低衰减值10瓦2dB衰减片的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种低衰减值10瓦2dB衰减片，其包括一尺寸长为5mm、宽为2.5mm、厚度为1mm的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有导线，所述导线间印刷有黑色电阻，所述导线和黑色电阻通过高温烧结产生电性能，所述氮化铝基板的背面印刷有整面银浆，所述导线和背面的整面银浆通过侧面二次印刷银浆导通。该衰减片在方案设计时，在满足功率要求的前提下，尽量缩小了产品的尺寸，使得产品的生产效率提高，材料成本降低，同时电路设计上，充分考虑了导线的走向对其电性能的影响，满足了目前市场的VSWR和衰减精度等性能指标的要求,填补了国内低衰减值衰减片的空白，满足了目前主流的3G网络的应用要求，其各项指标均达到国际领先水平。
【专利说明】低哀减值10瓦2dB哀减片
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种衰减片，特别涉及一种低衰减值10瓦2dB衰减片。
【背景技术】
[0002]衰减片在航空、航天、雷达、电台、广播、通讯等领域有着不可或确的作用，之前大部分设备采用负载片作为吸收功率的作用，而负载片只能单纯地消耗和吸收多余的功率，是一个纯功率消耗器件。而使用衰减片在吸收反向输入的功率的同时还能对设备工作的信号进行抽样分析，既能保护设备，又能检测设备。
[0003]随着科技的不断进步，对通讯设备的要也越来越高，目前很多通讯设备，例如我们手机接受和发射信号的基站在越来越多地采用衰减片。在国外，特别是欧美国家，对衰减片和负载片研发生产都要比国内起步早很多，无论在产品的丰富性还是产品微波特性上都处于比较优势地位。同时国内市场上现有的衰减片系列少，衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际使用要求。
【发明内容】
[0004]针对上述现有技术的不足，本发明要解决的技术问题是提供一种阻值满足
221.1 Ω ±3%，在3G频段以内衰减精度为2±0.5dB,驻波要求输入、输出端在1.2以内，能够满足目前主流的3G网络的应用要求的低衰减值10瓦2dB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。
[0005]为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案:
1.一种低衰减值10瓦2dB衰减片，其特征在于:包括一尺寸长为5mm、宽为2.5mm、厚度为1_的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有导线，所述导线间印刷有黑色电阻，所述导线和黑色电阻通过高温烧结产生电性能，所述氮化铝基板的背面印刷有整面银浆，所述导线和背面的整面银浆通过侧面二次印刷银浆导通
优选的，所述黑色电阻上印刷有一层透明的玻璃相保护膜优选的，所述黑色保护膜可以耐强酸强碱。
[0006]上述技术方案具有如下有益效果:低衰减值10瓦2dB衰减片，生产效率高，有效降低了材料成本，从而从根本上降低了产品本身成本，且功率满足使用要求。电路设计上基于MWO电路设计理念，在导线走位和电阻排布上做了合理的布局，并采用导体本身介质特性，对产品电性能进行改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得该型号衰减片能应用于3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域以及隔离器、环形器等微波产品的生产。
[0007]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本发明的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1为本发明实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0009]下面结合附图对本发明的优选实施例进行详细介绍。
[0010]如图1所示，该低衰减值10瓦2dB衰减片包括一尺寸长为5mm、宽为2.5mm、厚度为Imm的氮化铝基板1，氮化铝基板I的背面印刷有整面银浆背导层，氮化铝基板I的正面印刷有导线2及黑色电阻Rl、R2、R3，R4、R5，黑色电阻Rl、R2、R3、R4、R5通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过二次侧面印刷银浆与背导层连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路沿陶瓷基板的中心线对称，黑色电阻Rl、R2、R3、R4、R5上印刷有透明玻璃相保护膜3，导线2及玻璃相保护膜3的上表面还印刷有一层黑色保护膜4，这样可对导线2及黑色电阻R1、R2、R3、R4、R5形成保护。
[0011]该低衰减值10瓦2dB衰减片要求输入端和接地的阻值为221.1 Ω ±3%，输出端和接地端的阻值为221.1 Ω ±3%。信号输入端进入衰减片，经过膜状电阻Rl、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。
[0012]该低衰减值10瓦2dB衰减片，生产效率高，有效降低了材料成本，从而从根本上降低了产品本身成本，且功率满足使用要求。电路设计上基于MWO电路设计理念，在导线走位和电阻排布上做了合理的布局，并采用导体本身介质特性，对产品电性能进行改善，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得该型号衰减片能应用于3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域以及隔离器、环形器等微波产品的生产，拓展了国内衰减片的应用频段。
[0013]以上对本发明实施例所提供的低衰减值10瓦2dB衰减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本发明实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡依本发明设计思想所做的任何改变都在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种低衰减值10瓦2dB衰减片，其特征在于:包括一尺寸长为5mm、宽为2.5mm、厚度为1_的氮化铝基板，所述氮化铝基板的正面印刷有导线，所述导线间印刷有黑色电阻，所述导线和黑色电阻通过高温烧结产生电性能，所述氮化铝基板的背面印刷有整面银浆，所述导线和背面的整面银浆通过侧面二次印刷银浆导通。
2.根据权利要求1所述的低衰减值10瓦2dB衰减片，其特征在于:所述黑色电阻上印刷有一层透明的玻璃相保护膜。
3.根据权利要求1所述的低衰减值10瓦2dB衰减片，其特征在于:所述黑色保护膜可以耐强酸强碱。
【文档编号】H01P1/22GK104241756SQ201410231238
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年5月28日 优先权日:2014年5月28日
【发明者】不公告发明人 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司