双层交叉式p-n二极管调制器的制造方法
【专利摘要】一种用于制造光调制器的方法包括：形成n型层，所述n型层的一部分上的第一氧化物部、以及所述n型层的第二部分上的第二氧化物部；在所述第一氧化物部、所述n型层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层；在所述n型层中注入p型掺杂剂以形成第一p型区和第二p型区；去除所述第一掩蔽层；在所述第一氧化物部、所述第一p型区的一部分、以及所述n型层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及在所述n型层的暴露部、所述第一p型区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述n型层和所述第二p型区的区域中注入p型掺杂剂。
【专利说明】双层交叉式P-N 二极管调制器
【技术领域】
[0001]本发明一般地涉及电光调制器，更具体地，涉及双层交叉式P-η 二极管调制器。
【背景技术】
[0002]反向偏置的硅电光调制器的p-n结的效率部分地受到p-n结与导引的光学模(optical mode)重合的影响。在此方面，图1A示例出反向偏置的硅电光调制器的现有技术实例100的截面图。结区域102被示出为位于η区101与P区103之间。结区域102与光学模104相互影响。图1B不例出反向偏置的娃电光调制器的另一现有技术实例120的截面图，其包括η区121、P区123以及与光学模124相互影响的结区域122。
【发明内容】
[0003]根据本发明的一个实施例，一种用于制造光调制器件的方法包括:在衬底上形成η型掺杂材料层，在所述η型掺杂材料层的一部分上形成第一氧化物部，并且在所述η型掺杂材料层的第二部分上形成第二氧化物部；在所述第一氧化物部、所述η型掺杂材料层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化(pattern)第一掩蔽层；在所述η型掺杂材料层中注入P型掺杂剂以形成第一 P型掺杂区和第二 P型掺杂区，其中所述第一 P型区从所述η型掺杂材料层的所述平面表面延伸到所述η型掺杂材料层中的第一深度，所述第二 P型掺杂区从所述η型掺杂材料层中的第二深度延伸到所述衬底；去除所述第一掩蔽层；在所述第一氧化物部、所述第一 P型掺杂区的一部分、以及所述η型掺杂材料层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及在所述η型掺杂材料层的暴露部、所述第一 P型掺杂区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述η型掺杂材料层和所述第二 P型掺杂区的区域中注入P型掺杂剂。
[0004]根据本发明的另一实施例，一种用于制造光调制器件的方法包括:在衬底上形成η型掺杂材料层，在所述η型掺杂材料层的一部分上形成第一氧化物部，并且在所述η型掺杂材料层的第二部分上形成第二氧化物部；在所述第一氧化物部、所述η型掺杂材料层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层；在所述η型掺杂材料层中注入P型掺杂剂以形成第一 P型掺杂区和第二 P型掺杂区，其中所述第一掩蔽层被配置为(operative to)撞击(impinge)通过所述第一掩蔽层的所述p型掺杂剂，以便所述第一 P型区从所述η型掺杂材料层的所述平面表面延伸到所述η型掺杂材料层中的第一深度，所述第二 P型掺杂区从所述η型掺杂材料层中的第二深度延伸到所述衬底；去除所述第一掩蔽层；在所述第一氧化物部、所述第一 P型掺杂区的一部分、以及所述η型掺杂材料层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及注入P型掺杂剂，其中所述第二掩蔽层被配置为阻碍所述P型掺杂剂，以便在所述η型掺杂材料层的暴露部、所述第一 P型掺杂区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述η型掺杂材料层和所述第二 P型掺杂区的区域中注入所述P型掺杂剂。
