一种led标准方片及其制作方法
【专利摘要】本发明提供一种LED标准方片及其制作方法，该标准方片包括胶膜，胶膜上设置多个晶粒，所述晶粒选自具有相同衬底、相同磊晶工艺的外延结构、相同芯片制造工艺的LED晶圆片，所述LED晶圆片的波长的标准差6≥λstd≥3、光强IV标准差IVstd≤8；所述多个晶粒划分为n个BIN，按照以下分组规则对n个BIN进行分组：至少1个BIN构成一组BIN，构成该组BIN的任意晶粒的光强符合范围IV.avg×(0.95～1.10)。本发明提升了LED晶圆片测试机校正的精准度和可靠度，同时在一定程度上改善了测试机校正或监控作业的效果、效率和成本。
【专利说明】一种LED标准方片及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明属于LED芯片制造领域，特别是涉及一种LED标准方片及其制作方法。
【背景技术】
[0002]在LED芯片制造领域中，通常会采用品质优良的LED晶圆片或LED封装器件对测试机进行一致性校正和稳定性监控，确认机台状况良好之后再投入LED量产晶圆片测试。而目前LED晶圆片测试机校正或监控的做法是，用同一张或几张LED晶圆片或一套LED封装器件来校正各测试机与标准测试机之间的一致性。但单张LED晶圆片用作校正或监控件难以覆盖到的全波长段，造成部分波长段未校正，且因不同光强的晶粒校正得出的系数也会不同，所以光强集中性差亦会造成校正系数离散、校正准确度差。同时在机台校正或监控时，若采用多张LED晶圆片作为校正或监控件，通过对其Mapping测试若干排晶粒的做法，不仅难以克服上述光强集中性差的问题，同时会增加切换校正或监控件带来测试作业手法的误差。若对该校正或监控件采用固定间隔晶粒的方式抽测，则不但会与LED量产晶圆片采用的Mapping全测存在方式上的差异而引起误差，而且多数晶粒会因被探测多次而导致电极上针痕粗大的问题，在后制程中不易被集中起来挑除导致分选时混至良品中，从而造成生产制程的其他异常问题，并且同样无法规避上述光强集中性差的问题。若采用LED封装器件作为校正或监控件，非但制作成本较高，亦会存在光衰，特别是使用时定位一致性差使发光角度偏移引起误差、而且只能通过人工逐颗定位测试，效率极低，同时，它与LED量产晶圆片存在形态上的差异亦会引起误差。因此迫切需要有一种新的完全可靠的测试机校正、监控件的出现。
【发明内容】
[0003]本发明提供的一种LED标准方片及其制作方法，提升了 LED晶圆片测试机校正的精准度和可靠度，同时在一定程度上改善了测试机校正或监控作业的效果、效率和成本。
[0004]本发明的第一种技术解决方案是:
[0005]一种LED标准方片，其特殊之处在于:包括胶膜，胶膜上设置多个晶粒，所述晶粒选自具有相同衬底、相同磊晶工艺的外延结构、相同芯片制造工艺的LED晶圆片，所述LED晶圆片的波长的标准差6 3 λ std ^ 3、光强IV标准差IVstd ( 8 ;所述晶粒的漏电流Ir的最大值均相等、顺向电压Vf的最小值均相等、顺向电压Vf的最大值均相等；
[0006]所述多个晶粒按波长划分为η个BIN，分别为BIN1、BIN2、...、BINn，n为大于或等于10的自然数且小于或等于分选设备最大可分类数；BIN1、BIN2、…、BINn在胶膜上由左向右依次排布，每个BIN有I列Μ排；
[0007]ΒΙΝ1中任意晶粒的波长为λ 1，ΒΙΝ2中任意晶粒的波长为λ 2，…、BINn中任意晶粒的波长为λ η ；
[0008]λ 1、λ 2、…、λ η符合以下条件:
[0009]χ < λ 1 < x+a, x+a < λ 2 < x+2a,..., x+(n_l)a < λη < x+na,[0010]其中，445nm≤ x ≤450nm, 0.lnm ≤a ≤ 2.0nm ；
[0011]按照以下分组规则对n个BIN进行分组:至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；
[0012]IV1、IV2、…、IVt符合以下条件:
[0013]IV1.avgX0.95 ≤ IV1 < IV1.avgX 1.10, IV2.avgX0.95 ≤IV2 < IV2.avgX 1.10,…、IVt.avgX0.95 ≤ IVt < IVt.avgX 1.10 ；
