热处理辐射的孔洞控制的制作方法

热处理辐射的孔洞控制的制作方法
【专利摘要】本文描述一种用于处理基板的装置。装置可包括辐射源及孔洞，所述孔洞经定位以接收来自辐射源的辐射能。孔洞可包括一或更多构件及一或更多干涉区域，其中干涉区域环绕透射区域。一或更多结构可影响穿过孔洞的透射区域的部分的辐射能的透射。安置于孔洞上的结构可减少或重定向透射，以提供穿过孔洞的辐射能的更均匀的整体透射。
【专利说明】热处理辐射的孔洞控制
[0001]发明背景发明领域
[0002]本发明的实施方式一般涉及一种用于控制来自孔洞的辐射的设备和方法。
[0003]相关技术的描述
[0004]半导体上的集成元件的大小已经缩减以匹配对更小及功能更强大的装置的持续需求。随着半导体装置上的特征变得更小，用于诸如光刻和热处理的工艺的光需要更高的分辨率。用于半导体应用的任何光刻或辐射热处理系统的关键能力为辐射均匀性及控制。
[0005]先进的退火装置使用孔洞以每次处理一个场。孔洞在晶片上成像，且仅孔洞的透射区域得以处理。可遮蔽或阻断一些无需或不用处理的区域，而不是处理整个场。
[0006]当光与诸如孔洞的边缘或平版印刷掩模的边缘的障碍物接触时，障碍物可使光衍射。光的衍射可在暴露的光刻胶或退火部分形成边缘、圆角或其他效应，而这些效应并不存在于孔洞或掩模的设计中。
[0007]光学邻近效应修正(OPC)已用于解决光刻中已知障碍物所形成的预期光失真。此可通过基于特征之间的宽度及间隔的预计算查阅资料表而驱动(基于规则式0PC)，或通过使用紧密模型以动态模拟最终图案而驱动，且进而驱动一般分为各部分的边缘的运动以找到最佳解决方案(基于模型式0PC)。
[0008]随着特征愈来愈紧密，必须提高光热处理中的辐射均匀性及控制以适应上述变化。现有系统能够实现约3%的不均匀性。然而，由于对制造能力的需求在继续增加，需要进一步改善。
[0009]因此，在本领域中需要允许在基于光学的半导体处理中增加不均匀性且进而增加产量的方法和设备。
[0010]发明概述
[0011]在一实施方式中，一种用于处理基板的装置可包括热退火辐射源及孔洞，所述孔洞经定位以接收来自热退火辐射源的辐射能。孔洞可包括至少一个透射构件及能量阻断构件。能量阻断构件可包括干涉区域，其中干涉区域界定穿过透射构件的透射区域。另外，装置可包括至少一个结构，所述结构影响穿过孔洞的透射区域的部分的辐射能的透射。
[0012]在另一实施方式中，一种用于处理基板的装置可包括:用于提供辐射能的热退火辐射源；及孔洞，所述孔洞经定位以接收来自热退火辐射源的辐射能。孔洞可包括:至少一个透射构件；一或更多第一结构，所述一或更多第一结构包括在透射构件中或透射构件上形成的干涉区域；及透射区域。在本实施方式中，透射区域由第一结构界定。装置也可包括一或更多第二结构，所述一或更多第二结构安置于孔洞的透射区域的至少一部分中。
[0013]附图简要说明
[0014]可详细理解本发明的上述特征结构的方式，即以上简要概述的本发明的更特定描述可参阅实施方式进行，其中一些实施方式在附图中图示，以便可详细了解上文所述的本发明的特征。然而，应注意，附图仅图示本发明的典型实施方式，且因此并非视为限制本发明的范围，因为本发明可允许其他同等有效的实施方式。
[0015]图1A和图1B图示根据一或更多实施方式的孔洞的侧视图。
[0016]图2图示控制辐射能至基板的透射的孔洞。
[0017]图3A至图3D图示具有光学邻近效应修正的孔洞的替代实施方式。
[0018]图4A至图4D图示具有强度修正的孔洞的替代实施方式。
[0019]相同元件符号已视需要用于指定附图中共有的相同元件以便于理解。应预期到，一实施方式中所公开的元件可有益地用于其他实施方式而无需特定叙述。
[0020]具体描述
