一种宽带、高隔离度空气腔体带状线电桥的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种宽带、高隔离度空气腔体带状线电桥，包括有腔体，腔体内设有主线导体、副线导体，主线导体和副线导体上下安装在腔体内部，中间有高度差，腔体的中部为紧耦合区域，腔体的两端为松耦合区域，两个松耦合区域关于紧耦合区域左右对称，所述的主线导体和副线导体在紧耦合区域上下重叠。本实用新型提供了一种800MHz～2700MHz的电桥，整个频段内均能达到30dB隔离度，可使各运营商临近频段具有30dB以上的隔离度，使系统更简化。
【专利说明】一种宽带、高隔离度空气腔体带状线电桥
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及微波通信【技术领域】，尤其涉及一种宽带、高隔离度空气腔体带状线电桥。
【背景技术】
[0002]在多系统接入移动通信室内分布中，需要将各个运营商相邻通信频段进行分路并隔离，腔体带状线电桥就是最常用的一种微波器件。传统方式设计的电桥在800MHz?2500MHz时隔离度能达到25dB，仅能满足通信系统基本隔离使用，各信道间仍有一定的干扰，为解决这一问题目前有两种方式，一种是将传统电桥分频段设计，在窄频段范围内隔离度需要达到30dB，可有效隔离各信道的干扰，这样就造成通信系统的复杂化、多元化。另一种方式是在电桥末端串接隔离器，隔离器使用的铁氧体材料增加了系统的三阶互调干扰。随着4G通信技术的发展，通信频段拓展到800MHz?2700MHz，如果使用传统电桥将难以满足系统使用要求。
实用新型内容
[0003]本实用新型所要解决的问题是提供一种800MHz?2700MHz高隔离度空气腔体带状线电桥，整个频段内均可达到30dB的隔离度且其余指标均优于传统电桥。
[0004]本实用新型采用的技术方案是:
[0005]一种宽带、高隔离度空气腔体带状线电桥，包括有腔体，腔体内设有主线导体、副线导体，其特征在于:所述主线导体和副线导体上下安装在腔体内部，中间有高度差，腔体的中部为紧耦合区域，腔体的两端为松耦合区域，两个松耦合区域关于紧耦合区域左右对称，所述的主线导体和副线导体在紧耦合区域上下重叠。
[0006]所述的一种宽带、高隔离度空气腔体带状线电桥，其特征在于:所述的主线导体和副线导体中间用六根相同尺寸的聚四氟乙烯绝缘介质块一隔开。
[0007]所述的一种宽带、高隔离度空气腔体带状线电桥，其特征在于:所述的主线导体和副线导体在紧耦合区域上下用四根聚四氟乙烯绝缘介质块二支撑。
[0008]所述的一种宽带、高隔离度空气腔体带状线电桥，其特征在于:所述的主线导体和副线导体在两个松耦合区域分别上下用四根聚四氟乙烯绝缘介质块三支撑。
[0009]本实用新型的有益效果是:
[0010]本实用新型提供了一种800MHz?2700MHz的电桥，整个频段内均能达到30dB隔离度，可使各运营商临近频段具有30dB以上的隔离度,使系统更简化。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1是本实用新型的腔体内部结构示意图。
[0012]图2是本实用新型的腔体纵剖面结构示意图。【具体实施方式】
[0013]如图1、2所示，一种宽带、高隔离度空气腔体带状线电桥，包括有长方体金属空气腔体的盒子，腔体内设有主线导体I和副线导体2，主线导体I和副线导体2是上下安装在金属腔体内部，中间有高度差。腔体的中部为紧耦合区域3，腔体的两端为松耦合区域5，主线导体I和副线导体2在紧耦合区域3是上下重叠的，主线导体I和副线导体2的两个松耦合4是关于紧耦合区域3左右对称的。主线导体I和副线导体2中间用相同尺寸的聚四氟乙烯绝缘介质块6隔开，共计六根。主线导体I和副线导体2的紧耦合在紧耦合区域3上下用聚四氟乙烯绝缘介质块7支撑，共计4根。主线导体I和副线导体2的松耦合4在两个松耦合区域5上下用聚四氟乙烯绝缘介质块8支撑，共计8根。两个松耦合区域使耦合更均匀，减少不连续。
【权利要求】
1.一种宽带、高隔离度空气腔体带状线电桥，包括有腔体，腔体内设有主线导体、副线导体，其特征在于:所述主线导体和副线导体上下安装在腔体内部，中间有高度差，腔体的中部为紧耦合区域，腔体的两端为松耦合区域，两个松耦合区域关于紧耦合区域左右对称，所述的主线导体和副线导体在紧耦合区域上下重叠。
2.根据权利要求1所述的一种宽带、高隔离度空气腔体带状线电桥，其特征在于:所述的主线导体和副线导体中间用六根相同尺寸的聚四氟乙烯绝缘介质块一隔开。
3.根据权利要求1所述的一种宽带、高隔离度空气腔体带状线电桥，其特征在于:所述的主线导体和副线导体在紧耦合区域上下用四根聚四氟乙烯绝缘介质块二支撑。
4.根据权利要求1所述的一种宽带、高隔离度空气腔体带状线电桥，其特征在于:所述的主线导体和副线导体在两个松耦合区域分别上下用四根聚四氟乙烯绝缘介质块三支撑。
【文档编号】H01P5/16GK203398252SQ201320459834
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年7月30日 优先权日:2013年7月30日
【发明者】邓庆杰, 杨洁茹, 刘学武, 黄大世, 冉亮, 夏义全 申请人:安徽四创电子股份有限公司