[0005]根据本发明的又一实施例，一种用于制造光调制器件的方法包括:在衬底上形成P型掺杂材料层，在所述P型掺杂材料层的一部分上形成第一氧化物部、以及在所述P型掺杂材料层的第二部分上形成第二氧化物部；在所述第一氧化物部、所述P型掺杂材料层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层；在所述P型掺杂材料层中注入η型掺杂剂以形成第一 η型掺杂区和第二 η型掺杂区，其中所述第一 η型掺杂区从所述P型掺杂材料层的所述平面表面延伸到所述P型掺杂材料层中的第一深度，所述第二 η型掺杂区从所述P型掺杂材料层中的第二深度延伸到所述衬底；去除所述第一掩蔽层；在所述第一氧化物部、所述第一 η型掺杂区的一部分、以及所述P型掺杂材料层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及在所述P型掺杂材料层的暴露部、所述第一 η型掺杂区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述P型掺杂材料层和所述第二 η型掺杂区的区域中注入η型掺杂剂。
[0006]通过本发明的技术实现其它特征和优点。本发明的其它实施例和方面在本文中被详细描述并且被视为所要求保护的本发明的一部分。为了更好地理解本发明的优点和特征，请参阅描述和附图。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]被视为本发明的主题在说明书结尾处的权利要求书中被具体地指明并且明确地要求保护。从结合附图进行的以下详细描述，本发明的上述及其它特征和优点将变得显而易见。
[0008]图1A示例出反向偏置的硅电光调制器的现有技术实例的截面图。
[0009]图1B示例出反向偏置的硅电光调制器的另一现有技术实例的截面图。
[0010]图2Α-?示例出用于在衬底上制造p-n 二极管特征的示例性方法，在此方面:
[0011]图2A示例出被设置在衬底上的硅层；
[0012]图2B示例出在硅层上图案化的光刻掩蔽层；
[0013]图2C示例出掩蔽层的图案化；
[0014]图2D示例出在腔中形成氧化物材料；
[0015]图2E示例出在掩埋氧化物(BOX)、氧化物材料和硅层的部分之上图案化的掩蔽层；
[0016]图2F示例出η型掺杂区的形成；
[0017]图3Α示例出衬底上的η型区的沿图3C中的线3Α的截面图；
[0018]图3Β示例出沿图3C中的线3Β的截面图；
[0019]图3C示例出沿图3Α和3Β中的线3C的顶视图；
[0020]图3D示例出沿图3Α和3Β中的线3D的底视图；
[0021]图4Α示例出掩蔽层和P型区的沿图4C中的线4Α的截面图；
[0022]图4Β示例出沿图4C中的线4Β的截面图；
[0023]图4C示例出沿图4Α和4Β中的线4C的顶视图；
[0024]图4D示例出沿图4Α和4Β中的线4D的底视图；
[0025]图4Ε示例出(图4Α中的)区域4Ε的详细视图；
[0026]图4F示例出(图4Α中的)区域4Ε的替代实施例的详细视图；
[0027]图5Α示例出第二掩蔽层和P型区的形成的沿图5C中的线5Α的截面图；
[0028]图5B示例出沿图5C中的线5B的截面图；
[0029]图5C示例出沿图5A和5B中的线5C的顶视图；以及
[0030]图?示例出沿图5A和5B中的线的底视图。
[0031]图6示例出p-n 二极管调制器件的示例性实施例的透视图。
[0032]图7示例出p-n 二极管调制器件的示例性实施例的另一透视图。
[0033]图8示例出p-n 二极管调制器件的替代示例性实施例的透视图。
【具体实施方式】
[0034]诸如上面在图1A和IB中描述的现有技术实例的先前的反向偏置的硅电光调制器的效率因为η区与P区之间的相对小的结区域而受到限制。下面描述的方法和所形成的结构提供这样的反正偏置的硅电光调制器:该调制器具有位于光场与P-n结区域之间的增加的重合区域。
