专利名称：一种大功率低互调3dB衰减单元的制作方法
技术领域：
本发明涉及通信用低互调负载和低互调衰减器领域，具体是一种用于制作低互调负载或低互调衰减器的大功率低互调3dB衰减单元。
背景技术：
随着微波通讯技术的发展，人们对宽频带，低互调的无源器件需求日增，其中低互调负载和低互调衰减器由于其适用范围广，需求更为迫切。负载和衰减器都是用来功率衰减。其中衰减器用于微波系统中，是一个二端口有耗微波网络，其作用是将一路微波功率按一定比例衰减后输出。现有的构成射频微波功率衰减器的基本材料是电阻型材料。通常的、电阻是衰减器的一种基本形式，由此形成的电阻衰减器网络就是集总参数衰减器。通过一定的工艺把电阻材料放置到不同波段的射频电路结构中就形成了相应频率的衰减器。由于衰减器中的电阻是一些金属氧化物合成，内部含有杂质，当微波从衰减器的一端输入，另外一端输出会产生互调失真，互调失真是由杂散信号组成，正式由于衰减器中电阻的非线性因素而产生的。目前此种衰减器的三阶互调最小值在_120dBC。而且互调性能很不稳定。目前为了实现低互调的功率，通常通过低互调线通过绕线方式来解决，但是在大功率应用情况下，需要的低互调线大约要几十米甚至几百米，低互调线的成本较高，从而导致这样生产出来的产品的成本会很高。另外由于低互调线的承载功率一定，所以低互调衰减器的功率容量都很有限。
背景技术：
本发明要解决的技术问题是提供一种大功率低互调3dB衰减单元，其结构简单，且保证了衰减后的低互调指标要求。本发明的技术方案为
一种大功率低互调3dB衰减单元,包括电桥和两个大功率电阻,一个大功率电阻连接于电桥腔体上的一输入端上，另一个大功率电阻连接于电桥腔体上的一输出端上。所述的两个大功率电阻内置于电桥腔体内，电桥腔体外且未设置有大功率电阻的一输入端和未设置有大功率电阻的一输出端上均连接有射频连接器。所述的电桥腔体上的两输入端和两输出端上均连接有射频连接器，所述的两个大功率电阻选用大功率电阻器，所述的大功率电阻器设置于电源腔体外且分别通过射频连接器与电桥腔体上的一输入端和电桥腔体上的一输出端连接。所述的电桥选用腔体电桥或微带电桥。所述的电桥腔体内包括有两个导带，且两个导带的两端均分别连接电桥腔体上的输入端和输出端；所述的两个大功率电阻分别连接于同一导带的两端，或分别连接于两个导带的其中一端头上。
本发明的优点
本发明采用了四端口电桥的结构，在电桥内部连接大功率电阻，用大功率电阻来分担功率，并通过矢网分析仪对电桥进行调试使低互调衰减单元输出端与输入端形成3dB的耦合度和插损，当两个大功率电阻接在同一导带上时，输入端和输出端在同一导带上，此时形3dB的插损，当大功率电阻不在同一导带上时，此时输入端和输出端也不在同一导带，两者形成3dB耦合度，保证衰减后的输出功率为输入功率的一半。根据能量守恒定律，输入端的功率等于输出端的功率和替代另一输出端的电阻承担功率之和，电阻承担的功率转换成热能散发。本发明的衰减功率较大，而且成本较低，替代低互调绕线的方式有效的减少了生产低互调负载或者低互调衰减器的生产成本。
图I是本发明实施例I的结构示意图。
图2是本发明实施例2的结构示意图。图3是本发明实施例3的结构示意图。图4是本发明实施例4的结构示意图。图5是本发明实施例5的结构示意图。
具体实施例方式实施例I
以同边进同边出电桥为例，见图1，一种大功率低互调3dB衰减单元，包括电桥和两个设置于电桥腔体I内的大功率电阻31、32 ;电桥腔体I上设置有同侧的两输入端和同侧的两输出端，电桥腔体内包括两个不在同一平面上的导带21、22，导带21和导带22的一端分别通过两个大功率电阻31、32与电桥腔体I上的一输入端、一输出端连接，导带21未连接有大功率电阻31的一端与电桥腔体I另一输出端上的射频连接器41连接，导带22未连接有大功率电阻32的一端与电桥腔体I另一输入端上的射频连接器42连接。由图1，大功率低互调衰减单元的输入端和输出端不在同一导带上，其通过调试可以形成3dB的耦合度。实施例2
