应变层的生长方法以及带有应变层的衬底的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底。所述方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底包括支撑层、埋层以及顶层半导体层；在顶层半导体层和埋层中形成贯通的腐蚀窗口；通过腐蚀窗口腐蚀埋层，以使顶层半导体层部分悬空；将所述衬底置于第一温度下，在顶层半导体层的腐蚀窗口处形成桥接条，所述桥接条采用金属-绝缘体相变材料制成；改变所述桥接条的温度至第二温度，从而使悬空的顶层半导体层发生应变。本发明的优点在于，利用金属-绝缘体相变现象会在某一特定的相变温度下引入明显的尺寸改变的特性，通过桥接条引入足够的应变力，是一种低成本而高效的方法。
【专利说明】应变层的生长方法以及带有应变层的衬底
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体材料领域，尤其涉及一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底。
【背景技术】
[0002]微电子技术的高速发展使得摩尔定律越来越接近其物理极限，硅基光电集成在近年来被认为是能够有效解决摩尔定律的延伸。目前，阻碍硅基光电集成的主要障碍是如何解决硅基与CMOS兼容的光源问题。因此，寻找一种能与硅基工艺相兼容的有效发光材料是硅基光电集成的重要所在。
[0003]当Ge薄膜中的张应力大约2% (当Ge高掺杂时，需要的张应力更小)，可以由原来的间接带隙转变为直接带隙，满足了硅基光电集成的材料要求，因此可以用来制作硅基激光器，从而为低成本片上实现光电集成提供了途径。
[0004]制备张应力Ge薄膜的方法主要有一下几种:1、利用Ge与Si热膨胀系数的差异，通过直接热处理得到张应变的Ge薄膜，但是这种方法得到的应变Ge的度小，仅3% ;2、利用II1-V族化合物作为缓冲层，可以得到大应力的应变Ge，但是由于外延II1-V族材料需要MBE或者MOCVD，价格昂贵，生长速度慢，从而增加了成本。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是，提供一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底，能够以较低的成本获得较大的应变。
[0006]为了解决上述问题，本发明提供了一种应变层的生长方法，包括如下步骤:提供衬底，所述衬底包括支撑层，支撑层表面的埋层以及埋层表面的顶层半导体层；在顶层半导体层和埋层中形成贯通的腐蚀窗口 ；通过腐蚀窗口腐蚀埋层，以使顶层半导体层部分悬空；将所述衬底置于第一温度下，在顶层半导体层的腐蚀窗口处形成桥接条，所述桥接条的一端与顶层半导体层悬空部分的表面连接，另一端与悬空部分在腐蚀窗口中的相对侧表面连接，所述桥接条采用金属-绝缘体相变材料制成；改变所述桥接条的温度至第二温度，使所述桥接条内部发生金属-绝缘体相变而收缩或伸展，从而使悬空的顶层半导体层发生应变。
[0007]可选的，所述顶层半导体层的材料选自于锗、硅以及II1-V族化合物半导体中的
任意一种。
[0008]可选的，所述桥接条的材料为二氧化钒。
[0009]可选的，所述改变所述桥接条至第二温度的步骤，进一步是采用提高环境温度的方式。
[0010]可选的，所述改变所述桥接条至第二温度的步骤，进一步是采用向桥接条中通入电流使其发热的方式以升高温度。
[0011]可选的，所述形成桥接条的步骤进一步包括:在腐蚀窗口中形成填充层，以平坦化所述顶层半导体层的表面；在顶层半导体层的表面形成桥接条；去除填充层。
[0012]可选的，所述形成桥接条的工艺进一步选自于物理沉积和化学沉积方法中的任意一种。
[0013]本发明进一步提供了一种带有应变层的衬底，包括支撑层，支撑层表面的埋层以及埋层表面的顶层半导体层，所述顶层半导体层和埋层中具有一贯通的窗口，所述窗口一侧的埋层内陷以使顶层半导体层悬空，在顶层半导体层的窗口处设置一桥接条，所述桥接条的一端与顶层半导体层悬空部分的表面连接，另一端与悬空部分在窗口中的相对侧表面连接，所述桥接条采用金属-绝缘体相变材料制成。
[0014]可选的，所述顶层半导体层的材料选自于锗、硅以及II1-V族化合物半导体中的