[0035]图2A-?示例出用于在衬底上制造p-n 二极管特征的示例性方法。现在参考图2A，在包括掩埋氧化物层(BOX) 302的衬底上设置硅层202，其中掩埋氧化物层(BOX) 302被设置在硅层201上。在图2B中，在硅层202上图案化光刻掩蔽层204，并且执行诸如反应离子蚀刻(RIE)的蚀刻工艺以去除硅层202的暴露部，并且暴露部分BOX 302。在图2C中，掩蔽层204可被图案化或被去除,另一掩蔽层可在娃层202上被图案化以产生掩蔽层208。执行蚀刻工艺以去除硅层202的暴露部并限定(define)出腔206。在图2D中，在腔206中形成氧化物材料以产生氧化物材料306a和306b。在图2E中，在BOX 302、氧化物材料306a和306b、以及硅层202的部分之上图案化掩蔽层210。在图2F中，通过在硅层202的暴露部中注入η型掺杂剂，形成η掺杂区304。
[0036]参考图3，图3Α示例出沿(图3C中的)线3Α的截面图；图38示例出沿(图3C中的)线3Β的截面图；图3(:示例出顶视图；以及图3D示例出沿(图3Α和3Β中的)线3D的底视图。图3Α示例出被设置在衬底302上的η掺杂区304的形成，衬底302可包括例如诸如S12的氧化物材料或类似的材料。η掺杂区304可包括例如使用例如离子注入工艺而掺有η型掺杂剂的硅。在部分η掺杂区304之上形成可包括例如S12的氧化物材料306a和306b ο
[0037]参考图4，图4A示例出沿(图4C中的)线4A的截面图；图4B示例出沿(图4C中的)线4B的截面图；图4(:示例出顶视图；以及图4D示例出沿(图4A和4B中的)线4D的底视图。图4C示例出已经在氧化物材料306a和η掺杂区304的部分之上图案化的掩蔽层401。掩蔽层401可包括任何适当的掩蔽材料，例如氧化物硬掩模材料或有机掩蔽材料。掩蔽层401可使用任何适当的光刻图案化和/或蚀刻工艺形成。掩蔽层401被图案化以使得η型掺杂区304 —侧上暴露的氧化物材料306a被掩蔽层401、以及相邻的η掺杂区304的一部分遮蔽。部分η型掺杂区304以及部分相反侧的氧化物材料36b也被掩蔽层401遮蔽。掩蔽层401以所需的厚度形成，该厚度可被配置为影响所注入的P型掺杂剂403的穿透深度。在此方面，参考图4B，在η型掺杂区304中形成第一 P型区402。第一 ρ型区402从η型掺杂区304的表面(被掩蔽层401遮蔽)在深度上延伸到一深度d。图4A示例出第一ρ型区402的另一部分、以及在η型区304的不被掩蔽层401遮蔽的部分中执行注入工艺期间，在深度d下方形成的第二 ρ型区404。第二 ρ型区404被形成在深度d下方，这是因为在第二 P型区404的上方不存在掩蔽层401，从而降低了掺杂剂注入的穿透性。
[0038]尽管本文中描述的实施例包括在形成η型区304之后形成ρ型区，但是替代实施例可包括在形成与η型区304类似的ρ型区304之后，以与ρ型区类似的方式形成η型区。这样，替代实施例所形成的结构可包括被P型区替代的η型区、以及被η型区替代的ρ型区。
[0039]图4Ε示例出(图4Α中的)区域4Ε的详细视图，在此方面，第一 ρ型区402和第二ρ型区404限定出间隙405，其中η型掺杂区304的一部分被置于其间。掩蔽层401的所使用的材料和厚度以及注入工艺中的参数(例如，所使用的掺杂剂类型和能量)影响第一P型区402的深度d和所产生的间隙405。间隙405在η型掺杂区304中提供连接区。η型掺杂区304具有由表面420和衬底302限定的厚度t。第一 ρ型区402从η型掺杂区304的表面420延伸深度d。第二 ρ型掺杂区404从由表面420限定的深度d’开始，并且延伸到衬底302，以便第二 ρ型掺杂区404具有厚度尺寸(基本垂直于衬底302) t’。间隙405具有尺寸η (基本垂直于衬底302)，其中n = t_(d+t’)。