以同边进同边出电桥为例，见图2，一种大功率低互调3dB衰减单元，包括电桥和两个设置于电桥腔体I内的大功率电阻31、32 ;电桥腔体I上设置有同侧的两输入端和同侧的两输出端，电桥腔体内包括两个不在同一平面上的导带21、22，导带21的两端分别通过两个大功率电阻31、32与电桥腔体I上的一输入端、一输出端连接，导带22的两端分别与电桥腔体I另一输入端上的射频连接器41和另一输出端上的射频连接器42连接。由图2，大功率低互调衰减单元的输入端和输出端在同一导带上，两者通过调试可以形成3dB的插损。实施例3
以非同边进同边出电桥为例，见图3，一种大功率低互调3dB衰减单元，包括电桥和两个设置于电桥腔体I内的大功率电阻31、32 ;电桥腔体I上设置有异侧的两输入端和异侧的两输出端，电桥腔体内包括两个在同一平面上的导带21、22，导带21的两端分别通过两个大功率电阻31、32与电桥腔体I上的一输入端、一输出端连接，导带22的两端分别与电桥腔体I另一输入端上的射频连接器41和另一输出端上的射频连接器42连接。由图3，输入端和输出端在同一导带上，两者通过调试可以形成3dB的插损。实施例4
以非同边进同边出电桥为例，见图4，一种大功率低互调3dB衰减单元，包括电桥和两个设置于电桥腔体I内的大功率电阻31、32 ;电桥腔体I上设置有异侧的两输入端和异侧的两输出端，电桥腔体内包括两个在同一平面上的导带21、22，导带21和导带22的一端分别通过两个大功率电阻31、32与电桥腔体I上的一输出端、一输入端连接，导带21未连接有大功率电阻31的一端与电桥腔体I另一输入端上的射频连接器41连接，导带22未连接有大功率电阻32的一端与电桥腔体I另一输出端上的射频连接器42连接。由图4，输入端和输出端不在同一导带上，两者通过调试可以形成3dB的耦合度。实施例5
以同边进同边出电桥为例，见图5，一种大功率低互调3dB衰减单元，包括电桥，两个设置于电桥腔体内且不在同一平面上的导带21、22，四个设置于电桥腔体I外且分别与电桥腔体I上的两输入端和两输出端分别连接的射频连接器41、42、43、44，两个设置电桥腔体I外且分别通过射频连接器41、43与电桥腔体上的一输入端和一输出端连接的大功率电阻器31、32 ;电桥腔体I上设置有同侧的两输入端和同侧的两输出端，导带21、22的两端均分别连接电桥腔体上的一输入端和一输出端上，且射频连接器41、44连接于导带21的两端，射频连接器42、43连接于导带22的两端。由图5，大功率低互调衰减单元的输入端和输出端不在同一导带上，其通过调试可以形成3dB的耦合度。权利要求
1.一种大功率低互调3dB衰减单元，其特征在于包括电桥和两个大功率电阻，一个大功率电阻连接于电桥腔体的一输入端上，另一个大功率电阻连接于电桥腔体的一输出端上。
2.根据权利要求I所述的一种大功率低互调3dB衰减单元，其特征在于所述的两个大功率电阻内置于电桥腔体内，电桥腔体外且未设置有大功率电阻的一输入端和未设置有大功率电阻的一输出端上均连接有射频连接器。
3.根据权利要求I所述的一种大功率低互调3dB衰减单元，其特征在于所述的电桥腔体上的两输入端和两输出端上均连接有射频连接器，所述的两个大功率电阻选用大功率电阻器，所述的大功率电阻器设置于电源腔体外且分别通过射频连接器与电桥腔体上的一输入端和电桥腔体上的一输出端连接。
4.根据权利要求I所述的一种大功率低互调3dB衰减单元，其特征在于所述的电桥选用腔体电桥或微带电桥。
5.根据权利要求I所述的一种大功率低互调3dB衰减单元，其特征在于所述的电桥腔体内包括有两个导带，且两个导带的两端均分别连接电桥腔体上的输入端和输出端；所述的两个大功率电阻分别连接于同一导带的两端，或分别连接于两个导带的其中一端头上。
全文摘要
本发明公开了一种大功率低互调3dB衰减单元，包括电桥和两个大功率电阻，一个大功率电阻连接于电桥腔体的一输入端上，另一个大功率电阻连接于电桥腔体的一输出端上。本发明由于衰减功率较大，而且成本较低，替代低互调绕线的方式减小功率的方法，有效的减少了生产低互调负载的生产成本，同时保证了器件的低互调指标性能。
文档编号H01P1/22GK102694224SQ20121020295
公开日2012年9月26日 申请日期2012年6月19日 优先权日2012年6月19日
发明者唐伟 申请人:合肥威科电子技术有限公司