任意一种。
[0015]可选的，所述桥接条的材料为二氧化钒。
[0016]本发明的优点在于，利用金属-绝缘体相变现象会在某一特定的相变温度下引入明显的尺寸改变的特性，通过桥接条引入足够的应变力，是一种低成本而高效的方法。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]附图1所示是本发明所述【具体实施方式】的实施步骤示意图。
[0018]附图2A至附图2G所示是本发明所述【具体实施方式】的工艺示意图。
[0019]附图3所示是氧化钒材料的金属-半导体相变特性图。
【具体实施方式】
[0020]下面结合附图对本发明提供的一种应变层的生长方法以及带有应变层的衬底的【具体实施方式】做详细说明。
[0021]附图1所示是本发明所述【具体实施方式】的实施步骤示意图，包括:步骤S100，提供衬底，所述衬底包括支撑层，支撑层表面的埋层以及埋层表面的顶层半导体层；步骤S110，在顶层半导体层和埋层中形成贯通的腐蚀窗口 ；步骤S120，通过腐蚀窗口腐蚀埋层，以使顶层半导体层部分悬空；步骤S131，在腐蚀窗口中形成填充层，以平坦化所述顶层半导体层的表面；步骤S132，将所述衬底置于第一温度下，在顶层半导体层的表面形成桥接条；步骤S133，去除填充层；步骤S140，改变所述桥接条的温度至第二温度，使所述桥接条发生金属-半导体相变而收缩或伸展，从而使悬空的顶层半导体层发生应变。
[0022]附图2A至附图2G所示是本发明所述【具体实施方式】的工艺示意图。
[0023]附图2A所示，参考步骤S100，提供衬底200，所述衬底包括支撑层201，支撑层201表面的埋层202，以及埋层202表面的顶层半导体层203。所述支撑层201的材料可以是包括单晶硅和蓝宝石等材料的任意一种常见的衬底材料。所述顶层半导体层203的材料选自于锗、硅以及II1-V族化合物半导体中的任意一种。所述埋层202的材料应当选用与顶层半导体层203之间有腐蚀选择性的材料，例如可以是氧化硅或者氮化硅等。
[0024]附图2B所示，参考步骤S110，在顶层半导体层203和埋层202中形成贯通的腐蚀窗口 210。形成腐蚀窗口 210的方法可以包括如下步骤:在顶层半导体层203的表面形成图形化腐蚀阻挡层；通过图形化的腐蚀阻挡层对顶层半导体层203和埋层202实施干法刻蚀以形成腐蚀窗口 210。
[0025]附图2C所示，参考步骤S120，通过腐蚀窗口 210腐蚀埋层202，以使顶层半导体层203部分悬空。此处的腐蚀应当采取对埋层202有较高腐蚀速率的选择性腐蚀方法，例如对于顶层半导体层203为单晶硅或单晶锗，而埋层202为氧化硅或氮化硅的实施方式而言，可以采用氢氟酸作为腐蚀液进行腐蚀。本【具体实施方式】以腐蚀窗口 210单侧的顶层半导体层203悬空为例进行叙述，对于无需悬空的部分，可以采用光刻胶等材料覆盖以形成阻挡。在其他的【具体实施方式】中，也可以使腐蚀窗口 210的两相对侧的顶层半导体层203全部悬空。
[0026]附图2D所示，参考步骤S131，在腐蚀窗口 210中形成填充层220，以平坦化所述顶层半导体层203的表面。 所述填充层220的材料例如可以是光刻胶，也可以是氧化硅或者氮化娃等材料。
[0027]附图2E所示，参考步骤S132，将所述衬底200置于第一温度下，在顶层半导体层203的表面形成桥接条230，所述桥接条230的一端与顶层半导体层203悬空部分的表面连接，另一端与悬空部分在腐蚀窗口 210中的相对侧表面连接。所述形成桥接条230的工艺进一步选自于溶胶-凝胶法，物理沉积和化学沉积方法中的任意一种。该工艺形成的是连续的薄膜，需要经过图形化以形成具有预定形状的桥接条230。
[0028]附图2F所示，参考步骤S133，去除填充层220。可以通过桥接条230两侧与腐蚀窗口 210之间的缝隙(垂直于图面方向，未图示)进行溶解或者腐蚀，以除去填充层220。
[0029]附图2G所示，参考步骤S140，改变所述桥接条230的温度至第二温度，使所述桥接条230发生金属-绝缘体相变而伸展或收缩，从而使悬空的顶层半导体层203发生应变。材料在温度改变的情况下通常都会膨胀或收缩，因此单纯的依靠热膨胀系数差是不能够在顶层半导体层203中引入足够的应力的。而金属-绝缘体相变则会在某一特定的相变温度下引入明显的尺寸改变，因此可以引入足够的应变力。