[0021]本文公开一种用于热处理基板的装置，所述装置包括:提供辐射能的辐射源；及孔洞，所述孔洞经定位以接收来自辐射源的辐射能，孔洞具有一或更多结构，这些结构影响穿过孔洞的透射区域的部分的辐射能的透射。孔洞可包括:一或更多构件；及一或更多干涉区域，其中干涉区域环绕透射区域。干涉区域可包含能量阻断区域。孔洞通常使辐射能形成所要形状，且将所成形的辐射场指向基板。
[0022]结构可包括部分透射涂层，所述部分透射涂层可安置于部分或整个透射区域之上。可包括凸面、凹面及涂层的结构可安置于孔洞的透射区域的至少部分中。孔洞的构件可为能量阻断构件，这些能量阻断构件中的至少一者可包含干涉区域和/或透射区域，或可收敛或发散辐射能的透射构件。凸面及凹面的尺寸可小于辐射能的波长，以避免自孔洞发出的不良图像形成至辐射场中。结构中的至少一者可将辐射能指向基板的所要退火区域。
[0023]结构中的一者可为末端成形结构或强度校正结构，所述结构可包括形成于孔洞的构件中的一者上或中的凸面、凹面或以上两者的组合。凸面可包括接线、接点或其他形状，这些形状沉积或蚀刻于透射构件的顶部。凹面可包括接线、接点或其他形状，这些形状沉积或蚀刻在透射构件内部。末端成形结构或强度校正结构也可包括形成于孔洞或构件中的一者上或者中的部分透射涂层。
[0024]孔洞的任何部分上的涂层可为反射涂层、不透明涂层、部分透射涂层、部分反射涂层或以上各者的组合。此类涂层通常经选择以通过移除或减少辐射源所发射的辐射能的不均匀性而使到达基板的辐射能的强度更均匀。在一实施方式中，孔洞可收敛或发散辐射能。
[0025]凸面或凹面可通过诸如光刻的平版印刷工艺而形成在孔洞或孔洞的构件上。孔洞的任何部分上的凸面或凹面可为反射的、不透明的、部分透射的、部分反射的、或以上各者的组合。凸面或凹面可经定位以便将辐射能指向基板的所要退火区域的一或更多部分。在一或更多实施方式中，孔洞或构件的结构可为接线。在另一实施方式中，结构的尺寸可小于辐射能的波长。参阅以下附图可更好地了解本申请的实施方式。
[0026]图1A图示根据一实施方式的孔洞100的侧视图。孔洞100可具有第一构件102，第一构件102对于选定形式的能量为实质上透明的，诸如对于具有选定波长的光或激光辐射。可为不透明的、部分透射或部分反射的能量阻断构件104A可形成在第一构件102的表面的一部分上，从而界定开口 108，能量可以开口 108的形状穿过开口 108。第二构件106可安置于第一构件102及能量阻断构件104上，从而覆盖开口 108。第二构件106对于将要透射穿过孔洞100的能量也可为实质上透明的，且第二构件106的材料可与第一构件102相同。孔洞100的边缘是由确保微粒不进入开口 108的涂层110来封闭。
[0027]孔洞100可经定位以使得能量阻断构件104位于入射在孔洞100的能量的焦平面112上，以确保能量场的精确截断。因为开口 108定位于能量的焦平面上，开口中收集的任何粒子(例如第一构件102的表面上的粒子)在所透射的能量场中投射会导致基板的不均匀处理的阴影。第二构件106覆盖开口 108且封闭孔洞100的边缘，以确保粘附至孔洞100的任何粒子距离焦平面足够远，以使得在最终能量场中失焦，从而由于粒子的阴影所导致的最终能量场的强度变化有所减少。
[0028]第一构件102及第二构件106通常由相同材料制成，诸如玻璃或石英。能量阻断构件104A可为不透明材料、部分透射材料或部分反射材料，诸如金属，白漆或介电镜。能量阻断构件104A可为成形的及/或有形状的。能量阻断构件104A可使用适当粘接剂(诸如，加拿大香脂)涂覆至第一构件102上。或者，在蒸气应用工艺中，能量阻断构件104A可沉积或生成在第一构件102上，且随后经蚀刻以形成开口 108。第二构件106通常使用粘接剂涂覆至能量阻断构件104。然而，其他连接手段可用以连接第一构件102及第二构件106。举例而言，第二构件106也可在蒸汽应用工艺中沉积或生成。