[0014]其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，ivt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值；
[0015]各个BIN排布的最大列数Imax =分选设备置晶行程/Bw/n、排布的最大排数Mmax=分选设备置晶行程/B1 ;Bw为标准方片横向上相邻的两个晶粒同一侧长边的间距，B1为标准方片纵向上相邻的两个晶粒同一侧短边的间距。
[0016]上述a = 1.0nm。
[0017]上述晶粒的形状是长方形，在所述胶膜上，每个晶粒的两个长边位于左右两侧，两个短边位于上下两侧。
[0018]上述n = 30 ;该30个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值为luA~2uA、晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值分别为2.8V~3.0V和3.2V~3.4V ;
[0019]所述BIN1中λ 1的最小值为445nm、λ 1的最大值为445.9nm，自BIN1起，每个BIN中波长的最小值和最大值均按照等差1.0nm方式递增。
[0020]上述30个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值为luA、晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值分别为2.8V和3.2V ；
[0021]所述分组规则是指:设BIN1至BIN5为第一组BIN，第一组BIN中晶粒的光强的最小值为80mcd、最大值为90mcd,各组BIN中晶粒的光强的最小值和最大值均按照等差lOmcd的方式递增。
[0022]本发明的第二种技术解决方案是:
[0023]LED标准方片的制作方法，其特殊之处在于:包括以下步骤:
[0024]1】挑选LED晶圆片:
[0025]从Mapping全测完的LED量产晶圆片中挑选制作LED标准方片所需的LED晶圆片；所述LED晶圆片具备相同材料和品质的衬底、相同嘉晶工艺和品质的外延结构、相同芯片制造工艺和品质；且单张LED晶圆片波长λ的标准差6≥λ std≥3、光强IV标准差IVstd ≤ 8 ;所述LED晶圆片的数量至少为2张；所述单张LED圆晶片的漏电流Ir、顺向电压Vf和抗静电性能ESD的良率均≥80% ；
[0026]2】对步骤1】中挑选的LED晶圆片的Mapping全测值进行分类:
[0027]将步骤1】中挑选的LED晶圆片的晶粒按照以下条件划分为η个BIN:n个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值均相等，顺向电压Vf的最小值均相等，顺向电压Vf的最大值均相等；
[0028]BIN1中晶粒的波长为λ 1，ΒΙΝ2中晶粒的波长为λ 2，…、BINn中晶粒的波长为
入η ；
[0029]λ1、λ2、…、λ η符合以下条件:[0030]x < λ 1 < x+a, x+a < λ 2 < x+2a,..., x+(n_l)a < λη < x+na,
[0031]其中，445nm^ x ^ 450nm, 0.lnm ^ a ^ 2.0nm ；
[0032]按照以下分组规则对n个BIN进行分组:至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；
[0033]IV1、IV2、…、IVt符合以下条件:
[0034]IV1.avgX0.95 ( IV1 < IV1.avgX 1.10, IV2.avgX0.95 ( IV2 < IV2.avgX 1.10,…、IVt.avgX0.95 ^ IVt < IVt.avgX 1.10 ；
[0035]其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，ivt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值；
