蓝色荧光粉[Ba5 (PO4)3CVEu],氮化物红色荧光粉[SrAlSiN3/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为2.1:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米棒，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为100 nm 二氧化钛纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为15 %。
[0044]实施例22:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有铝酸盐蓝色荧光粉[BaMgAl 1(l017/Eu]，氮化物红色荧光粉[Ca2Si5N8/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为2.5:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米棒，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为100 nm 二氧化钛纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为15 %。
[0045]实施例23:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有铝酸盐蓝色荧光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物红色荧光粉[CaS/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为2.8:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米棒，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1: 10，所述无机纳米粉体选用粒径为100 nm 二氧化钛纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为15 %。[0046]实施例24:
如图2、3所示的荧光粉体使用示意图，采用紫外发光二极管芯片2作为激发光源，紫外发光二极管芯片上的发光层3内掺有铝酸盐蓝色荧光粉[SrMgAl 1(l017/Eu]，硫化物红色荧光粉[La202S/Eu]，所述蓝色荧光粉和红色荧光粉的摩尔比为3:1，所述高纯无机纳米发光材料采用氧化锌纳米棒，与紫外发光二极管芯片上的发光层3的总摩尔比为1:10，所述无机纳米粉体选用粒径为100 nm 二氧化钛纳米颗粒，在封装层4中所占质量比为15 %。
[0047]本发明实施例为较佳实施方式，但其具体实施并不限于此，本领域的普通技术人员极易根据上述实施例，领会本发明的精神，并做出不同的引申和变化，只要不脱离本发明，都属本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种促进植物生长的紫外发光二极管，包括底座、紫外发光二极管芯片、紫外发光二极管芯片上的发光层、封装层，其特征在于:所述紫外发光二极管芯片上的发光层由高纯无机纳米发光材料、稀土蓝色荧光粉和稀土红色荧光粉混合组成，所述封装层由封装胶和无机纳米粉体混合组成，并涂覆于紫外发光二极管芯片上的发光层之上。
2.根据权利要求1所述的一种促进植物生长的紫外发光二极管，其特征在于:所述高纯无机纳米发光材料包括硫化物、氧化物、氟化物、磷酸盐、钒酸盐、铌酸盐、铝酸盐和钥酸盐；所述硫化物包括硫化锋、硫化俩、硫化韩、硫化铺、硫化谱、硫化钦、硫化紅和硫化,L ；所述氧化物包括氧化锌、氧化钇、氧化钛、氧化钆和氧化镥；所述氟化物包括氟化钇、氟化钆、氟化镧和氟化铈；所述磷酸盐包括磷酸镧、磷酸钆、磷酸锶、磷酸钇和磷酸钡；所述钒酸盐包括钒酸钆、钒酸钇、钒酸镧、钒酸铈、钒酸钙、钒酸铅和钒酸锶；所述铌酸盐包括铌酸钙、铌酸钇、铌酸钆和铌酸镥；所述铝酸盐包括铝酸钇、铝酸钡、铝酸钆、铝酸钙和铝酸锶；所述钥酸盐包括钥酸镧、钥酸锶和钥酸钡。
3.根据权利要求1所述的一种促进植物生长的紫外发光二极管，其特征在于:所述高纯无机纳米发光材料结构包括纳米颗粒、纳米棒、纳米管、纳米线和纳米花中的一种或多种结构，具有明显的紫外或近紫外发射峰。
4.根据权利要求1所述的一种促进植物生长的紫外发光二极管，其特征在于:所述无机纳米粉体为氧化锌超细纳米颗粒、二氧化钛超细纳米颗粒、二氧化硅超细纳米颗粒或氧化铁超细纳米颗粒的一种或多种的混合体。
5.根据权利要求1所述的一种促进植物生长的紫外发光二极管，其特征在于:所述无机纳米粉体的粒径为100-200 nm。
6.根据权利要求1所述的一种促进植物生长的紫外发光二极管，其特征在于:所述无机纳米粉体在封装层中所占质量比为5-15 %。
7.根据权利要求1所述的一种促进植物生长的紫外发光二极管，其特征在于:所述稀土蓝色荧光粉为发射峰值为400-500 nm的氯磷酸盐、铝酸盐或氮化物荧光粉的一种或多种组合，所述稀土红色荧光粉为发射峰值为600-700 nm的氮化物或硫化物荧光粉的一种或两种组合。
8.根据权利要求1所述的一种促进植物生长的紫外发光二极管，其特征在于:所述高纯无机纳米发光材料与稀土蓝色荧光粉、稀土红色荧光粉的总摩尔比为1:10，所述稀土蓝色荧光粉和稀土红色荧光粉的摩尔比为1.5-3:1。
【文档编号】H01L33/56GK103560201SQ201310583641
【公开日】2014年2月5日 申请日期:2013年11月20日 优先权日:2013年11月20日
【发明者】于军胜, 王煦, 韩世蛟, 王晓 申请人:电子科技大学