技术总结
本发明公开了一种Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法。该集成单片包括集成设置的Ⅲ族氮化物HEMT和GaN激光器，其中GaN激光器包括从下向上依次设置的N型氮化镓层、量子阱结构以及P型氮化镓层等，所述Ⅲ族氮化物HEMT包括主要由从下向上依次设置的本征氮化镓层和势垒层组成的异质结等，所述本征氮化镓层形成在所述P型氮化镓层上，其中所述HEMT的源电极还与GaN激光器的P型电极电性连接。本发明在不改变GaN激光器体积的前提下，将GaN HEMT器件与激光器有机集成，充分利用HEMT的驱动和栅控特点结合GaN激光器的发光特性，可以在通信和显示领域得到广泛的应用。
技术研发人员：张志利;蔡勇;张宝顺;付凯;于国浩;孙世闯;宋亮
受保护的技术使用者：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
文档号码：201510166797
技术研发日：2015.04.10
技术公布日：2016.11.23