[0029]涂层110可为透气性的或不透气性的材料。涂层可为粘接剂或使用粘接剂涂覆的硬质材料。或者，涂层110可通过将第一构件102及第二构件106的边缘与能量阻断构件104A的边缘熔融熔合而形成。
[0030]为避免孔洞100的折射效应,能量阻断构件104A的内部边缘114A所界定的开口108的侧壁可为锥形的、角形的、倾斜的或者以其他方式成形以使得折射效应最小化，例如通过匹配自热退火辐射源射出的辐射能的传播方向来使折射效应最小化。
[0031]图1B图示根据另一实施方式的孔洞120的侧视图。孔洞120与图1A所示的孔洞100类似，但孔洞120不具有中心开口 108。孔洞120包括嵌入有能量阻断构件104的透射构件122。减少孔洞120中不同介质之间的介面的数目可减弱折射效应。如上文结合图1A所描述，在图1B的实施方式中，能量阻断构件104B的内部边缘114B展示为锥形。
[0032]通过环绕着第一透射构件的中心台架蚀刻或研磨环形隔板，且通过使用非光学活性的粘接剂(诸如拿大香脂)将环形能量阻断构件粘附于环形隔板上，接着将第二透射构件粘附于能量阻断构件及第一透射构件的中心台架上，即可制成图1B的孔洞120。或者，能量阻断构件可粘附至不具有中心台架的第一透射构件上，且第二透射构件可通过在能量阻断构件上及第一透射构件的暴露部分上沉积一种材料且用透射材料填补中心开口而形成。在本领域中，透射材料的沉积众所熟知，且可用任何已知沉积或涂覆工艺来实践。
[0033]孔洞的大小可有所变化。较小孔洞可定位于较大孔洞附近，以减小所透射的能量场额大小。较小孔洞也可经再次移除以利用较大孔洞。可提供多个不同大小的孔洞，以允许针对不同大小的退火区域改变能量场的大小。或者，单个孔洞可具有可变的孔洞大小。两个矩形通道可形成在透明外壳中，且两对不透明的或反射性致动半板可安置于矩形通道中，使得一对半板共存于透明外壳的中心部分。半板对可经定向以沿正交轴移动，以使得通过移动各对半板在矩形通道之内更加靠近或更远离，大小可变的矩形孔洞可得以形成。
[0034]孔洞100及孔洞120可以任何所要方式放大或缩小穿过孔洞的光线的图像。孔洞的放大因数可为1:1，孔洞本质上并未放大，或可在约1.1:1与5:1因数之间以缩小图像的尺寸，例如约2:1或约4:1。缩减尺寸可适用于一些实施方式，因为所成像的能量场的边缘可通过尺寸缩小而锐化。以在约1:1.1与约1:5之间的因数放大(例如约1:2)可用于一些实施方式，以通过增加所成像的能量场的覆盖区域而改良效率及产量。
[0035]其他实施方式可包括使用第一透射构件而不使用第二透射构件或使用两个以上透射构件，以建立根据上述描述的替代实施方式。同样，实施方式可用诸如凸面、凹面或涂层的结构代替能量阻断构件104。
[0036]图2图示根据一实施方式的热处理装置200的俯视图。热处理装置200具有孔洞202，孔洞202具有干涉区域206及透射区域208。干涉区域206可减少或阻止辐射能的透射，此与例如通过利用上面安置有非透射层的受能量阻断构件104或其他区域影响的区域或孔洞100和102类似，所述能量阻断构件104或其他区域影响辐射能的透射。透射区域208使辐射能透射穿过孔洞202，且可包括完全透射或部分透射辐射能的区域，诸如能量阻断构件。尽管透射区域及周围的干涉区域展示为方形，但实施方式可取决于使用者的需要而包括所有已知形状或形状的群组。另外，一些实施方式可不包括干涉区域206。
[0037]热处理装置200具有热退火辐射源210。热退火辐射源210发出辐射能212，辐射能212可为相干光，例如激光束。孔洞202经定位以接收来自热退火辐射源210的辐射能212。孔洞使辐射能212成形且透射所得辐射能216至基板214。