[0040]图4F示例出(图4A中的)区域4E的替代实施例的详细视图；其中在η型掺杂区304中形成的第一 ρ型区402由ρ型掺杂剂407形成，所述ρ型掺杂剂407相对于表面420以角度Θ嵌入，从而产生第一 ρ型区402的一部分具有对应于角度Θ的有斜面的轮廓。
[0041]在替代实施例中，第一 ρ型区402和第二 ρ型区404可使用图4Ε所示的注入形成。在注入之后，可使用η型掺杂剂(使用参数注入)执行类似于图4F所示的注入的倾斜注入，以便η型掺杂剂以不明显的方式渗透到第二 ρ型区404。但是，倾斜的η型掺杂剂注入会对第二 P型区404的一部分进行反掺杂，从而导致与图4F所示的结构类似的结构，此结构可进一步将间隙405限定为所需的尺寸。
[0042]参考图5，图5Α示例出沿(图5C中的)线5Α的截面图；图58示例出沿(图5C中的)线5Β的截面图；图5(:示例出顶视图；图50示例出沿(图5Α和5Β中的)线的底视图。图5Α示例出在部分的氧化物材料306a、η型掺杂区304、以及第一 ρ型区402之上图案化第二掩蔽层501 (在去除掩蔽层401之后)。第二掩蔽层501可使用适当的光刻图案化和/或蚀刻工艺由例如硬掩模材料或有机材料形成。第二掩蔽层501 (或在第二掩蔽层501中使用的材料)的厚度被配置为防止P型掺杂剂505注入被第二掩蔽层501遮蔽的区域中。部分的η型掺杂区304以及与氧化物材料306b相邻的第一 ρ型区402保持未被第二掩蔽层501遮蔽，以便ρ型掺杂剂505可注入未被遮蔽的区域。因此，参考图5Α，在η型掺杂区304的暴露部中形成第三ρ型区502 (产生第三ρ型区502)。第三ρ型区502连接到第二 P型区404。在第二 ρ型区404的暴露于ρ型掺杂剂的部分中形成P+型掺杂区504。
[0043]参考图5Β，将与氧化物材料306b相邻的第一 ρ型区402的未被遮蔽的部分暴露于P型掺杂剂505，这导致产生P+型掺杂区506，该P+型掺杂区506连接第一 ρ型区402与部分第二 P型区404。
[0044]图6示例出p-n 二极管调制器件600的示例性实施例的透视图。器件600包括主体部603、以及连接到η型掺杂区304的η型接触部602。ρ型接触部604连接到第一 ρ型区402、第二 ρ型区404、第三ρ型区502、ρ+型掺杂区504和ρ+型掺杂区506。在工作中，光学模沿着箭头601所指示的器件600的纵轴传播。图7示例出p-n 二极管调制器件600的示例性实施例的另一透视图。
[0045]器件600提供增加的p-n结区域以提高p_n 二极管调制器件600的效率。
[0046]尽管本文中描述的实施例包括在形成η型区304之后形成ρ型区，但是替代实施例可包括在形成与η型区304类似的ρ型区之后，以与ρ型区类似的方式形成η型区。这样，替代实施例所产生的结构可包括与器件600类似的结构。
[0047]在此方面，图8示例出具有与上述(图6和7中的)器件600类似的结构的ρ_η
二极管调制器件800的替代示例性实施例，然而，η型区和ρ型区已被彼此替代。例如，器件800包括ρ型区8304和8602、以及η型区8404、8502、8504、8506和8604。这种结构可通过使P型掺杂剂与η型掺杂剂交换、以及使η型掺杂剂与ρ型掺杂剂交换，使用与上面描述的类似的方法制成。
[0048]本文中所用的术语，仅仅是为了描述特定的实施例，而不意图限定本发明。本文中所用的单数形式的“一”和“该”，旨在也包括复数形式，除非上下文中明确地另行指出。还要知道，“包含”一词在本说明书中使用时，说明存在所指出的特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、单元组件，以及/或者它们的组合。
[0049]下面的权利要求中的所有装置或步骤加功能要素的对应结构、材料、动作和等价物旨在包括用于与具体地要求保护的其他要求保护的要素组合地执行功能的任何结构、材料或动作。本发明的说明书是为了示例和说明的目的而给出的，而不旨在以所公开的形式穷举或限制本发明。只要不脱离本发明的范围和精神，多种修改和变化对于本领域的普通技术人员而言是显而易见的。为了最好地解释本发明的原理和实际应用，且为了使本领域的其他普通技术人员能够理解本发明的具有适于所预期的特定用途的各种修改的各种实施例，选择和描述了实施例。
