碱槽转轴的制作方法
【专利摘要】本实用新型碱槽转轴，包括：滚轴，滚轴的旋转中心设置硅片盒中硅片的正下方，滚轴为扇形；插片，插片为三个，三个插片设置在滚轴的圆弧与滚轴的半径的两个交点处及滚轴所在圆的圆心处；其中滚轴的旋转中心离硅片下方参考面的垂直距离H为31.7毫米～32毫米；滚轴的旋转中心离硅片下方参考面两侧端点的距离B为42.6毫米～43.2毫米；滚轴的旋转中心离设置在滚轴所在圆的圆心上的插片顶端的距离L2为47.6毫米～48.2毫米。本实用新型碱槽转轴通过改变原先转轴的形貌及尺寸，以提供充分的转向助力，使得参考面长度为57.5毫米的硅片可以顺畅的旋转。完全利用生产现场现有材料进行制作，加工周期短、成本低。
【专利说明】碱槽转轴
【技术领域】
[0001]本实用新型属于半导体制造领域，特别是一种可使长参考面硅片洗净时旋转的转轴设计。
【背景技术】
[0002]使用高浓碱性药液清洗过程中，碱槽原有的转轴设计无法使得参考面长度为57.5毫米的硅片顺利旋转，造成转轴与硅片外周某固定位置频繁接触形成外周固定位置的伤以及突起的问题。同时硅片因旋转不畅，碱腐蚀反应生成的H2脱离硅片表面不迅速从而导致腐蚀不均的问题。主要是因为圆形转轴半径较大，在洗净过程中6寸硅片会被顶起，同时由于插片高度稍短以及插片间距与参考面长度相当等因素，导致拨动旋转的插片无法在参考平边及圆弧边拐角处提供足够的转向力。
实用新型内容
[0003]本实用新型的目的在于提供一种以提供充分的转向助力，使得参考面长度为57.5毫米的硅片可以顺畅旋转的碱槽转轴。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型碱槽转轴，包括:滚轴，所述滚轴的旋转中心设置硅片盒中硅片的正下方，所述滚轴为扇形；插片，所述插片为三个，三个所述插片设置在所述滚轴的圆弧与所述滚轴的半径的两个交点处及所述滚轴所在圆的圆心处；其中所述滚轴的旋转中心离硅片下方参考面的垂直距离H为31.7毫米?32毫米；所述滚轴的旋转中心离硅片下方参考面两侧端点的距离B为42.6毫米?43.2毫米；所述滚轴的旋转中心离设置在所述滚轴所在圆的圆心上的所述插片顶端的距离L2为47.6毫米?48.2毫米。
[0005]所述滚轴的旋转中心离所述滚轴的圆弧的距离R为33.7毫米?34.3毫米。
[0006]所述滚轴的旋转中心离设置在所述滚轴的圆弧与所述滚轴的半径的两个交点上的所述插片顶端的距离LI为42.6毫米?43.2毫米。
[0007]本实用新型碱槽转轴通过改变原先转轴的形貌及尺寸，以提供充分的转向助力，使得参考面长度为57.5毫米的硅片可以顺畅的旋转。完全利用生产现场现有材料进行制作，加工周期短、成本低。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为本实用新型碱槽转轴填充件结构示意图；
[0009]本实用新型碱槽转轴附图中附图标记说明:
[0010]1_滚轴 2-娃片 3-参考面
[0011]4-插片
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本实用新型碱槽转轴作进一步详细说明。[0013]如图1所示，本实用新型碱槽转轴，包括:滚轴1，滚轴I的旋转中心设置硅片2盒中硅片2的正下方，滚轴I为扇形；插片4，插片4为三个，三个插片4设置在滚轴I的圆弧与滚轴I的半径的两个交点处及滚轴I所在圆的圆心处；其中滚轴I的旋转中心离硅片2下方参考面3的垂直距离H为31.7毫米?32毫米；滚轴I的旋转中心离硅片2下方参考面3两侧端点的距离B为42.6毫米?43.2毫米；滚轴I的旋转中心离设置在滚轴I所在圆的圆心上的插片4顶端的距离L2为47.6毫米?48.2毫米。
[0014]滚轴I的旋转中心离滚轴I的圆弧的距离R为33.7毫米?34.3毫米。滚轴I的旋转中心离设置在滚轴I的圆弧与滚轴I的半径的两个交点上的插片4顶端的距离LI为42.6毫米?43.2毫米。
[0015]本实用新型碱槽转轴削去原轴部分材料，形成三角扇形式样。在另一顶点处添加插片，插片高度较原插片有所提高。改造后洗净过程中硅片不会被顶起，插片间距也大于参考面长度，同时新加一个高度略高的插片，这样的设计可以保证在洗净过程中拨动旋转的插片可在参考平边及圆弧边拐角处提供足够的转向力。
[0016]本实用新型碱槽转轴通过改变原先转轴的形貌及尺寸，以提供充分的转向助力，使得参考面长度为57.5毫米的硅片可以顺畅的旋转。完全利用生产现场现有材料进行制作，加工周期短、成本低。
[0017]以上已对本实用新型创造的较佳实施例进行了具体说明，但本实用新型创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本实用新型创造精神的前提下还可作出种种的等同的变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。
【权利要求】
1.碱槽转轴，其特征在于，包括: 滚轴，所述滚轴的旋转中心设置硅片盒中硅片的正下方，所述滚轴为扇形； 插片，所述插片为三个，三个所述插片设置在所述滚轴的圆弧与所述滚轴的半径的两个交点处及所述滚轴所在圆的圆心处；其中 所述滚轴的旋转中心离硅片下方参考面的垂直距离H为31.7毫米?32毫米； 所述滚轴的旋转中心离硅片下方参考面两侧端点的距离B为42.6毫米?43.2毫米；所述滚轴的旋转中心离设置在所述滚轴所在圆的圆心上的所述插片顶端的距离L2为47.6晕米?48.2晕米。
2.根据权利要求1所述的碱槽转轴，其特征在于，所述滚轴的旋转中心离所述滚轴的圆弧的距离R为33.7毫米?34.3毫米。
3.根据权利要求1所述的碱槽转轴，其特征在于，所述滚轴的旋转中心离设置在所述滚轴的圆弧与所述滚轴的半径的两个交点上的所述插片顶端的距离LI为42.6毫米?43.2毫米。
【文档编号】H01L21/67GK203674179SQ201320829817
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2013年12月16日 优先权日:2013年12月16日
【发明者】施炜青, 贺贤汉, 张松江 申请人:上海申和热磁电子有限公司