一种icp刻蚀机的圆形托盘的制作方法
【专利摘要】本实用新型提供一种ICP刻蚀机的圆形托盘，其特征在于圆形托盘表面排列若干用于放置LED晶圆片的容置槽，所述容置槽直径相同，并且每个容置槽周围都有六个容置槽与其相切，呈最密堆积排列。本实用新型的有益效果：在托盘直径大小不变的情况下通过增加容置槽，增加了刻蚀LED晶圆片的数量，提高了生产效率。
【专利说明】一种ICP刻蚀机的圆形托盘
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种ICP刻蚀机，尤其涉及一种ICP刻蚀机的圆形托盘。
【背景技术】
[0002]所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。刻蚀最简单最常用分类是干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。其优点是:各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。缺点是:成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程(如屏蔽式，下游式，桶式)，纯物理过程(如离子铣)，物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP等。
[0003]与其它刻蚀技术相比，ICP刻蚀技术结构简单、性价比高、装置的环径比更大、装置更小型化且操作简单。同时ICP源具有至少在直径20cm范围内的均匀性，可独立控制离子密度和离子能量，已成为目前较为理想的等离子体源。目前ICP刻蚀技术广泛应用于微电子、LED及光伏领域。
[0004]ICP刻蚀机主要由腔体、下电极和圆形托盘组成。现有的圆形托盘如图1所示。用于放置LED晶圆片的容置槽2呈环形排列在圆形托盘I上，容置槽个数共有27个。
实用新型内容
[0005]本实用新型解决的问题在于提供一种ICP刻蚀机的圆形托盘，在托盘直径大小不变的情况下增加用于放置LED晶圆片的容置槽。
[0006]为解决上述技术问题，本实用新型提出一种ICP刻蚀机的圆形托盘，其特征在于圆形托盘表面排列若干用于放置LED晶圆片的容置槽，所述容置槽直径相同，并且每个容置槽周围都有六个容置槽与其相切，呈最密堆积排列。
[0007]本实用新型的有益效果:
[0008]在托盘大小不变的情况下通过增加容置槽，增加了刻蚀LED晶圆片的数量，提高了生产效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1是现有技术的示意图。
[0010]图2是本实用新型的示意图。
[0011]图中标识说明:
[0012]圆形托盘1，容置槽2。
【具体实施方式】
实施例
[0013]本实施例的ICP刻蚀机的圆形托盘，见图2，其特征在于圆形托盘表面排列若干用于放置LED晶圆片的容置槽，所述容置槽直径相同，并且每个容置槽周围都有六个容置槽与其相切，呈最密堆积排列。容置槽从圆形托盘中心开始由内向外开始排列。每个容置槽周围都有六个容置槽与其相切，直至排满整个圆形托盘。容置槽个数为31个。
[0014]以上所述，仅是本实用新型的实施例而已，并非对本实用新型做任何形式上的限制，本领域技术人员利用上述揭示的技术内容做出些许简单修改、等同变化或修饰，均落在本实用新型的保护范围内。
【权利要求】
1.一种ICP刻蚀机的圆形托盘，其特征在于圆形托盘表面排列若干用于放置LED晶圆片的容置槽，所述容置槽直径相同，并且每个容置槽周围都有六个容置槽与其相切，呈最密堆积排列。
【文档编号】H01L21/673GK204204818SQ201420719538
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年11月27日 优先权日:2014年11月27日
【发明者】何玉建, 梁伏波, 江川, 詹顺华, 丁亚祥, 裘小强 申请人:晶能光电（江西）有限公司