[0038]透射至基板214的所得辐射能216在基板的表面上形成图像218，因为受辐射能212在透射区域208的边缘处衍射的影响，图像218由透射区域208成形。由于孔洞202的衍射，图像218在基板214上的形状可不同于透射区域的形状。同样，由于孔洞202的衍射，所得辐射能216的强度图案也可不同于辐射能212的原始强度图案。
[0039]在不受理论约束的情况下，当波与障碍物接触时，那些波可围绕障碍物弯曲。就热处理而言，穿过透射区域的辐射能既由透射区域成形，也围绕透射区域弯曲。图像的拐角处可存在光学死区，且辐射能可在图像的边缘“退出”。
[0040]折射结构可用以校正一些衍射效应,诸如突增效应(overshoot effect)。通过在透射区域形成形状，折射结构可调解预期光学死区及特定波长的光的其他性质，以更接近所要透射至基板的期望图像。
[0041]结合或独立于折射结构，通过在孔洞的透射区域形成涂层及凸面或凹面，可进一步控制辐射能的形状。本文中所描述的结构校正图像的末端。图3A至图3D图示具有末端成形结构的孔洞构件的替代实施方式，这些末端成形结构诸如形成在透射表面上的接线、接点及涂层。本文所公开的实施方式并非意欲限制所有可能实施方式。
[0042]图3A图示根据一实施方式的具有一或更多接线的末端成形孔洞。孔洞312可具有透射区域318，所述区域由干涉区域316界定于第一及第二构件中。透射区域318的边缘可各自具有一或更多接线314，这些接线可呈三角形及栅格状图案或其他图案。接线314可各自具有如下尺寸，例如小于选定用于基板的辐射能的波长的宽度。据信，若接线的尺寸大于辐射能的波长，则接线可在基板上形成阴影。
[0043]接线的间距可经调节以控制穿过孔洞的透射区域的辐射能的通量。举例而言，接线314之间的间距在透射区域318的边界附近可较小且在透射区域318的中心区域处可较大。接线314的间距可用以减少可产生于所得辐射能的边缘处的弯曲。
[0044]尽管本文所描绘的接线呈栅格形状，但是接线可呈任何形状。在一些情况下，接线可形成为诸如六边形或圆形的形状。另外，接线可各自具有一或更多曲线。最终，接线可各自具有不同尺寸以控制透射率，例如通过在要求图像的更多透射处使用较小尺寸的接线。上述实施方式的多种组合可用以实现类似结果。
[0045]图3B图示根据一实施方式的具有一或更多接点的末端成形孔洞。孔洞322可具有透射区域328，所述区域由干涉区域326界定于第一及第二构件中。透射区域328的边缘可具有接点区域324，接点区域324可基于要求减小辐射能的透射率的位置而呈三角形图案或其他图案。接点区域324可具有直径小于辐射能的波长的接点。接点的间距可经加宽以允许更多辐射能穿过孔洞。举例而言，接点区域324中接点的间距可随着接点区域324接近透射区域328的边界而缩减。如上所述，接点的定位、接点的透射率及接点的间距皆可用以控制死区及弯曲。另外，接点的间距无需相对于彼此保持统一。接点的形状无需为圆形，而可为椭圆形、方形或其他所要形状。另外，变化的尺寸、接点的大小及接点的间距可共同使用，以控制穿过透射区域328的总透射。
[0046]图3C图示根据一实施方式的具有至少一个涂布区域的末端成形孔洞。孔洞332可具有透射区域338，所述区域由干涉区域336界定于第一及第二构件中。透射区域338的边缘可具有涂布区域334，涂布区域334可基于要求减小辐射能的透射率的位置而呈方形图案或其他图案。涂层对辐射能的透射率可基于使用者的需要而均匀或变化，诸如高度透射的涂层位于预期有死区的区域附近，而弯曲区域附近具有逐渐增强的不透明性。
