专利名称：一种防止边缘破裂的影像传感器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及影像传感器制造领域，具体涉及一种防止边缘破裂的影像传感器。
背景技术：
在背照式影像传感器封装前，需将对载片进行研磨，研磨过程中容易在晶圆的边界会有很严重的破裂，影响影像传感器质量，导致影像传感器良品率低的问题。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是提供一种防止边缘破裂的影像传感器来解决现有技术中影像传感器边缘易破裂而导致影像传感器良品率低的问题。本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种防止边缘破裂的影像传感器，包括器件晶圆和载片晶圆，所述器件晶圆与载片晶圆键合在一起，所述器件晶圆边缘与载片晶圆边缘包裹有胶层，所述器件晶圆与载片晶圆键合边缘处设有伸至载片晶圆内的直角缺口，所述深入载片晶圆内直角缺口的缺口深度小于胶层的厚度本实用新型的有益效果是:在使用本新型后，通过包裹在晶圆边缘与载片晶圆边缘的胶层，且胶层的厚度大于修边切出的矩形槽深能有效防止晶圆边缘破裂的问题。在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。进一步，所述载片晶圆边缘的厚度为140微米至160微米；进一步，所述胶 层的厚度为50微米至70微米。采用上述进一步方案的有益效果是:通过载片晶圆的厚度来控制胶层的厚度，减小晶圆边缘破裂的几率，进一步提高影像传感器的质量。进一步，所述载片晶圆与器件晶圆之间设有一层键合氧化物层。采用上述进一步方案的有益效果是:能使载片晶圆与器件晶圆牢固的键合在一起，进一步提闻影像传感器的质量。
图1为本实用新型研磨前结构图；图2为本实用新型研磨后结构图。附图中，各标号所代表的部件如下:1、载片晶圆，2、器件晶圆，3、胶层，4、直角缺口，5、缺口深度，6、键合氧化物层。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。如图1所示，为本实用新型研磨前结构图，包括器件晶圆2和载片晶圆1，所述器件晶圆2与载片晶圆I键合在一起，所述器件晶圆2边缘与载片晶圆I边缘包裹有胶层3，所述器件晶圆2与载片晶圆I键合边缘处设有沿器件晶圆表面方向伸至载片晶圆2内的直角缺口 4，所述直角缺口的缺口深度5小于胶层3的厚度。图2为为本实用新型研磨后结构图，包括器件晶圆2和载片晶圆1，所述器件晶圆2与载片晶圆I键合在一起，所述器件晶圆2边缘与载片晶圆I边缘包裹有胶层3，所述器件晶圆2与载片晶圆I键合边缘处设有沿器件晶圆表面方向伸至载片晶圆2内的直角缺口 4，所述直角缺口的缺口深度5小于胶层3的厚度，所述载片晶圆I的厚度为140微米至160微米。所述胶层3的厚度为50微米至70微米，所述载片晶圆I与器件晶圆2之间设有一层键合氧化物层6，所述载片晶圆I的厚度为140微米至160微米。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围 之内。
权利要求1.一种防止边缘破裂的影像传感器，其特征是:包括器件晶圆和载片晶圆，所述器件晶圆与载片晶圆键合在一起，所述器件晶圆边缘与载片晶圆边缘包裹有胶层，所述器件晶圆与载片晶圆键合边缘处设有伸至载片晶圆内的直角缺口，所述深入载片晶圆内直角缺口的缺口深度小于胶层的厚度。
2.根据权利要求1所述的一种防止边缘破裂的影像传感器，其特征是:所述载片晶圆与器件晶圆之间设有一层键合氧化物层。
3.根据权利要求1或2所述的一种防止边缘破裂的影像传感器，其特征是:所述胶层的厚度为50微米至70微米。
4.根据权利要求1或2所述的一种防止边缘破裂的影像传感器，其特征是:所述载片晶圆的厚度为140微米至16 0微米。
专利摘要本实用新型涉及影像传感器制造领域，具体涉及一种防止边缘破裂的影像传感器。包括器件晶圆和载片晶圆,所述器件晶圆与载片晶圆键合在一起,所述器件晶圆边缘与载片晶圆边缘包裹有胶层,所述器件晶圆与载片晶圆键合边缘处设有伸至载片晶圆内的直角缺口，所述深入载片晶圆内直角缺口的缺口深度小于胶层的厚度，所述载片晶圆边缘的厚度为140微米至160微米，所述胶层的厚度为50微米至70微米。在使用本新型后，能使载片晶圆与器件晶圆牢固的键合在一起，通过载片晶圆的厚度来控制胶层的厚度，减小晶圆边缘破裂的几率，提高影像传感器的质量，通过包裹在晶圆边缘与载片晶圆边缘的胶层，能有效防止晶圆边缘破裂的问题。
文档编号H01L27/146GK203085540SQ20132001660
公开日2013年7月24日 申请日期2013年1月11日 优先权日2013年1月11日
发明者李平 申请人:陆伟