[0050]本文中示出的图只是一个实例。本文中描述的该图或步骤(或操作)可以存在许多变型而不偏离本发明的精神。例如，可以按不同的顺序执行所述步骤，或者可以添加、删除或修改步骤。所有这些变型都被视为要求保护的发明的一部分。
[0051]尽管已经描述了本发明的优选实施例，但是将理解，本领域的技术人员现在和将来都可做出落在下面的权利要求的范围内的各种改进和增强。这些权利要求应该被视为保持对首先描述的本发明的适当保护。
【权利要求】
1.一种用于制造光调制器件的方法，所述方法包括: 在衬底上形成η型掺杂材料层，在所述η型掺杂材料层的一部分上形成第一氧化物部，并且在所述η型掺杂材料层的第二部分上形成第二氧化物部； 在所述第一氧化物部、所述η型掺杂材料层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层； 在所述η型掺杂材料层中注入P型掺杂剂以形成第一 P型掺杂区和第二 P型掺杂区，其中所述第一 P型区从所述η型掺杂材料层的所述平面表面延伸到所述η型掺杂材料层中的第一深度，所述第二P型掺杂区从所述η型掺杂材料层中的第二深度延伸到所述衬底；去除所述第一掩蔽层； 在所述第一氧化物部、所述第一 P型掺杂区的一部分、以及所述η型掺杂材料层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及 在所述η型掺杂材料层的暴露部、所述第一 P型掺杂区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述η型掺杂材料层和所述第二 P型掺杂区的区域中注入P型掺杂剂。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一P型掺杂区和所述第二 P型掺杂区限定出间隙，使得所述η型掺杂材料层的一部分被设置于其间。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，相对于所述η型掺杂材料层的所述平面表面，所述第二深度大于所述第一深度。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述在所述η型掺杂材料层中注入P型掺杂剂以形成第一 P型掺杂区和第二 P型掺杂区包括相对于所述η型掺杂材料层的所述平面表面以倾斜角度注入所述P型掺杂剂。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一掩蔽层部分地限定所述第一P型掺杂区和所述第二 P型掺杂区。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述衬底上形成所述η型掺杂材料之前，所述方法包括: 在硅层之上图案化第三掩蔽层； 去除所述硅层的部分以暴露掩埋氧化物层的部分； 去除所述第三掩蔽层； 在所述硅层的部分之上图案化第四掩蔽层； 去除所述硅层的部分以在所述硅层中限定第一腔和第二腔； 在所述第一腔中形成第一氧化物部，且在所述第二腔中形成第二氧化物部；以及 在所述硅层的部分中注入η型掺杂剂。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述方法进一步包括:在所述硅层的所述部分中注入所述η型掺杂剂之前，在所述第一氧化物部、所述第二氧化物部和所述硅层的部分之上图案化第五掩蔽层。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一掩蔽层被配置为撞击通过所述第一掩蔽层的所述P型掺杂剂。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二掩蔽层被配置为阻碍所述P型掺杂剂。