[0047]一个以上的区域可经涂布。涂布区域334可通过已知技术来沉积，诸如化学气相沉积(chemical vapor deposit1n, CVD)或物理气相沉积(physical vapordeposit1n, PVD) 0涂布区域334可为反射的或不透明的或以上两者的组合，诸如无定形碳层。涂布区域334也可经蚀刻以进一步界定边缘或在所得辐射能中形成保护区。
[0048]用于本文所描述的实施方式中的凸面、凹面及涂层可通过蚀刻工艺、沉积工艺或以上两者的组合形成。蚀刻工艺可包括平版印刷工艺，例如光刻。沉积工艺可包括CVD或PVD，诸如等离子体增强CVD工艺。所沉积的凸面、凹面及涂层可由反射材料、部分透射材料或不透明材料组成。以上列出的用于形成凹面及凸面的工艺的类型并非意欲限制。可预想的是，可根据本文所描述的实施方式采用如下任何工艺，所述工艺形成可减少、阻断或重定向穿过透射构件的透射区域的光的透射的结构。
[0049]凸面、凹面或涂层可用于减少、阻断或重定向透射。使用透镜状特征可达成的重定向透射对于修复均匀性而言很重要。当相同频率的两个波长结合时，所得图案由两个波长之间的相位差确定。相位中的波将经历相长干涉，而相位外的波将经历相消干涉。因为相比未经重定向的波，经重定向的波行进路径稍长，因此，经重定向的波可用以增强或干涉辐射能的其他部分。此效应可用以形成可用以处理所得辐射能的形状的可控制死区。
[0050]考虑到具有一个以上的构件的孔洞，凸面、凹面或涂层可形成在孔洞的任何构件的任何表面上，而此会影响透射区域的透射。另外，凸面、凹面或涂层可形成在一个以上的表面上，在这些表面上凸面、凹面或涂层们可共同或分别影响辐射能。凸面、凹面及涂层也可形成在同一表面，包括同一表面的同一区域，在所述表面上凸面、凹面及涂层可影响透射穿过孔洞的福射能。
[0051]图3D图示根据一或更多实施方式的具有一或更多切割区域的末端成形孔洞。孔洞342可具有透射区域348，所述区域由干涉区域346界定于第一及第二构件中。透射区域348的边缘可有一或更多切割区域344，所述一或更多切割区域344可基于要求减小辐射能透射的位置及形状而呈方形图案或其他图案。切割区域344可为固体涂层、部分透射涂层，蚀刻设计、如上所述的接点或接线，或以上各者的任何组合。在所描述的区域，辐射能可得以减少或完全阻断，从而保护基板的部件或区域。上述的末端成形结构可用以校正切割区域344的边缘处的折射，诸如在透射区域的边缘处的接线可用以校正突增效应。
[0052]上述的凸面、凹面及涂层可用以使辐射能成形，以与将受影响的区域相匹配。可使用凸面、凹面、涂层及能量阻断构件或以上各者的组合来形成末端成形结构。同样，凸面、凹面及涂层可用以提供所得辐射能的更均匀的强度。
[0053]结合或独立于上述的末端成形结构，通过在孔洞的透射区域上形成强度校正结构，可进一步控制辐射能的强度。图4A至图4D图示具有强度校正结构的孔洞构件的替代实施方式，这些强度校正结构诸如形成在透射表面上的接线、接点及涂层。本文所公开的实施方式并非意欲限制所有可能实施方式。
[0054]图4A描绘具有一或更多接线的强度校正孔洞的俯视图。孔洞412可具有透射区域418，所述区域由干涉区域416界定于第一及第二构件中。透射区域418的中心可具有一或更多接线414，所述接线可通过使用栅格状图案而圆形形状。可基于如可能所要求的减少辐射能透射的位置及强度而使用其他形状及图案。如上所述，接线414可蚀刻为一或更多构件，安置于构件上或内部，或以上各者的组合。本文所描述的接线414可包括先前所描述的变型，诸如改变接线的尺寸，改变接线之间的间距或改变接线的形状，以控制穿过孔洞412的透射区域418的总体透射。
