Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法与流程

本发明涉及微电子技术领域，特别是涉及一种Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法。

背景技术：

Ⅲ族氮化物HEMT器件(高电子迁移率晶体管)包括氮化镓HEMT器件、铝镓氮HEMT器件，该HEMT器件是充分利用半导体的异质结结构形成的二维电子气而制成的，与其他材料(如AlGaAs/GaAs)制成的HEMT相比，Ⅲ族氮化物半导体由于压电极化和自发极化效应，在AlGaN/GaN异质结构上(Heterostructure)，能够形成高浓度的二维电子气。所以在使用AlGaN/GaN异质结制成的HEMT器件中，势垒层AlGaN一般不需要进行掺杂。另外，Ⅲ族氮化物具有大的禁带宽度、较高的饱和电子漂移速度、高的临界击穿电场和极强的抗辐射能力等特点，因此可以满足更大功率、更高频率、更小体积和更高温度的工作的要求，GaN HEMT器件这些优异的性能，得到了人们的广泛关注。

目前，与GaN材料相关的另一种器件为GaN基激光器，GaN基激光器属于蓝绿激光器，其波长范围处于海洋窗口，所以在深海通信方面具有很大的应用前景，并且蓝色激光作为显示的主要颜色，GaN基蓝绿激光器在显示方面的应用也得到人们的关注，并且已经使用在部分商业化的产品上，但是GaN基激光器属于一个二极管，在抗干扰能力、抗正向击穿能力有限。

技术实现要素：

本发明的主要目的在于提供一种Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片及其制作方法，该集成单片可以有效的利用HEMT器件的控制能力和激光器的发光特性，通过对HEMT器件栅电压的控制，实现激光器的开启和关闭。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案包括：

一种Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片，包括集成设置的Ⅲ族氮化物HEMT和GaN激光器，其中所述GaN激光器包括从下向上依次设置的N型氮化镓层、量子阱结构以及P型氮化镓层，所述量子阱结构内分布有有源区，所述有源区两侧分布有谐振腔，所述P型氮化镓层和N型氮化镓层还分别与P型电极和N型电极电性连接，所述Ⅲ族氮化物HEMT包括主要由从下向上依次设置的本征氮化镓层和势垒层组成的异质结、漏电极、栅电极和源电极，所述本征氮化镓层形成在所述P型氮化镓层上，所述漏电极和源电极分布在势垒层两侧，所述栅电极设置在势垒层上，所述漏电极和源电极通过形成于所述异质结内的二维电子气连接，所述栅电极分布于源电极和漏电极之间，并且所述源电极还与P型电极电性连接。

在一实施方案之中，所述栅电极与势垒层之间形成肖特基接触。

在一实施方案之中，所述异质结内于栅电极下方还分布有二维电子气耗尽区。即，所述Ⅲ族氮化物HEMT器件为增强型HEMT器件。增强型HEMT器件使器件处于断开状态，极大得增加了集成单片的寿命和安全性。

在一实施方案之中，所述栅电极与势垒层之间还分布有栅介质层。即，所述Ⅲ族氮化物HEMT器件为MIS-HEMT器件。MIS-HEMT器件可增加HEMT器件的驱动能力和栅摆幅。

其中，所述栅介质层的材质可以是二氧化硅、氮化硅、氧化铝，厚度优选为10～20nm。

在一实施方案之中，所述N型氮化镓层形成在衬底上，且所述N型氮化镓层与衬底之间还分布有缓冲层。

在一实施方案之中，所述量子阱结构主要由氮化镓层和铟镓氮层组成。

在一实施方案之中，所述源电极经连接电极与P型电极电性连接，所述连接电极的材质至少选自金属及半导体材料，例如，所述金属包括铝、镍金或钛金，所述半导体材料包括N型氮化镓，但不限于此。

在一较佳实施方案之中，所述谐振腔的两侧镀有光学薄膜，其中一侧光学薄膜的反射率大于90％，另一侧光学薄膜的反射率在48％～52％之间。其中，激光器的激光主要从反射率较小的一侧激射出去。

