一种单面中、双留边铝金属化薄膜的制作方法
【专利摘要】本实用新型揭示了一种单面中、双留边铝金属化薄膜，作为电容器的内芯膜材，该薄膜为由上层膜和下层膜相叠构成的二串式结构，其中上层膜和下层膜分别设为绝缘基膜及其上一体镀覆的铝膜，且上层膜的绝缘基膜在宽度方向上的中部设有中留边，下层膜的绝缘基膜在宽度方向上的两端设有外留边，下层膜的宽度C小于上层膜的宽度A。应用本实用新型的技术优点表现为：该薄膜采用铝作为金属一体化的膜层材料，并使用留边错位的上、下层膜成组相叠构成的二串式结构，能有效防止交流条件下的电化学腐蚀和相对耐压，适于调整电容器的耐压、脉冲、dv/dt等电气特性。并且该薄膜的规格多选和工艺偏差可控，提高了电容器成品的性能稳定性。
【专利说明】 —种单面中、双留边铝金属化薄膜
【技术领域】
[0001 ] 本实用新型涉及一种电容器生产基材，尤其涉及一种电容器制造所用的新型内芯膜材。
【背景技术】
[0002]随着电子工业的飞速发展，电容器作为一种应用极为广泛的电子元器件，其产品用量也极大。因此对电容器生产制造的产能提出了更高的要求。从电容器的内芯结构来看，它是由薄膜按照电容器电气特性选择不同绕卷结构制成的。因此，为提高电容器产品的性能，势必从该内芯的薄膜本身结构寻求改进，以满足电容器各种应用的电气性能要求。
[0003]从电容器用金属化薄膜的工艺参数来看:金属化薄膜中的金属镀膜是在真空镀膜机内金属蒸汽形成的，涂层厚度很薄，通常只有几十个纳米，直接测量难度较大。目前大多厂家一般通过测量方阻值或电流值来间接反映金属层的厚度，方阻的单位为Ω/ □，英译为Resistance square。方阻就是方块电阻,指一个同长同宽(也就是一个正方形)的条件下的金属化薄膜镀层表面边到边之间的电阻。方块电阻有一个特性，即任意大小的正方形边到边的电阻都是一样的，不管边长是Im还是1_，它们的方阻都是一样，只要测试电极导电区域无法形成正方形的测试值都会产生严重误差。本创作金属化薄膜的性能指标衡量均以理想测量的方阻衡量。
【发明内容】
[0004]本实用新型的目的旨在提出一种单面中、双留边铝金属化薄膜。
[0005]本实用新型的上述目的，将通过以下技术方案得以实现:一种单面中、双留边铝金属化薄膜，作为电容器的内芯膜材，其特征在于:所述薄膜为由上层膜和下层膜相叠构成的二串式结构，其中上层膜和下层膜分别设为绝缘基膜及其上一体镀覆的铝膜，且上层膜的绝缘基膜在宽度方向上的中部设有中留边，下层膜的绝缘基膜在宽度方向上的两端设有外留边，下层膜的宽度C小于上层膜的宽度A。
[0006]进一步地，所述中留边的宽度B大于或等于外留边的宽度D。
[0007]进一步地，所述绝缘基膜为聚丙烯基膜或聚酯基膜之一。
[0008]应用本实用新型的单面中、双留边铝金属化薄膜，其技术优点表现为:该薄膜采用铝作为金属一体化的膜层材料，并使用留边错位的上、下层膜成组相叠构成的二串式结构，能有效防止交流条件下的电化学腐蚀和相对耐压，适于调整电容器的耐压、脉冲、dv/dt等电气特性。并且该薄膜的规格多选和工艺偏差可控，提高了电容器成品的性能稳定性。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是本实用新型单面中、双留边铝金属化薄膜一优选实施例的截面结构示意图。【具体实施方式】
[0010]以下便结合实施例附图，对本实用新型的【具体实施方式】作进一步的详述，以使本实用新型技术方案更易于理解、掌握。本实用新型针对电容器不断增加的生产需求和性能提升要求，对该电容器的内芯膜材进行改良性研究。