[0030]本【具体实施方式】以二氧化钒为例解释其效果。附图3所示是氧化钒材料的金属-半导体相变特性图。从相图可以看出，Ml到R相的转变使得材料的CR轴向上收缩~1%，而在其他两个方向上膨胀?’从Ml相到M2相，材料在CR方向上伸长~1%。所以，从M2相到R相，材料在CR方向上收缩~2%。氧化钒材料相变温度在68摄氏度附近发生，比较接近室温，且相变体积的变化比一般的无机物驱动器高几个数量级，而且也高于压电材料体积的变化，因此是一种优选的材料。
[0031]本【具体实施方式】的附图2G以顶层半导体层203被拉伸而引入张应力为例。若桥接条230的材料为二氧化钒，则第一温度应当低于68摄氏度，而第二温度应当高于68摄氏度。在其他的【具体实施方式】中，应当根据不同的材料，以及需要在顶层半导体层203中获得张应力还是压应力来确定不同的第一温度值和第二温度值。
[0032]上述步骤实施完毕后即获得了一种带有应变层的衬底200，包括支撑层201，支撑层201表面的埋层202以及埋层202表面的顶层半导体层203。所述顶层半导体层203和埋层202中具有一贯通的窗口 210，所述窗口 210—侧的埋层202内陷以使顶层半导体203层悬空。在顶层半导体层203的窗口处设置一桥接条230，所述桥接条230的一端与顶层半导体层203悬空部分的表面连接，另一端与悬空部分在窗口 210中的相对侧表面连接，所述桥接条230采用金属-绝缘体相变材料制成。
[0033]以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种应变层的生长方法，其特征在于，包括如下步骤: 提供衬底，所述衬底包括支撑层，支撑层表面的埋层以及埋层表面的顶层半导体层； 在顶层半导体层和埋层中形成贯通的腐蚀窗口； 通过腐蚀窗口腐蚀埋层，以使顶层半导体层部分悬空； 将所述衬底置于第一温度下，在顶层半导体层的腐蚀窗口处形成桥接条，所述桥接条的一端与顶层半导体层悬空部分的表面连接，另一端与悬空部分在腐蚀窗口中的相对侧表面连接，所述桥接条采用金属-绝缘体相变材料制成； 改变所述桥接条的 温度至第二温度，使所述桥接条内部发生金属-绝缘体相变而收缩或伸展，从而使悬空的顶层半导体层发生应变。
2.根据权利要求1所述的应变层的生长方法，其特征在于，所述顶层半导体层的材料选自于锗、硅以及II1-V族化合物半导体中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的应变层的生长方法，其特征在于，所述桥接条的材料为二氧化?凡。
4.根据权利要求1所述的应变层的生长方法，其特征在于，所述改变所述桥接条至第二温度的步骤，进一步是采用提高环境温度的方式。
5.根据权利要求1所述的应变层的生长方法，其特征在于，所述改变所述桥接条至第二温度的步骤，进一步是采用向桥接条中通入电流使其发热的方式以升高温度。
6.根据权利要求1所述的应变层的生长方法，其特征在于，所述形成桥接条的步骤进一步包括: 在腐蚀窗口中形成填充层，以平坦化所述顶层半导体层的表面； 在顶层半导体层的表面形成桥接条； 去除填充层。
7.根据权利要求5所述的应变层的生长方法，其特征在于，所述形成桥接条的工艺进一步选自于物理沉积和化学沉积方法中的任意一种。
8.一种带有应变层的衬底，包括支撑层，支撑层表面的埋层以及埋层表面的顶层半导体层，其特征在于，所述顶层半导体层和埋层中具有一贯通的窗口，所述窗口一侧的埋层内陷以使顶层半导体层悬空，在顶层半导体层的窗口处设置一桥接条，所述桥接条的一端与顶层半导体层悬空部分的表面连接，另一端与悬空部分在窗口中的相对侧表面连接，所述桥接条采用金属-绝缘体相变材料制成。
9.根据权利要求8所述的带有应变层的衬底，其特征在于，所述顶层半导体层的材料选自于锗、硅以及II1-V族化合物半导体中的任意一种。
10.根据权利要求8所述的带有应变层的衬底，其特征在于，所述桥接条的材料为二氧化?凡。
【文档编号】H01L21/02GK103745914SQ201310720840
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年12月24日 优先权日:2013年12月24日
【发明者】魏星, 母志强, 薛忠营, 狄增峰, 方子韦 申请人:上海新傲科技股份有限公司