[0036]按照上述条件对每张LED晶圆片的Mapping全测值进行分类，得出符合制作标准方片的类别BINn和各BIN晶粒颗数的分布；
[0037]3】预计可制作标准方片的张数Q:
[0038]结合上述BINn和各BIN晶粒颗数的分布、预设单张标准方片中每个BIN的列数1、排数M，预计总共可制作标准方片的张数Q，所述预计算法为Q = BINn中最少晶粒颗数/1/Μ ；
[0039]4】确定LED标准方片的参数:
[0040]确定LED标准方片所使用的胶膜材质及扩张参数、晶粒形态及晶粒与晶粒之间的间距；
[0041]5】排布LED晶粒:
[0042]根据上述信息将LED晶圆片中BIN1、BIN2、…、BINn的晶粒逐一排布成LED标准方片，使横向上相邻两个晶粒的同侧长边以间距Bw设置、纵向上相邻两个晶粒的同侧短边以间距B1设置，每个晶粒的两个长边位于左右两侧，两个短边位于上下两侧，分别在Q张胶膜上摆放完I列BIN1后再切换分选下一个BIN，直至Q张胶膜上分别摆放完I列最后的BINn,以此方式完成Q张LED标准方片的制作。
[0043]上述步骤2】中a = 1.0nm。
[0044]上述LED晶圆片的数量为3张，且3张LED晶圆片的波长均值分别满足:λ (n/4)_2nm ≤ λ lavg ≤ λ (n/4)+2nm、λ (2n/4)_2nm ≤ λ 2avg ≤ λ (2n/4)+2nm、λ (3n/4) -2nm ≤ λ 3avg ≤ λ (3n/4) +2nm ；
[0045]其中，划分的n个BIN中，BIN1波长的最小值为λ lmin，BINn波长的最大值为Anmax,设 k= ( λ nmax-λ lmin)/4, K 取四舍五入保留小数点后 1 位，λ (η/4) = λ lmin+K,λ (2n/4) = λ lmin+2K, λ (3n/4) = λ lmin+3K。
[0046]上述LED晶圆片的数量为2张，且2张LED晶圆片的波长均值分别满足:
[0047]λ (n/3)_2nm ≤ λ lavg ≤ λ (n/3)+2nm、λ (2n/3) -2nm ≤ λ 2avg ≤ λ (2n/3) +2nm ；
[0048]其中，划分的n个BIN中，BIN1波长的最小值为λ lmin，BINn波长的最大值为Anmax,设 k= ( λ nmax-λ lmin)/3, K 取四舍五入保留小数点后 1 位，λ (η/3) = λ lmin+K,λ (2n/3) = λ lmin+2K。
[0049]本发明的优点:[0050]本发明基于LED晶圆片的Mapping全测数据，制备一种具备全波长跨度、光强集中性好、电性参数良好的分选方片作为LED晶圆片测试机校正和监控用的标准方片，不但可有效解决目前采用多张LED晶圆片诸如光强集中性不好、测试作业手法误差、测试方式误差与探测针痕异常的晶粒混入良品晶粒的问题，同时也解决了 LED封装器件的制作成本、发光角度变化、使用时定位一致性差及应用效率低的问题，可作为LED芯片制造领域晶圆片测试机校正或监控的通用标准件。
【专利附图】
【附图说明】
[0051]图1是LED晶圆片示意图；
[0052]图2是LED标准方片示意图；
[0053]图3是LED标准方片晶粒排列方式示意图；
[0054]图4是图2中A的局部放大图。
【具体实施方式】
[0055]本发明的LED标准方片，包括胶膜，胶膜上设置多个晶粒，胶膜上的晶粒选自具有良好且相同材料和品质的衬底、相同磊晶工艺和品质的外延结构、相同芯片制造工艺和品质的LED晶圆片，这种做法可确保LED晶圆片中被分选作标准方片的晶粒具有相同且优良的LED特性，稳定可靠。
[0056]本发明的LED晶圆片应该具备波长跨度大(波长标准差λ std尽量大)，光强集中性好(光强标准差IVstd尽 量小)且光强均值IV.avgX (0.95~1.10)代表LED量产晶圆片主产光强水平。这样可以用最少的LED晶圆片分选到最有效的LED标准方片，同时使校正系数与LED量产晶圆片匹配度最佳。所选用上述LED晶圆片的波长的标准差6 3 λ std >3、光强IV标准差IVstd ( 8 ；
[0057]胶膜上的晶粒划分为的η个BIN，分别为BIN1、BIN2、...、BINn，n为大于或等于10的自然数且小于或等于分选设备最大可分类数；BIN1、BIN2、…、BINn在胶膜上由左向右依次排布，每个BIN有I列Μ排。