[0055]在此实施方式中，接线可形成为具有栅格状图案的圆形结构，在所述结构中，距离中心愈远，接线的尺寸愈小且接线的间距愈大，从而形成具有较低透射率的中心区域及具有愈来愈高的透射率的外部区域。此实施方式经设计以减小以下区域的透射，在所述区域中的透射预期较少受折射影响，以使强度位于中心且边缘的强度更均匀。其他凸面、凹面、涂层或其他因数可能影响所得辐射能的强度，因为辐射能的强度对应于透射区域418。因而，接线414既不必位于中心，也无需在强度校正区域的部分之间具有不同透射率。
[0056]图4B描绘具有一或更多接点的强度校正孔洞的俯视图。孔洞422可具有透射区域428，所述区域由干涉区域426界定于第一及第二构件中。透射区域428的中心可具有一或更多接点424，所述一或更多接点424可呈接点之间的距离增加的圆形形状。可基于如可能所要求的减少辐射能透射的位置及强度而使用其他形状及图案。如上所述，一或更多接点424可蚀刻为一或更多构件，安置于一或更多构件上或内部，或以上各者的组合。本文所描述的一或更多424接点可包括先前所描述的变型,诸如改变接点的尺寸、改变接点之间的间隔、改变接点的透射率或改变接点的形状，以控制穿过孔洞422的透射区域428的辐射能的总体透射。
[0057]在此实施方式中，接点可形成为如下圆形结构，在所述结构中，距离中心愈远，接点之间的间隔愈大，且因此接点愈少。此实施方式可形成具有较低透射率的中心区域及具有愈来愈高的透射率的外部区域。此实施方式经设计以减小以下区域的透射，在所述区域中的透射预期较少受折射影响，以使强度位于中心且边缘的强度更均匀。其他凸面、凹面、涂层或其他因数可影响所得辐射能的强度，因为辐射能的强度对应于透射区域428。因而，一或更多接点424既不必位于中心，也无需在强度校正区域的部分之间具有不同透射率。
[0058]图4C描绘了具有涂布区域434的强度校正孔洞的俯视图。孔洞432可具有透射区域438，所述区域由干涉区域436界定于第一及第二构件中。透射区域438的中心可具有涂布区域434，涂布区域434可基于要求减小辐射能透射率的位置而呈圆形图案或其他图案。如上所述，涂布区域434可包括部分透射涂层。同样，涂层可为反射涂层或不透明涂层。其他实施方式可根据使用者的需要而包括结合反射涂层及不透明涂层两者。
[0059]在此实施方式中，涂布区域可形成为环状结构或梯度状结构，在所述结构中，中心区域具有较低透射率而外部环或外部区域具有愈来愈高的透射率。此实施方式经设计以减小以下区域的透射，在所述区域中的透射预期较少受折射影响，以使强度位于中心且边缘的强度更均匀。其他凸面、凹面、涂层或其他因数可影响所得辐射能的强度，因为辐射能的强度对应于透射区域。因而，涂布区域既不必位于中心，也无需在强度校正区域的部分之间具有不同透射率。另外，尽管此实施方式所展示的环状结构的边界是可辨别的，但是其他实施方式中可包括具有不可辨别的边界的梯度或环状结构。
[0060]图4D描绘了透射区域内形成有形状410及一或更多接线444的强度校正孔洞的俯视图。孔洞442可具有透射区域448，所述区域由干涉区域416界定于第一及第二构件中。透射区域可具有形成在所成形的干涉区域446中的一或更多形状410。透射区域448的中心可具有一或更多接线444，所述一或更多接线444可基于要求减小辐射能透射率的位置而呈四角星形状图案或其他图案。此实施方式所描述的接线444可用于校正已由一或更多形状410改变的光束的强度，以得到可在基板上生成更多方形图像的所得辐射能。尽管此实施方式描述为使用接线以改变辐射能的强度且生成更均匀的所得辐射能，但也可使用任何类型的凸面、凹面或涂层，不管单独使用还是使用以上各者的一些组合。
[0061]上述实施方式也可连同收敛或发散辐射能的构件(诸如透镜)一起使用。构件可在构件的一或更多区域或在整个构件中收敛或分散辐射能。辐射能的收敛或分散可通过构件的总体形状改变、在构件的特定部分成形，或以上两者的组合。另外，在一或更多实施方式中可组合收敛及分散的部分以形成可收敛和分散辐射能的构件。