10.一种用于制造光调制器件的方法，所述方法包括: 在衬底上形成η型掺杂材料层，在所述η型掺杂材料层的一部分上形成第一氧化物部，并且在所述η型掺杂材料层的第二部分上形成第二氧化物部； 在所述第一氧化物部、所述η型掺杂材料层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层； 在所述η型掺杂材料层中注入P型掺杂剂以形成第一 P型掺杂区和第二 P型掺杂区，其中所述第一掩蔽层被配置为撞击通过所述第一掩蔽层的所述P型掺杂剂，以便所述第一P型区从所述η型掺杂材料层的所述平面表面延伸到所述η型掺杂材料层中的第一深度，所述第二 P型掺杂区从所述η型掺杂材料层中的第二深度延伸到所述衬底； 去除所述第一掩蔽层； 在所述第一氧化物部、所述第一 P型掺杂区的一部分、以及所述η型掺杂材料层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及 注入P型掺杂剂，其中所述第二掩蔽层被配置为阻碍所述P型掺杂剂，以便在所述η型掺杂材料层的暴露部、所述第一 P型掺杂区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述η型掺杂材料层和所述第二 P型掺杂区的区域中注入所述P型掺杂剂。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一P型掺杂区和所述第二 P型掺杂区限定出间隙，使得所述η型掺杂材料层的一部分被设置于其间。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，相对于所述η型掺杂材料层的所述平面表面，所述第二深度大于所述第一深度。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，所述在所述η型掺杂材料层中注入P型掺杂剂以形成第一 P型掺杂区和第二 P型掺杂区包括相对于所述η型掺杂材料层的所述平面表面以倾斜角度注入所述P型掺杂剂。
14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一掩蔽层部分地限定所述第一P型掺杂区和所述第二 P型掺杂区。
15.根据权利要求10所述的方法，进一步包括，在所述衬底上形成所述η型掺杂材料之N /.1IJ: 在硅层之上图案化第三掩蔽层； 去除所述硅层的部分以暴露掩埋氧化物层的部分； 去除所述第三掩蔽层； 在所述硅层的部分之上图案化第四掩蔽层； 去除所述硅层的部分以在所述硅层中限定第一腔和第二腔； 在所述第一腔中形成第一氧化物部，且在所述第二腔中形成第二氧化物部；以及 在所述硅层的部分中注入η型掺杂剂。
16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括:在所述硅层的所述部分中注入所述η型掺杂剂之前，在所述第一氧化物部、所述第二氧化物部和所述硅层的部分之上图案化第五掩蔽层。
17.一种用于制造光调制器件的方法，所述方法包括: 在衬底上形成P型掺杂材料层，在所述P型掺杂材料层的一部分上形成第一氧化物部，并且在所述P型掺杂材料层的第二部分上形成第二氧化物部； 在所述第一氧化物部、所述P型掺杂材料层的平面表面的部分、以及所述第二氧化物部的部分之上图案化第一掩蔽层； 在所述P型掺杂材料层中注入η型掺杂剂以形成第一 η型掺杂区和第二 η型掺杂区，其中所述第一 η型区从所述P型掺杂材料层的所述平面表面延伸到所述P型掺杂材料层中的第一深度，所述第二η型掺杂区从所述P型掺杂材料层中的第二深度延伸到所述衬底；去除所述第一掩蔽层； 在所述第一氧化物部、所述第一 η型掺杂区的一部分、以及所述P型掺杂材料层的一部分之上图案化第二掩蔽层；以及 在所述P型掺杂材料层的暴露部、所述第一 η型掺杂区的暴露部、以及被设置在所述衬底与所述第二氧化物部之间的所述P型掺杂材料层和所述第二 η型掺杂区的区域中注入η型掺杂剂。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一η型掺杂区和所述第二 η型掺杂区限定出间隙，使得所述P型掺杂材料层的一部分被设置于其间。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，相对于所述P型掺杂材料层的所述平面表面，所述第二深度大于所述第一深度。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述在所述P型掺杂材料层中注入η型掺杂剂以形成第一 η型掺杂区和第二 η型掺杂区包括相对于所述P型掺杂材料层的所述平面表面以倾斜角度注入所述η型掺杂剂。