[0058]ΒΙΝ1中任意晶粒的波长为λ 1，ΒΙΝ2中任意晶粒的波长为λ 2，…、BINn中任意晶粒的波长为λ η ; λ 1、λ 2、…、λ η符合以下条件:
[0059]χ < λ 1 < x+a, x+a < λ 2 < x+2a,..., x+(n_l)a < λη < x+na,
[0060]其中，445nm^ x ^ 450nm, 0.lnm ^ a ^ 2.0nm,优选 a = 1.0nm。
[0061]按照以下分组规则对n个BIN进行分组:至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；
[0062]IV1、IV2、…、IVt符合以下条件:
[0063]IV1.avgX0.95 ( IV1 < IV1.avgX 1.10, IV2.avgX0.95 ( IV2 < IV2.avgX 1.10,…、IVt.avgX0.95 ^ IVt < IVt.avgX 1.10。
[0064]其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，ivt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值。
[0065]各个BIN排布的最大列数Imax =分选设备置晶行程/Bw/n、排布的最大排数Mmax=分选设备置晶行程/B1 ;Bw为标准方片横向上相邻的两个晶粒同一侧长边的间距，B1为标准方片纵向上相邻的两个晶粒同一侧短边的间距。
[0066]本发明可通过预设各个BIN的最大列数I使LED标准方片中每排最大限度的排布全波长晶粒，尤其适用于大尺寸晶粒制作标准方片，在Mmax范围以内可根据LED标准方片的使用频率设定Μ值，便于实际应用过程中标准方片的管理。
[0067]如图2中以每个BIN连续排布列数I = 3为例。每张标准方片所含排数Μ可结合实际使用情况进行设置，如每天使用1排，则可按周、月分别设置Μ = 7、30，亦可根据机台数量等设置Μ值。所以，单张LED标准方片含晶粒数为I*n*M。
[0068]本发明标准方片中晶粒的形状是长方形，在胶膜上，每个晶粒的两个长边位于左右两侧，两个短边位于上下两侧。本发明胶膜的材质及扩张参数与LED量产晶圆片所使用的胶膜是完全一致的。
[0069]本发明可以设置30个BIN，该30个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值可以为luA~2uA，具体可以为luA ;晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值可以分别为2.8V~3.0V和
3.2V~3.4V，晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值具体可以分别为2.8V和3.2V。
[0070]当有30个BIN时，a = 1.0nm, BIN1中晶粒的波长的最小值为445nm、最大值为445.9nm。自BIN1起，每个BIN中波长的最小值和最大值均按照等差1.0nm方式递增。其中，第一组BIN中晶粒的光强的最小值可以为80mcd、最大值可以为90mcd，设BIN1至BIN5为第一组BIN，各组BIN中晶粒的光强的最小值和最大值均按照等差lOmcd的方式递增。
[0071]LED标准方片上的晶粒形态与LED量产晶圆片应保持完全相同。且不限于晶粒间距、胶膜材质和胶膜是否扩张。标准方片中晶粒形态完全仿真或等效于LED量产晶圆片中晶粒所处的形态，以规避各方面的误差。
[0072]假设在市场上主流运用的蓝光LED晶圆片波长范围为445nm~475nm(即全波长段)，且 BIN 有 30 个,a = 1.0nm。另外，假若 445nm ~450nm ~455nm ~460nm ~465nm ~470nm~475nm对应LED量产晶圆片主产光强IV.avgX0.95~IV.avgXl.10分别为80mcd ~90mcd ~lOOmcd ~llOmcd ~120mcd ~130mcd ~140mcd,漏电流 Ir ^ luA, 2.8 ^顺向电压Vf≤3.2。则制作该蓝光LED标准方片的分类BIN表如表1所示。
