低损耗磁芯的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种低损耗磁芯，包括圆柱形的磁芯本体，所述磁芯本体的纵向形成有异型贯通结构，所述异型贯通结构包括两个相邻设置的形状相似的贯通孔，所述磁芯本体还形成有若干个L型降损通孔，所述L型降损通孔其中一端开孔位于磁芯本体的顶壁或底壁、另一端通孔位于磁芯本体的侧壁上。有益之处在于：本发明的磁芯，通过对结构进行巧妙改进，在100KHz、200mT、30-100℃温度区域内的体积功耗值均在260kW/m3以下，且随着环境温度的提高，功耗曲线平稳，因而本发明的磁芯在使用过程中的性能更加稳定优越，具有良好的市场前景。
【专利说明】低损耗磁芯
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种磁芯，具体涉及一种低损耗磁芯。
【背景技术】
[0002]磁芯是广泛用于变压器、节能灯等产品中的磁性元器件，随着电子工业的快速发展，磁芯产品的尺寸向小型化发展，但是对磁芯的性能要求却越来越高，由于损耗是磁芯在使用过程中不可避免地存在的，所以，如何降低损耗、从而提高单位体积的能量利用率、满足小尺寸磁芯的高性能要求是市场的大势所趋。
【发明内容】
[0003]为解决现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种低损耗的磁芯。
[0004]为了实现上述目标，本发明采用如下的技术方案:
低损耗磁芯，包括圆柱形的磁芯本体，所述磁芯本体的纵向形成有异型贯通结构，所述异型贯通结构包括两个相邻设置的形状相似的贯通孔，所述磁芯本体还形成有若干个L型降损通孔，所述L型降损通孔其中一端开孔位于磁芯本体的顶壁或底壁、另一端通孔位于磁芯本体的侧壁上。
[0005]前述异型贯通结构为日字形或者8字形。
[0006]前述异型贯通结构的横截面面积不大于磁芯本体横截面面积的二分之一。
[0007]前述L型降损通孔为两个，关于磁芯本体的中轴对称设置，L型降损通孔的短边平行于磁芯本体的径向、长边平行于磁芯本体的轴向。
[0008]前述L型降损通孔的长边的长度超过磁芯本体高度的二分之一。
[0009]前述L型降损通孔的截面积为贯通孔截面积的1/5-1/3。
[0010]前述磁芯由铁氧体制成。
[0011]本发明的有益之处在于:本发明的磁芯,通过对结构进行巧妙改进,在ΙΟΟΚΗζ、200mT、30-100°C温度区域内的体积功耗值均在260kW/m3以下，且随着环境温度的提高，功耗曲线平稳，因而本发明的磁芯在使用过程中的性能更加稳定优越，具有良好的市场前景。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是本发明的低损耗磁芯的一个具体实施例的结构示意图；
图2是本发明的低损耗磁芯的另一个具体实施例的结构示意图。
[0013]图中附图标记的含义:1、磁芯本体，2、异型贯通结构，3、L型降损通孔。
【具体实施方式】
[0014]以下结合附图和具体实施例对本发明作具体的介绍。
[0015]参见图1和图2，本发明的低损耗磁芯，优选由铁氧体制成，包括圆柱形的磁芯本体1，在磁芯本体I的纵向形成有异型贯通结构2。具体地，异型贯通结构2包括两个相邻设置的形状相似的贯通孔，比如图1所示的日字形或图2所示的8字形，当然，并不仅限于这两种结构。
[0016]进一步地，磁芯本体I还形成有若干个L型降损通孔，L型降损通孔3其中一端开孔位于磁芯本体I的顶壁或底壁、另一端通孔位于磁芯本体I的侧壁上。
[0017]作为一种优选，异型贯通结构2的横截面面积不大于磁芯本体I横截面面积的二分之一。
[0018]如图1和图2所示，L型降损通孔3为两个，关于磁芯本体I的中轴对称设置，L型降损通孔3的短边平行于磁芯本体I的径向、长边平行于磁芯本体I的轴向。优选地，L型降损通孔3的长边的长度超过磁芯本体I高度的二分之一。而且，L型降损通孔3的截面积为贯通孔截面积的1/5-1/3。这样的结构设计是最合理的，研究证明，该结构的磁芯，降损效果相当显著。下面对本发明的磁芯进行损耗测试，且与市购的同规格产品进行比较，测试条件均为100KHz、200mT、30-100°C温度区域，测试结果见表1。
【权利要求】
1.低损耗磁芯，其特征在于，包括圆柱形的磁芯本体，所述磁芯本体的纵向形成有异型贯通结构，所述异型贯通结构包括两个相邻设置的形状相似的贯通孔，所述磁芯本体还形成有若干个L型降损通孔，所述L型降损通孔其中一端开孔位于磁芯本体的顶壁或底壁、另一端通孔位于磁芯本体的侧壁上。
2.根据权利要求1所述的低损耗磁芯，其特征在于，所述异型贯通结构为日字形或者8字形。
3.根据权利要求2所述的低损耗磁芯，其特征在于，所述异型贯通结构的横截面面积不大于磁芯本体横截面面积的二分之一。
4.根据权利要求3所述的低损耗磁芯，其特征在于，所述L型降损通孔为两个，关于磁芯本体的中轴对称设置，L型降损通孔的短边平行于磁芯本体的径向、长边平行于磁芯本体的轴向。
5.根据权利要求4所述的低损耗磁芯，其特征在于，所述L型降损通孔的长边的长度超过磁芯本体高度的二分之一。
6.根据权利要求1-5任一项所述的低损耗磁芯，其特征在于，所述L型降损通孔的截面积为贯通孔截面积的1/5-1/3。
7.根据权利要求6所述的低损耗磁芯，其特征在于，所述磁芯由铁氧体制成。
【文档编号】H01F27/24GK103943324SQ201410102796
【公开日】2014年7月23日 申请日期:2014年3月19日 优先权日:2014年3月19日
【发明者】高其荣 申请人:鸿康磁业电子（昆山）有限公司