逆变焊机纳米晶变压器的制造方法

文档序号:7023949阅读:362来源:国知局
逆变焊机纳米晶变压器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种逆变焊机纳米晶变压器,属于变压器【技术领域】,其包括带有支脚的纳米晶磁环,以及绕装在磁环上的初级线圈、次级线圈,其特征在于:所述磁环由23-25μm的纳米晶超薄带材卷绕而成,所述初级线圈和次级线圈的导线均采用漆包铝线,线圈出入线的接头采用铜铝接线端子与导线的铝材烧焊连接。本实用新型的有益效果是:功率损耗低,工作频率高,而且重量轻,成本低,冷却速度快,大电流通过时接头接触良好。
【专利说明】逆变焊机纳米晶变压器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种变压器,特别涉及一种逆变焊机纳米晶变压器。
【背景技术】
[0002]逆变电源是逆变焊机的主要设备,而变压器则是逆变电源的心脏,变压器结构包括磁芯和线圈。一般在高频逆变电源中采用铁氧体作为磁芯材料,铁氧体磁芯虽高频损耗较低,但其低频段的磁特性不太好,又因其饱和磁感应值较低,磁芯的体积和重量仍较大,此外,铁氧体的居里温度较低,热稳定性差,温度稍高即导致磁感应值降低,易饱和,工作状态不稳定,不适合于高频大功率下使用。
[0003]在高频大功率逆变电源上,现有一大部分采用纳米晶作为变压器的磁芯材料,因纳米晶材料具有磁感应值高、磁导率高、损耗低、居里温度高的优点,其制造的变压器应用在逆变电源上,对电源可靠性的提高起了很大作用。
[0004]但目前市场上现有的纳米晶变压器仍存在一些缺陷:1、磁芯采用28_32μπι的纳米晶带材卷绕而成,功率损耗仍较高,工作频率最高只能达到30ΚΗΖ ;2、线圈导线采用漆包铜线,成本较高,而且变压器的重量较大,冷却速度慢;3、线圈出入线的接头采用铜铝接线端子锡焊连接,经常出现大电流通过时接触不良的问题。
实用新型内容
[0005]本实用新型所要解决的技术问题在于克服上述问题,而提供一种功率损耗低、工作频率高,而且重量轻、成本低、冷却速度快、接头接触良好的逆变焊机纳米晶变压器。
[0006]本实用新型的技术方案是:
[0007]逆变焊机纳米晶变压器,包括带有支脚的纳米晶磁环,以及绕装在磁环上的初级线圈、次级线圈,其特征在于:所述磁环由23-25 μ m的纳米晶超薄带材卷绕而成,所述初级线圈和次级线圈的导线均采用漆包铝线,线圈出入线的接头采用铜铝接线端子与导线的铝材烧焊连接。
[0008]本实用新型所述的次级线圈的漆包铝线外包裹有2层聚酰亚胺薄膜。
[0009]本实用新型所述的线圈的出入线外包裹有黄蜡套管,出入线的接头处设有热缩套管。
[0010]本实用新型的有益效果是:
[0011]1、磁环材质采用纳米晶超薄带材卷绕而成,功率损耗降低20%,工作频率最高可至45KHZ ;
[0012]2、线圈的导线由漆包铜线改为漆包铝线,变压器整体重量轻20%,成本降低30%,冷却快速,而且便于绕制;
[0013]3、线圈出入线的接头采用铜铝接线端子烧焊连接,解决大电流通过时接触不良的问题。【专利附图】

【附图说明】
[0014]图1为本实用新型实施例的结构示意图;
[0015]图2为本实用新型实施例中铜铝接线端子的连接结构示意图。
【具体实施方式】
[0016]现结合附图及实施例对本实用新型作进一步的说明:
[0017]如图1和图2所示,本实用新型实施例的逆变焊机纳米晶变压器,包括带有支脚11的纳米晶磁环10,以及绕装在磁环10上的初级线圈20、次级线圈30。磁环10由23-25 μ m的纳米晶超薄带材卷绕而成,磁环10的外径为80mm,内径为50mm,厚度为25mm。初级线圈20采用漆包铝线,其出入线外包裹黄蜡套管40,次级线圈30采用漆包铝线外包裹2层聚酰亚胺薄膜,其出入线外包裹黄蜡套管40,出线套磁珠31。线圈出入线头先剥漆皮,再用铜铝接线端子50烧焊连接,并用热缩管60包住。
【权利要求】
1.逆变焊机纳米晶变压器,包括带有支脚的纳米晶磁环,以及绕装在磁环上的初级线圈、次级线圈,其特征在于:所述磁环由23-25 Ii m的纳米晶超薄带材卷绕而成,所述初级线圈和次级线圈的导线均采用漆包铝线,线圈出入线的接头采用铜铝接线端子与导线的铝材烧焊连接。
2.按照权利要求1所述的逆变焊机纳米晶变压器,其特征在于:所述次级线圈的漆包铝线外包裹有2层聚酰亚胺薄膜。
3.按照权利要求1所述的逆变焊机纳米晶变压器,其特征在于:所述线圈的出入线外包裹有黄蜡套管,出入线的接头处设有热缩套管。
【文档编号】H01F27/25GK203491056SQ201320566134
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2013年9月13日 优先权日:2013年9月13日
【发明者】蒋明江 申请人:台州松洋电子有限公司
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