[0073]表1LED晶圆片分类BIN表
[0074]
【权利要求】
1.一种LED标准方片，其特征在于:包括胶膜，胶膜上设置多个晶粒，所述晶粒选自具有相同衬底、相同磊晶工艺的外延结构、相同芯片制造工艺的LED晶圆片，所述LED晶圆片的波长的标准差6 3 λ std ^ 3、光强IV标准差IVstd ( 8 ;所述晶粒的漏电流Ir的最大值均相等、顺向电压Vf的最小值均相等、顺向电压Vf的最大值均相等；所述多个晶粒按波长划分为η个BIN，分别为BIN1、BIN2、...、BINn，n为大于或等于10的自然数且小于或等于分选设备最大可分类数；BIN1、BIN2、…、BINn在胶膜上由左向右依次排布，每个BIN有I列Μ排； ΒΙΝ1中任意晶粒的波长为λ 1，ΒΙΝ2中任意晶粒的波长为λ 2，…、BINn中任意晶粒的波长为入η ；λ 1、λ 2、…、λ η符合以下条件:χ < λ 1 < x+a, x+a < λ 2 < x+2a,…，x+ (n_l) a < λ n < x+na,其中，445nm ^ x ^ 450nm, 0.lnm ^ a ^ 2.0nm ；按照以下分组规则对n个BIN进行分组:至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；IV1、IV2、…、IVt符合以下条件:IV1.avgX0.95 ( IV1 < IV1.avgX 1.10，IV2.avgX0.95 ( IV2 < IV2.avgX 1.10，…、IVt.avgX0.95 ( IVt < IVt.avgX 1.10 ；其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，IVt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值；各个BIN排布的最大列数Imax =分选设备置晶行程/Bw/n、排布的最大排数Mmax =分选设备置晶行程/B1 ;Bw为标准方片横向上相邻的两个晶粒同一侧长边的间距，B1为标准方片纵向上相邻的两个晶粒同一侧短边的间距。
2.根据权利要求1所述的LED标准方片，其特征在于:所述a= 1.0nm。
3.根据权利要求1或2所述的LED标准方片，其特征在于:所述晶粒的形状是长方形，在所述胶膜上，每个晶粒的两个长边位于左右两侧，两个短边位于上下两侧。
4.根据权利要求3所述的LED标准方片，其特征在于:所述η= 30 ;该30个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值为luA~2uA、晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值分别为2.8V~3.0V 和 3.2V ~3.4V ;所述BIN1中λ 1的最小值为445nm、λ 1的最大值为445.9nm,自BIN1起，每个BIN中波长的最小值和最大值均按照等差1.0nm方式递增。
5.根据权利要求4所述的LED标准方片，其特征在于:所述30个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值为luA、晶粒的顺向电压Vf的最小值和最大值分别为2.8V和3.2V；所述分组规则是指:设BIN1至BIN5为第一组BIN，第一组BIN中晶粒的光强的最小值为80mcd、最大值为90mcd,各组BIN中晶粒的光强的最小值和最大值均按照等差lOmcd的方式递增。
