高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，其包括一长5mm、宽2.5mm、厚度1mm的高导热氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线，所述银浆导线通过高温烧结膜状电阻连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层，所述正导和背导通过低温银浆导通。该衰减片在案设计上充分考虑了各项性能指标,高频无感,打破了原来衰减片只能应用于低频的局面,能够满足目前3G网络的应用要求，其各项指标均达到国际领先水平。
【专利说明】高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片
【技术领域】
[0001]发明涉及一种氮化铝陶瓷衰减片，特别涉及一种高频高稳定性高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB的衰减片。
【背景技术】
[0002]目前集成了五个膜状电阻设计的衰减片广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域。在通讯领域使用负载片只能单纯地消耗吸收多余的功率，而使用衰减片在吸收反向输入的功率，保护线路设备的同时还能收集需要的信号进行分析，并在高频电路上调整功率电平，去耦，对相关设备起到了保护作用。
[0003]由于国外对同类产品的研发与制造比国内起步早，特别对衰减片等技术含量较高产品几乎处于垄断，无论在产品系列还是产品特性上都处于优势地位。而国内市场上现有的衰减片衰减精度低，且能使用的频段相对较窄。我们希望的衰减器是一个功率消耗元件，不能对两端电路有影响，也就是说，与两端电路都是匹配的。当衰减精度或VSWR达不到要求时，输出端得到的信号不符合实际要求。
【发明内容】
[0004]针对上述现有技术的不足，发明要解决的技术问题是提供一种阻抗满足50±1.5Ω，在3G频段以内衰减精度为20±0.5dB,驻波要求输入、输出端在1.2以内，能够满足目前3G网络的应用要求的高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，取代国外同类产品，并在特性上填补国内产品的空白。
[0005]为解决上述技术问题，发明采用如下技术方案:
一种高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，包括一长5mm、宽2.5mm、厚度
1.0mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线，所述银浆导线通过高温烧结由五个膜状电阻连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层，所述正导和背导通过低温银浆导通。
[0006]优选的，所述高温烧结膜状电阻上印刷有glass保护膜。
[0007]优选的，所述导线及glass保护膜的上表面还印刷有一层黑色耐酸碱polymer膜。
[0008]上述技术方案具有如下有M效果:该闻频闻稳定性氣化招陶瓷基板10瓦20dB裳减片体积小，材料成本有效降低；产量高，生产成本有效降低；对称电路设计，频率特性好，电路的稳定性得到提升，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。拓展了国内衰减片的应用频段。
[0009]上述说明仅是发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。发明的【具体实施方式】由以下实施例及其附图详细给出。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为发明实施例的结构示意图。
【具体实施方式】
[0011]下面结合附图对发明的优选实施例进行详细介绍。
[0012]如图1所示，该高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片包括一长5.0mm、宽2.5mm、厚度1.0mm的氮化铝陶瓷基板1，氮化铝基板I的背面印刷有高纯度银浆背导层，氮化铝基板I的正面印刷有高纯度银浆导线2及膜状电阻Rl、R2、R3，R4、R5膜状电阻R1、R2、R3、R4、R5通过导线连接形成衰减电路，衰减电路通过低温银浆与背导层连接，从而使衰减电路接地导通。该衰减电路沿氮化铝基板的中心线对称，膜状电阻町、1?2、1?3、1?4、1?5上印刷有glass保护膜3,导线2及glass保护膜3的上表面还印刷有一层黑色耐酸碱polymer膜4，这样可对导线2及膜状电阻Rl、R2、R3、R4、R5形成保护。
[0013]该高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片要求输入端和接地的阻抗为50±1.5Ω，输出端和接地端的阻抗为50±1.5Ω。信号输入端进入衰减片，经过膜状电阻Rl、R2、R5、R3、R4对功率的逐步吸收，从输出端输出实际所需要的信号。
[0014]该高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片体积小，材料成本有效降低；产量高，生产成本有效降低；对称电路设计，频率特性好，电路的稳定性得到提升，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，使得衰减片能应用于3G的网络。可广泛应用于航空、航天、雷达、电台、广播通讯等设备领域隔离器、环形器等微波产品的生产。拓展了国内衰减片的应用频段。
[0015]以上对发明实施例所提供的一种闻频闻稳定性氣化招陶瓷基板10瓦20dB;g;减片进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据发明实施例的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对发明的限制，凡依发明设计思想所做的任何改变都在发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，其特征在于:包括一长5mm、宽2.5mm、厚度Imm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有高纯度银浆导线，所述银浆导线通过高温烧结膜状电阻连通，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有高纯度银浆背导层，所述正导和背导通过低温银浆导通。
2.根据权利要求1所述的高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，其特征在于:所述高温烧结膜状电阻上印刷有glass保护膜。
3.根据权利要求1所述的高频高稳定性氮化铝陶瓷基板10瓦20dB衰减片，其特征在于:所述导线及glass保护膜的上表面还印刷有一层黑色耐酸碱polymer膜。
【文档编号】H01P1/22GK104241769SQ201410234080
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年5月29日 优先权日:2014年5月29日
【发明者】不公告发明人 申请人:苏州市新诚氏电子有限公司