21.—种光调制器件,包括: 主体部，所述主体部被配置为使光学模沿着所述主体部的纵轴传播，所述主体部包括被设置在第二层上的第一层，其中，所述第一层包括沿着所述主体部的所述纵轴与第一η型掺杂区相邻的第一 P型掺杂区，并且所述第二层包括被设置在所述第一 P型掺杂区上的第二 η型掺杂区、以及沿着所述主体部的所述纵轴与所述第二 η型掺杂区相邻的第二 P型掺杂区，所述第二 P型掺杂区被设置在所述第一 η型掺杂区上。
22.根据权利要求21所述的器件，其中，所述第一P型掺杂区和所述第二 P型掺杂区限定出间隙，使得所述第一 η型掺杂区和所述第二 η型掺杂区的部分被设置于其间。
23.根据权利要求21所述的器件，其中，所述第一η型掺杂区连接到所述第二 η型掺杂区。
24.根据权利要求21所述的器件，其中，所述第一P型掺杂区连接到所述第二 P型掺杂区。
25.根据权利要求21所述的器件，其中，所述第一η型掺杂区连接到η型掺杂接触区。
26.根据权利要求21所述的器件，其中，所述第一P型掺杂区连接到P型掺杂接触区。
27.根据权利要求21所述的器件，其中，所述器件包括与所述器件的主体相邻地设置的P型掺杂接触区。
28.根据权利要求21所述的器件，其中，所述器件包括与所述器件的主体相邻地设置的η型掺杂接触区。
29.根据权利要求21所述的器件，其中，所述第二P型掺杂区所包括的第一部分具有比所述第二 P型掺杂区的第二部分大的P型掺杂剂密度。
30.根据权利要求21所述的器件，其中，所述第一P型掺杂区所包括的第一部分具有比所述第一 P型掺杂区的第二部分大的P型掺杂剂密度。
31.根据权利要求21所述的器件，其中，所述第二η型掺杂区限定出被所述第二P型掺杂区的部分围绕的基本垂直的侧壁。
32.—种光调制器件,包括: 主体部，所述主体部被配置为使光学模沿着所述主体部的纵轴传播，所述主体部包括被设置在第二层上的第一层，其中所述第一层包括沿着所述主体部的所述纵轴与第一 P型掺杂区相邻的第一 η型掺杂区，并且所述第二层包括被设置在所述第一 η型掺杂区上的第二 P型掺杂区、以及沿着所述主体部的所述纵轴与所述第二 P型掺杂区相邻的第二 η型掺杂区，所述第二 η型掺杂区被设置在所述第一 P型掺杂区上。
33.根据权利要求32所述的器件，其中，所述第一η型掺杂区和所述第二 η型掺杂区限定出间隙，使得所述第一P型掺杂区和所述第二P型掺杂区的部分被设置于其间。
34.根据权利要求32所述的器件，其中，所述第一P型掺杂区连接到所述第二 P型掺杂区。
35.根据权利要求32所述的器件，其中，所述第一η型掺杂区连接到所述第二 η型掺杂区。
36.根据权利要求32所述的器件，其中，所述第一P型掺杂区连接到P型掺杂接触区。
37.根据权利要求32所述的器件，其中，所述第一η型掺杂区连接到η型掺杂接触区。
38.根据权利要求32所述的器件，其中，所述器件包括与所述器件的主体相邻地设置的η型掺杂接触区。
39.根据权利要求32所述的器件，其中，所述器件包括与所述器件的主体相邻地设置的P型掺杂接触区。
40.根据权利要求32所述的器件，其中，所述第二η型掺杂区所包括的第一部分具有比所述第二 η型掺杂区的第二部分大的η型掺杂剂密度。
【文档编号】H01L21/00GK104321849SQ201380027000
【公开日】2015年1月28日 申请日期:2013年4月16日 优先权日:2012年6月21日
【发明者】W·M·格林, J·C·罗森伯格, Y·A·弗拉索夫 申请人:国际商业机器公司