低损耗磁芯的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种低损耗磁芯，包括圆柱形的磁芯本体，所述磁芯本体的纵向形成有贯通结构，所述贯通结构包括两个相邻设置的形状相似的贯通孔，所述磁芯本体还形成有若干个L型降损通孔，所述L型降损通孔其中一端开孔位于磁芯本体的顶壁或底壁、另一端通孔位于磁芯本体的侧壁上。有益之处在于：本实用新型的磁芯，通过对结构进行巧妙改进，在100KHz、200mT、30-100℃温度区域内的体积功耗值均在260kW/m3以下，且随着环境温度的提高，功耗曲线平稳，因而本实用新型的磁芯在使用过程中的性能更加稳定优越，具有良好的市场前景。
【专利说明】
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种磁芯，具体涉及一种低损耗磁芯。 低损耗磁芯
【背景技术】
[0002] 磁芯是广泛用于变压器、节能灯等产品中的磁性元器件，随着电子工业的快速发 展，磁芯产品的尺寸向小型化发展，但是对磁芯的性能要求却越来越高，由于损耗是磁芯在 使用过程中不可避免地存在的，所以，如何降低损耗、从而提高单位体积的能量利用率、满 足小尺寸磁芯的高性能要求是市场的大势所趋。 实用新型内容
[0003] 为解决现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种低损耗的磁芯。
[0004] 为了实现上述目标，本实用新型采用如下的技术方案：
[0005] 低损耗磁芯，包括圆柱形的磁芯本体，所述磁芯本体的纵向形成有贯通结构，所述 贯通结构包括两个相邻设置的形状相似的贯通孔，所述磁芯本体还形成有若干个L型降损 通孔，所述L型降损通孔其中一端开孔位于磁芯本体的顶壁或底壁、另一端通孔位于磁芯 本体的侧壁上。
[0006] 前述贯通结构为日字形或者8字形。
[0007] 前述贯通结构的横截面面积不大于磁芯本体横截面面积的二分之一。
[0008] 前述L型降损通孔为两个，关于磁芯本体的中轴对称设置，L型降损通孔的短边平 行于磁芯本体的径向、长边平行于磁芯本体的轴向。
[0009] 前述L型降损通孔的长边的长度超过磁芯本体高度的二分之一。
[0010] 前述L型降损通孔的截面积为贯通孔截面积的1/5-1/3。
[0011] 前述磁芯由铁氧体制成。
[0012] 本实用新型的有益之处在于：本实用新型的磁芯，通过对结构进行巧妙改进，在 100KH Z、200mT、30-100°C温度区域内的体积功耗值均在260kW/m3以下，且随着环境温度的 提高，功耗曲线平稳，因而本实用新型的磁芯在使用过程中的性能更加稳定优越，具有良好 的市场前景。
【专利附图】
【附图说明】
[0013] 图1是本实用新型的低损耗磁芯的一个具体实施例的结构示意图；
[0014] 图2是本实用新型的低损耗磁芯的另一个具体实施例的结构示意图。
[0015] 图中附图标记的含义：1、磁芯本体，2、贯通结构，3、L型降损通孔。
【具体实施方式】
[0016] 以下结合附图和具体实施例对本实用新型作具体的介绍。
[0017] 参见图1和图2,本实用新型的低损耗磁芯，优选由铁氧体制成，包括圆柱形的磁 芯本体1，在磁芯本体1的纵向形成有贯通结构2。具体地，贯通结构2包括两个相邻设置 的形状相似的贯通孔，比如图1所示的日字形或图2所示的8字形，当然，并不仅限于这两 种结构。
[0018] 进一步地，磁芯本体1还形成有若干个L型降损通孔，L型降损通孔3其中一端开 孔位于磁芯本体1的顶壁或底壁、另一端通孔位于磁芯本体1的侧壁上。
[0019] 作为一种优选，贯通结构2的横截面面积不大于磁芯本体1横截面面积的二分之 〇
[0020] 如图1和图2所示，L型降损通孔3为两个，关于磁芯本体1的中轴对称设置，L型 降损通孔3的短边平行于磁芯本体1的径向、长边平行于磁芯本体1的轴向。优选地，L型 降损通孔3的长边的长度超过磁芯本体1高度的二分之一。而且，L型降损通孔3的截面 积为贯通孔截面积的1/5-1/3。这样的结构设计是最合理的，研究证明，该结构的磁芯，降损 效果相当显著。下面对本实用新型的磁芯进行损耗测试，且与市购的同规格产品进行比较， 测试条件均为100KH Z、200mT、30-100°C温度区域，测试结果见表1。
【权利要求】
1. 低损耗磁芯，其特征在于，包括圆柱形的磁芯本体，所述磁芯本体的纵向形成有贯通 结构，所述贯通结构包括两个相邻设置的形状相似的贯通孔，所述磁芯本体还形成有若干 个L型降损通孔，所述L型降损通孔其中一端开孔位于磁芯本体的顶壁或底壁、另一端通孔 位于磁芯本体的侧壁上。
2. 根据权利要求1所述的低损耗磁芯，其特征在于，所述贯通结构为日字形或者8字 形。
3. 根据权利要求2所述的低损耗磁芯，其特征在于，所述贯通结构的横截面面积不大 于磁芯本体横截面面积的二分之一。
4. 根据权利要求3所述的低损耗磁芯，其特征在于，所述L型降损通孔为两个，关于磁 芯本体的中轴对称设置，L型降损通孔的短边平行于磁芯本体的径向、长边平行于磁芯本体 的轴向。
5. 根据权利要求4所述的低损耗磁芯，其特征在于，所述L型降损通孔的长边的长度超 过磁芯本体高度的二分之一。
6. 根据权利要求1-5任一项所述的低损耗磁芯，其特征在于，所述L型降损通孔的截面 积为贯通孔截面积的1/5-1/3。
7. 根据权利要求6所述的低损耗磁芯，其特征在于，所述磁芯由铁氧体制成。
【文档编号】H01F27/24GK203850105SQ201420124895
【公开日】2014年9月24日 申请日期:2014年3月19日 优先权日:2014年3月19日
【发明者】高其荣 申请人:鸿康磁业电子（昆山）有限公司