一种紫外icmos图像探测器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种紫外ICMOS图像探测器，要用于在长距离的电力输送中，对输电塔、输电线路的故障检查。主要技术方案是：在壳体左部，固定安装紫外像增强器，在壳体右部，耦合座粘接在CMOS图像传感器的陶瓷片上，紫外像增强器光锥的末端方形面，通过耦合座与CMOS图像传感器的芯片同轴耦合，最后用盖板粘接固定。本实用新型通过试用证明：从根本上克服了原电晕检查仪存在的功耗高，体积大，价格昂贵的现象，有效的降低了电力输送中的维修成本。
【专利说明】—种紫外ICMOS图像探测器
【技术领域】
[0001]本实用新型属于一种光电探测器，具体是一种紫外增强的图像探测器，主要用于在长距离的电力输送中，对输电塔、输电线路的故障检查，也可用于其它类似的故障检查。
[0002]电力输送一般是在超高电压条件下进行的，对输电塔、输电线的维修和维护是保证电力安全输送的前提，输电塔往往高达几十米，有的甚至上百米，而且多数的高压输电塔安装在崇山峻岭之中，因此完全靠人工来完成输电线路的检查几乎是不可能的。目前采用的电晕检查仪，是检查高压输电线之间发生放电或漏电的主要工具。它由一般的碲铯光电阴极的紫外像增强器和电荷耦合图像传感器(CXD)组成，简称紫外ICXD图像探测器。其工作原理:紫外像增强器将微弱的电晕放电发出的紫外图像进行增强，之后通过中继镜把输出的图像传递到CCD图像传感器的靶面上，将图像转变为视频信号，最后由显示器对紫外图像进行显示，供查看。这种电晕检查仪在实际中发挥了积极重要的作用。但存在的问题是:功耗高，体积大，价格昂贵，使整个维修成本上升。不适应现代工作的需求。
实用新型内容
[0003]本实用新型要解决的主要技术问题和目的是:根据现行的电晕检查仪存在
[0004]的缺点，设计一种紫外增强的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像探测器，简称紫外ICMOS图像探测器。从根本上克服功耗高，体积大，价格昂贵的现象，有效的降低电力输送中的维修成本。
[0005]本实用新型的主要技术方案:紫外ICMOS图像探测器由钾碲铯光电阴极的紫外像增强器、壳体、CMOS图像传感器三个部件组成，具体结构，在壳体内左部，通过硅橡胶固定安装紫外像增强器，在壳体内右部，圆锥耦合座粘接在CMOS图像传感器的陶瓷片上，紫外像增强器光锥的末端方形面，通过圆锥耦合座与CMOS图像传感器的输入端芯片同轴耦合，最后用盖板与壳体
[0006]粘接固定。
[0007]本实用新型通过试用证明:与原紫外ICXD图像探测器相比，功耗由原来的2.5瓦下降到0.3瓦；重量减轻了近60% ;体积减小到50%以下；分辨力及响应速度等性能指标均比原来高，探测器总成本降低了 40%以上。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]下面结合附图，对本实用新型的【具体实施方式】作进一步详细地描述。
[0009]图1，是本实用新型的结构示意图。
[0010]图2，是本实用新型光锥3与CMOS图像传感器耦合结构的放大示意图。
[0011]图3，是本实用新型紫外像增强器I的外形简易图。
[0012]图4，是图3的右视图。
【具体实施方式】
[0013]参照图1、2、4，对本实用新型的主要技术方案进行说明:紫外ICMOS图像探测器由钾碲铯光电阴极的紫外像增强器1、壳体I1、CM0S图像传感器III三个部件组成。具体结构:在壳体II内左部，通过硅橡胶4固定安装紫外像增强器I，在壳体II内右部，圆锥耦合座5粘接在CMOS图像传感器的陶瓷片9上(见图2)，紫外像增强器光锥3的末端方形面10 (见图4)，通过圆锥耦合座5与CMOS图像传感器的输入端芯片7同轴耦合(见图2)，最后用盖板6与壳体II粘接固定。
[0014]参照图3、4，所述的紫外像增强器光锥3的末端方形面10，应与CMOS图像传感器输入端芯片7的方形面大小、平面度相吻合，订货时应对厂家提出特殊要求。
[0015]参照图1，所述的紫外像增强器I是标准化器件，可市场购置，应选用钾碲铯紫外光电阴极I双微通道板2的紫外像增强器，如北方夜视技术股份有限公司生产的有效直径为18mm、025mm和Φ40πιπι规格的产品；CMOS图像传感器是标准化器件，可市场购置，应优先选用芯片为1/2吋、1/3吋和I吋规格的产品。
[0016]参照图1，本实用新型的工作原理:紫外像增强器I把微弱的电晕放电发出的紫外图像亮度放大10卜107倍之后，通过光锥3将图像传递到CMOS图像传感器的芯片7上转变为视频信号，最后由显示器对紫外图像进行显示，供查看。
[0017]参照图1，本实用新型的关键技术分析:ICM0S图像探测器和紫外ICXD图像探测器均使用紫外像增强器来进行图像亮度增强。两者的区别是，紫外ICCD图像探测器采用的是碲铯光电阴极的紫外像增强器，而紫外ICMOS图像探测器采用的是钾碲铯光电阴极的紫外像增强器，因为钾碲铯光电阴极的量子效率比碲铯光电阴极的量子效率要高出35%，自然输出的亮度增益就高；ICCD图像探测器采用的是CCD图像传感器，而ICMOS图像探测器采用的是CMOS图像传感器，CMOS图像传感器比CXD图像传感器的制作工艺简单，成本较低，其性能，如功耗、分辨力及响应速度等指标均优于CCD图像传感器。因此紫外ICMOS图像探测器的经济成本和质量性能是先进的。
【权利要求】
1.一种紫外ICMOS图像探测器，其特征在于:由钾碲铯光电阴极的紫外像增强器(I )、壳体(II)、CMOS图像传感器(III)三个部件组成，具体结构，在壳体(II)内左部，通过硅橡胶(4)固定安装紫外像增强器(I )，在壳体(II)内右部，圆锥耦合座(5)粘接在CMOS图像传感器的陶瓷片(9)上，紫外像增强器光锥(3)的末端方形面(10)，通过圆锥耦合座(5)与CMOS图像传感器的输入端芯片(7)同轴耦合，最后用盖板(6)与壳体(II)粘接固定。
【文档编号】H01L27/146GK203839381SQ201420198345
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年4月23日 优先权日:2014年4月23日
【发明者】李晓峰, 杨文波, 陈超, 冯辉, 王志宏 申请人:北方夜视技术股份有限公司