一种大功率pin器件硅外延片的制造方法
【专利摘要】本发明大功率PIN器件硅外延片的制造方法，选用重掺As的N型<100>抛光片，电阻率≤0.003Ω·cm，局部平整度≤1.5mm，背面无背封氧化层。1、利用质量迁移原理使多晶硅从石墨基座转移到衬底背面，达到背面包封的目的；2、选择合适的气腐流量和气腐时间，减少气腐杂质在外延反应室的气相浓度，以减少外延生长时的自掺杂；3、气腐后，选择变温变流量氢气进行吹扫外延反应室；4、第一层外延生长：在高浓度的衬底表面使用较低的温度生长一层本征外延层进行包封，通过控制其生长温度、生长速率和生长时间，使包封层达到理想效果；5、第二层外延生长：使用较低的温度生长一层表面浓度小于10E13cm-3的外延层。
【专利说明】—种大功率PIN器件硅外延片的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体硅材料领域的硅外延片，具体而言，是关于一种大功率PIN器件硅外延片的制造方法。
【背景技术】
[0002]PIN二极管(positive-1ntrinsic-negative d1de,缩写为PIN d1de),是在两种半导体之间的PN结，或者半导体与金属之间的结的邻近区域，吸收光辐射而产生光电流的一种光检测器。普通的二极管由PN结组成，在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层，组成的这种P_I_N结构的二极管就是PIN器件。PIN器件是广泛应用于微波、电力和光电领域中的一种常见半导体器件，在微波领域中多用作微波开关、微波衰减器、微波限幅器、数字移相器等；在电力领域中多用作大功率整流管等；在光电领域中多用作光电检测器等等。
[0003]众所周知，在重掺As衬底上淀积极低浓度的外延层是极其困难的。目前国际上一般采用低压低温外延生长和等离子体增强化学汽相淀积，但这种方法设备复杂、价格昂贵，在一定条件下限制其使用范围，而且低压淀积时生长速率较慢，不适用于生长5 μ m以上的外延层。外延生长工艺是一种在单晶衬底的表面上淀积一个单晶薄层的方法，由于对杂质浓度有良好的控制以及能获得晶体的完整性，气相外延得到了最广泛的应用。
[0004]在重掺As衬底上进行轻掺杂外延层的生长，理想的外延层与衬底的过渡区是陡峭的。然而在实际生长过程中，由于杂质原子由高浓度衬底向外延层的固态扩散和在外延前的HCl腐蚀、H2处理和外延生长时的高温，使重掺衬底片的杂质原子从正面、边缘和背面从由固相蒸发到反应室的气相中，虽经大流量气体吹除，仍有部分杂质留在衬底表面的滞留层内，在外延生长时进入外延层形成气相自掺杂，致使衬底与外延层界面杂质浓度过高，造成过渡区加宽，从而减少外延层的有效厚度。同时气相自掺杂对外延层表面径向电阻率分布的均匀性产生很大的影响，使外延片中心电阻率高，边缘电阻率低，制成器件时其击穿电压Vbc是中间大边缘小，造成击穿电压和串联电阻的不均匀。
【发明内容】
[0005]针对现有技术中存在的问题，依据外延工艺自掺杂效应的产生机理、抑制方法以及固态扩散理论，本发明提出了一种新型的硅外延工艺技术，与常规外延方法相比较，其技术特点如下:长时间小流量气腐，使石墨基座表面的多晶硅充分转移到衬底片背面以达到背面包封的要求；变速大流量H2吹除外延反应室中残余的杂质原子；使用低温低速率生长条件，减少固相和气相自掺杂的影响。
[0006]本发明的技术方案如下:
[0007]a.为满足大功率PIN器件的设计要求，选用重掺As的N型〈100〉抛光片，电阻率(0.003 Ω.cm,在15mmX 15mm的局部平整度< 1.5mm,背面无背封氧化层；
[0008]b.外延生长之前，石墨基座必须进行HCl高温处理，去除基座上残余的反应物，并淀积一层闻纯多晶娃;
[0009]c.为了得到外延前洁净的表面和石墨基座上高纯多晶硅充分转移到衬底片背面，适当增加气腐时间，在1130-1150°C，选择合适的HCl流量3?4L/min，气腐时间20min，气腐结束后，温度降至900°C，采用H2流量由320slm—lOOslm— 320slm交替变速吹除lOmin，以排除外延反应室中残余的杂质，减小外延生长中的自掺杂效应；
[0010]d.外延生长工艺:综合考虑自掺杂，晶格质量、表面浓度控制及生产效率等因素，选择适当的双层外延工艺条件，硅源采用超高纯三氯氢硅(TCS)，第一层纯度外延层，生长温度1000?1020°C，生长速率0.3?0.5 μ m/min,第二步生长温度1030?1050°C，生长速率为0.3?0.5 μ m/min，按照外延层技术要求选择适当的掺杂源流量和生长时间。
[0011]本发明“一种大功率PIN管用硅外延片的制造方法”，采用独特的HCl气腐工艺、背面包封工艺以及变温变速大流量H2吹扫，最大限度的减少气相自掺杂的效应；双层外延生长，减小衬底的杂质向外延层扩散，从而减少过渡区宽度，提高器件的击穿电压和降低饱和压降，保证器件的性能和成品率。
【具体实施方式】
[0012]以下通过具体实施例对本发明进行详细地说明:
[0013]本实施例的PIN管用硅外延片的制造方法，选用重掺As的N型〈100〉抛光片，电阻率彡0.003Ω._，局部平整度彡1.5mm，背面无背封氧化层。其工艺在于:1、利用质量迁移原理使多晶硅从石墨基座转移到衬底背面，达到背面包封的目的；2、选择合适的气腐流量和气腐时间，减少气腐杂质在外延反应室的气相浓度，以减少外延生长时的自掺杂；3、气腐后，选择变温变流量氢气进行吹扫外延反应室，以减少其内的杂质浓度；4、第一层外延生长:在高浓度的衬底表面使用较低的温度生长一层本征外延层进行包封，通过控制其生长温度、生长速率和生长时间，使包封层达到理想效果，但必须考虑以下几点:①低温淀积减少衬底硅片杂质的蒸汽压和固态扩散热氧化和扩散过程中杂质的再分布；5、第二层外延生长:使用较低的温度生长一层表面浓度小于10E13cm_3的外延层。
[0014]本实施例采用设备为意大利PE-2061S常压硅外延生长系统，高纯石墨基座作为高频感应加热体，主要载气H2纯度为99.9999%以上。
[0015]反应室清洗:石英钟罩以及反应室中使用的石英零件在进行外延前必须仔细清洗，彻底清除石英钟罩内壁和石英件上的淀积残留物。
[0016]反应室闻温处理:外延生长之如，石墨基座必须进彳丁 HCl温闻处理，去除基座上残余的反应物，并淀积一层本征多晶娃。
[0017]衬底背面包封与气腐:外延生长之前对衬底片进行背面包封和表面HCl抛光腐蚀，去除衬底表面机械损伤层及氧化物，清除表面沾污，改善表面状况，减少外延层缺陷。本发明采用的工艺条件既充分保证了石墨基座表面的高纯多晶硅充分转移到衬底片背面，起到良好的背面包封效果，又得到了洁净的原始硅片表面，同时使进入气相的杂质最少，减小T自掺杂效应。气腐温度1130-1150°C，HCl流量3?5L/min，气腐时间20min。
[0018]变温变速大流量H2吹扫:反应是温度降至900 °C，采用H2流量由320slm — 10slm — 320slm交替变速吹除1min,以排除外延反应室中残余的杂质,减小外延生长中的自掺杂效应。
[0019]双层外延生长:第一层纯度外延层，生长温度1000?1020°C (较低的温度)，生长速率0.2?0.3 μ m/min，第二层生长温度1030?1050°C (较低的温度)，生长速率为0.3?0.5 μ m/min。根据外延层的技术要求选择合适的掺杂源流量和生长时间。
[0020]本发明方法所制作的硅外延片晶格结构完好，表面光亮无细亮点，位错< 100/cm2，层错< 10/cm2，无翘边和边缘结晶现象，完全满足后续PIN器件的要求。
[0021]以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更改或修饰进行等同变化的等效实施例，但该等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的权利保护范围内。
【权利要求】
1.一种大功率PIN器件硅外延片的制造方法，其特征在于: 为满足PIN器件设计的要求，选用重掺As的N型〈100〉抛光片，电阻率彡0.003 Ω -cm,在15_X 15mm的局部平整度< 1.5mm,背面无背封氧化层； HCl气腐条件的选择:气腐温度1130-1150°C，气腐时间20min，HCl流量3_4L/min ；使用多晶硅自封闭技术使多晶硅从石墨基座转移到衬底背面，达到背面包封的目的；HCl气腐抛光后变温变速变流量的大流量氢气吹扫1min以上，排除反应室中残余的N型杂质，减小外延生长时的自掺杂效应； 第一层外延生长:在高浓度的衬底表面使用较低的温度生长一层纯度外延层进行包封，通过控制其生长温度、生长速率和生长时间，使包封层达到理想效果； 第二层外延生长:使用较低的温度生长一层表面浓度小于10E13cm_3的外延层。
2.根据权利要求1所述的PIN管用硅外延片的制造方法，其特征在于:高纯石墨基座作为高频感应加热体，主要载气H2纯度为99.9999%以上。
3.根据权利要求2所述的PIN管用硅外延片的制造方法，其特征在于:外延生长之前，石墨基座必须进行HCl高温处理，去除基座上残余的反应物，并淀积一层高纯多晶硅。
4.根据权利要求1所述的PIN管用硅外延片的制造方法，其特征在于:气腐完成后，采用H2流量由320slm— 10slm — 320slm交替变速吹除lOmin，温度为900°C。
5.根据权利要求1所述的PIN管用硅外延片的制造方法，其特征在于:所述的外延生长为双层外延生长:第一层纯度外延层，生长温度1000?1020°C，生长速率0.3?0.5 μ m/min,第二层生长温度1030?1050,生长速率为0.3?0.5 μ m/min,按照外延层技术要求选择适当的生长时间和掺杂设定。
【文档编号】H01L21/329GK104409345SQ201410643082
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年11月13日 优先权日:2014年11月13日
【发明者】金龙, 李国鹏, 谭卫东 申请人:南京国盛电子有限公司