[0011]如图1所示，是本实用新型单面中、双留边铝金属化薄膜一优选实施例的截面结构示意图。从图示可见该薄膜为由上层膜和下层膜相叠构成的二串式结构，其中上层膜(自定义规格型号为AP-M)设为绝缘基膜I及其上一体镀覆的铝膜22，下层膜(自定义规格型号为AP-T)也设为绝缘基膜I及其上一体镀覆的铝膜22，下层膜的宽度C小于上层膜的宽度A。特别地，该上层膜的绝缘基膜在宽度方向上的中部设有中留边31，下层膜的绝缘基膜在宽度方向上的两端设有外留边32，图示中中留边31的宽度B大于外留边32的宽度D。但在具体应用上中留边31和外留边32也可以等宽。
[0012]上述中留边31和外留边32旨在保障电容器卷绕中上下两层薄膜间有一定的绝缘强度。但留边的宽度选择具有一定的范围，太大会减小电容的有效面积导致成本浪费，太小会使电容器耐高压的安全距离不足、容易爬电产生飞弧。
[0013]上述铝膜22形成电容器的极板并具有良好的自愈性。这是一个形成电容量和保持电容器电气特性的一个最关键的区域，它应保证合适的金属成分比例，防止交流条件下的电化学腐蚀，同时可以提高电容器的相对耐压，选择合适的金属镀层同样可以改变电容器耐压、脉冲、dv/dt等电气特性。通过将该留边错位的上、下层膜相叠，则形成了由留边相隔形成的两段分离的金属化区段，即二串式结构。
[0014]需要说明的是，上述单面中、双留边铝金属化薄膜中，绝缘基膜I可以是聚丙烯基膜，例如德国创斯普Treofan PHD型BOPP基膜；也可以是聚酯基膜，例如韩国SKC SC42型PET基膜。
[0015]从产品的不同规格来看，该薄膜的规格参数如下:常规厚度介于3μπι-12μπι;上层膜的宽度A介于7.5mm-54mm，中留边的宽度B介于2mm-5mm;下层膜的宽度C介于6.5mm-52mm,外留边的宽度D介于;其方阻介于1-2.5 Ω / □。
[0016]该薄膜应用于电容器生产时，采用二串式电容结构，将上、下层膜对中相叠，使下层膜的外留边相对上层膜的边缘均呈内缩状，这样通过各留边相隔形成两段成对的铝膜组。再将相叠的两层薄膜绕卷成柱状，在柱状绕卷的两端面分别喷金引出电极，再通过其它常规工艺完成电容器的生产制造，且电容器产品性能优越，能满足较广应用范围。
[0017]通过上述的文字表述可以看出，本实用新型的优点显著:该薄膜采用铝作为金属一体化的膜层材料，并使用留边错位的上、下层膜成组相叠构成的二串式结构，能有效防止交流条件下的电化学腐蚀和相对耐压，适于调整电容器的耐压、脉冲、dv/dt等电气特性。并且该薄膜的规格多选和工艺偏差可控，提高了电容器成品的性能稳定性。
[0018]除上述实施例外，本实用新型还可以有其它实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本实用新型所要求保护的范围之内。
【权利要求】
1.一种单面中、双留边铝金属化薄膜，作为电容器的内芯膜材，其特征在于:所述薄膜为由上层膜和下层膜相叠构成的二串式结构，其中上层膜和下层膜分别设为绝缘基膜及其上一体镀覆的铝膜，且上层膜的绝缘基膜在宽度方向上的中部设有中留边，下层膜的绝缘基膜在宽度方向上的两端设有外留边，下层膜的宽度C小于上层膜的宽度A。
2.根据权利要求1所述单面中、双留边铝金属化薄膜，其特征在于:所述中留边的宽度B大于或等于外留边的宽度D。
3.根据权利要求1所述单面中、双留边铝金属化薄膜，其特征在于:所述绝缘基膜为聚丙烯基膜或聚酯基膜之一。
【文档编号】H01G4/008GK203456291SQ201320519572
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2013年8月23日 优先权日:2013年8月23日
【发明者】汪祥久 申请人:昆山泓电隆泰电子材料有限公司