6.权利要求1所述LED标准方片的制作方法，其特征在于:包括以下步骤:1】挑选LED晶圆片:从Mapping全测完的LED量产晶圆片中挑选制作LED标准方片所需的LED晶圆片；所述LED晶圆片具备相同材料和品质的衬底、相同嘉晶工艺和品质的外延结构、相同芯片制造工艺和品质；且单张LED晶圆片波长λ的标准差6≥λ std≥3、光强IV标准差IVstd≤ 8 ；所述LED晶圆片的数量至少为2张；所述单张LED圆晶片的漏电流Ir、顺向电压Vf和抗静电性能ESD的良率均≥80% ；2】对步骤1】中挑选的LED晶圆片的Mapping全测值进行分类:将步骤1】中挑选的LED晶圆片的晶粒按照以下条件划分为η个BIN:n个BIN中晶粒的漏电流Ir的最大值均相等，顺向电压Vf的最小值均相等，顺向电压Vf的最大值均相等；BIN1中晶粒的波长为λ 1，ΒΙΝ2中晶粒的波长为λ 2，...、ΒΙΝη中晶粒的波长为λη ;λ 1、λ 2、…、λ η符合以下条件:x < λ 1 < x+a, x+a < λ 2 < x+2a,..., x+ (n_l) a < λ n < x+na,其中，445nm ≤ x ≤ 450nm, 0.lnm ^ a ^ 2.0nm ；按照以下分组规则对n个BIN进行分组:至少1个BIN构成一组BIN，第一组BIN中任意晶粒的光强为IV1、第二组BIN中任意晶粒的光强为IV2、…、第t组BIN中任意晶粒的光强为IVt，t为正整数；IV1、IV2、…、IVt符合以下条件:IV1.avgX0.95 ( IV1 < IV1.avgX 1.10，IV2.avgX0.95 ( IV2 < IV2.avgX 1.10，…、IVt.avgX0.95 ( IVt < IVt.avgX 1.10 ；其中，IV1.avg为第一组BIN中所有晶粒的光强均值，IV2.avg为第二组BIN中所有晶粒的光强均值，…，IVt.avg为第t组BIN中所有晶粒的光强均值；按照上述条件对每张LED晶圆片的Mapping全测值进行分类，得出符合制作标准方片的类别BINn和各BIN晶粒颗数的分布；3】预计可制作标准方片的张数Q:结合上述BINn和各BIN晶粒颗数的分布、预设单张标准方片中每个BIN的列数1、排数M，预计总共可制作标准方片的张数Q，所述预计算法为Q = BINn中最少晶粒颗数/I/M ；4】确定LED标准方片的参数:确定LED标准方片所使用的胶膜材质及扩张参数、晶粒形态及晶粒与晶粒之间的间距；5】排布LED晶粒:根据上述信息将LED晶圆片中BIN1、BIN2、...、BINn的晶粒逐一排布成LED标准方片，使横向上相邻两个晶粒的同侧长边以间距Bw设置、纵向上相邻两个晶粒的同侧短边以间距B1设置，每个晶粒的两个长边位于左右两侧，两个短边位于上下两侧，分别在Q张胶膜上摆放完I列BIN1后再切换分选下一个BIN，直至Q张胶膜上分别摆放完I列最后的BINn，以此方式完成Q张LED标准方片的制作。
7.根据权利要求6所述的LED标准方片的制作方法，其特征在于:所述步骤2】中a=1.0nm。
8.根据权利要求7所述的LED标准方片的制作方法，其特征在于:所述LED晶圆片的数量为3张，且3张LED晶圆片的波长均值分别满足:λ (n/4)-2nm≤λ lavg≤ λ (n/4)+2nm、λ (2n/4)_2nm< λ 2avg ≤ λ (2n/4)+2nm、λ (3η/4) -2nm ≤ λ 3avg ≤ λ (3η/4) +2nm ；其中，划分的η个BIN中,ΒΙΝΙ波长的最小值为λ lmin, BINn波长的最大值为λ nmax,设k = ( λ nmax- λ lmin) /4, K取四舍五入保留小数点后1位，λ (η/4) = λ lmin+K,λ (2n/4) = λ lmin+2K, λ (3n/4) = λ lmin+3K。
9.根据权利要求7所述的LED标准方片的制作方法，其特征在于:所述LED晶圆片的数量为2张，且2张LED晶圆片的波长均值分别满足:λ (n/3) -2nm ^ λ lavg ^ λ (n/3)+2nm、λ (2n/3) -2nm ^ λ 2avg ^ λ (2n/3) +2nm ；其中，划分的n个BIN中,ΒΙΝΙ波长的最小值为λ lmin,BINn波长的最大值为λ nmax,设k = ( λ nmax- λ lmin)/3, K取四舍五入保留小数点后1位，λ (η/3) = λ lmin+K,λ (2n/3) = λ lmin+2K。`
【文档编号】H01L33/00GK103681988SQ201310654117
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2013年12月5日 优先权日:2013年12月5日
【发明者】赖余盟, 陈起伟, 周立业, 缪炳有, 李斌 申请人:西安神光皓瑞光电科技有限公司