[0062]参阅强度校正孔洞或末端成形孔洞描述的凸面、凹面涂层可以任何组合使用，以形成透射至基板的边缘均匀且强度均匀的所得辐射能。特定的实施方式并非意欲限制本申请中所公开的可能实施方式的范围。
[0063]本文所描述的实施方式涉及一种用于控制流经孔洞的辐射的装置。控制辐射意欲包括控制透射至基板的辐射形状及场强度。通过提供呈如上所述的形状的接线或接点，可控制所得辐射能的形状及强度。本文中所描述的实施方式可结合彼此使用或单独使用。通过使用孔洞上的强度校正或末端成形结构的组合，来自辐射能的图像可在较短时间段内更均匀地影响基板。
[0064]尽管上述内容涉及本发明的实施方式，在不脱离本发明的基本范围的情况下，可设计本发明的其他及另外的实施方式，且本发明的范围由随附权利要求书的范围确定。
【权利要求】
1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括: 热退火辐射源； 孔洞，所述孔洞经定位以接收来自所述热退火辐射源的辐射能，所述孔洞包括: 至少一个透射构件；和 能量阻断构件，其中所述能量阻断构件包括干涉区域，且其中所述干涉区域界定穿过所述透射构件的透射区域；和 至少一个结构，所述结构影响穿过所述孔洞的所述透射区域的一部分的辐射能的透射。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述结构为部分透射涂层。
3.如权利要求2所述的装置，其中所述部分透射涂层安置于整个所述透射区域上。
4.如权利要求1所述的装置，其中所述结构为末端成形结构，所述末端成形结构包括形成于所述透射构件上或中的凸面、凹面或以上两者的组合。
5.如权利要求4所述的装置，其中所述末端成形结构进一步包括部分透射涂层，所述部分透射涂层形成于所述透射构件中的至少一者上或中。
6.如权利要求1所述的装置，其中所述结构为强度校正结构。
7.如权利要求6所述的装置，其中所述强度校正结构包括形成于所述透射构件上或中的凸面、凹面或以上两者的组合。
8.一种用于处理基板的装置，所述装置包括: 热退火辐射源，所述热退火辐射源提供辐射能； 孔洞，所述孔洞经定位以接收来自所述热退火辐射源的辐射能，所述孔洞包括: 至少一个透射构件； 一或更多第一结构，所述一或更多第一结构包括形成于所述透射构件上或中的干涉区域；和 透射区域，其中所述透射区域由所述第一结构界定；和 一或更多第二结构，所述一或更多第二结构安置于所述孔洞的所述透射区域的至少一部分中。
9.如权利要求8所述的装置，其中所述第二结构的尺寸小于所述辐射能的波长。
10.如权利要求8所述的装置，其中所述第一结构安置于一个以上透射构件上或中。
11.如权利要求8所述的装置，其中所述第二结构包括末端成形结构。
12.如权利要求11所述的装置，其中所述末端成形结构包括形成于所述透射构件中的至少一者上或中的凸面、凹面或以上两者的组合。
13.如权利要求11所述的装置，其中所述末端成形结构包括形成于所述透射构件中的至少一者上或中的部分透射涂层。
14.如权利要求11所述的装置，其中所述第二结构是强度校正结构，所述强度校正结构包括形成于所述透射构件中的至少一者上或中的凸面、凹面或以上两者的组合。
15.如权利要求14所述的装置，其中所述强度校正结构进一步包括形成于所述透射构件中的至少一者上或中的涂层。
【文档编号】H01L21/027GK104380433SQ201380032053
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2013年5月30日 优先权日:2012年6月22日
【发明者】阿米科姆·萨德, 斯蒂芬·莫法特, 布鲁斯·E·亚当斯 申请人:应用材料公司