进一步的，所述Ⅲ族氮化物HEMT包括GaN HEMT器件或AlGaN HEMT器件。

所述Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片的制作方法包括：

在衬底上依次生长缓冲层、N型氮化镓层、量子阱结构以及P型氮化镓层；

在P型氮化镓层上依次生长本征氮化镓层和势垒层；

在势垒层上制作源电极、漏电极和栅电极；

分别在P型氮化镓层和N型氮化镓层上制作P型电极和N型电极；

将源电极与P型电极电性连接，并通过划片方式对生长形成的GaN激光器进行解理以获得平行的谐振腔。

在一实施方案之中，所述制作方法包括：在制作完成源电极及漏电极后，在势垒层上形成栅介质层。

在一实施方案之中，所述制作方法包括：在制作完成栅电极后，使用凹栅、P型盖帽层或F注入方式的任一种将栅电极下的二维电子气耗尽，形成二维电子耗尽区。

在一实施方案之中，所述制作方法包括：在P型氮化镓层上采用选区二次外延方式生长形成本征氮化镓层和势垒层。

在一实施方案之中，所述制作方法包括：在衬底上一次外延生长形成缓冲层、N型氮化镓层、量子阱结构、P型氮化镓层、本征氮化镓层和势垒层。

在本发明的一实施例中，一种Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片的制造方法包括以下步骤：

(1)材料外延：首先在衬底上使用缓冲层外延，在缓冲层上依次向上生长N型氮化镓层、由氮化镓层和铟镓氮层组成的量子阱结构、P型氮化镓层，然后使用掩膜方式进行选区二次外延，即选区生长Ⅲ族氮化物HEMT结构，其包括本征氮化镓层、势垒层；

(2)Ⅲ族氮化物HEMT器件的制作：首先通过光刻方法在势垒层上形成源电极和漏电极的光刻图形，然后沉积多层金属后在890摄氏度30s退火制作源电极及漏电极，最后同样使用光刻方法形成栅金属图形，沉积栅金属制作栅电极；

(3)GaN激光器电极的制作：通过光刻方法分别在P型氮化镓层和N型氮化镓层上形成P型电极和N型电极的光刻图形，然后沉积金属制作P型电极和N型电极；

(4)GaN激光器的解理：首先通过沉积金属或使用导电半导体的方式形成连接电极，将Ⅲ族氮化物HEMT器件的源电极与GaN激光器的P型电极连接在一起，然后通过划片的方式对GaN激光器进行解理以获得平行的谐振腔，最后在谐振腔的两侧镀上光学薄膜。

在本发明的一个实施例中，若所述Ⅲ族氮化物HEMT器件为MIS-HEMT器件，则在上述步骤(2)中，制作完成源电极及漏电极后，在势垒层上沉积半导体薄膜形成栅介质，沉积的方式包括原子层沉积、等离子增强化学气相沉积等。

在本发明的一个实施例中，在上述步骤(4)中，可首先将栅介质层刻蚀干净。

在本发明的一个实施例中，若所述Ⅲ族氮化物HEMT器件为增强型HEMT器件，则在 上述步骤(2)中，制作完成栅电极后，可使用凹栅、P型盖帽层和F注入三种方式的任一种将栅电极下的二维电子气耗尽，形成二维电子耗尽区。

在本发明的一个实施例中，在步骤(1)中，所述材料外延的方法包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)。

在本发明的一个实施例中，步骤(1)的另一种实现方式可以为：在衬底上一次外延出GaN激光器结构和Ⅲ族氮化物HEMT结构，其包括缓冲层、N型氮化镓层、由氮化镓层和铟镓氮组层成的量子阱结构、P型氮化镓层、本征氮化镓、势垒层。

与现有技术相比，本发明的有益效果包括：

(1)本发明的Ⅲ族氮化物HEMT器件与激光器的集成单片具有较小的器件体积，半导体激光器与其他激光器相比具有体积小的特点，一般体积在微米量级，本发明的集成中，HEMT器件位于激光器的上方，没有增加整个器件的尺寸。

(2)本发明器件的电压驱动能力更强，由于控制电压施加在HEMT的器件的栅电极，并且HEMT器件属于三端场效应晶体管，而激光器属于半导体二极管，所以我们通过三极管HEMT的栅压调节可以控制激光器的开启和断开，HEMT器件栅压的驱动能力要高于激光器正极的驱动能力。

(3)氮化镓HEMT器件可以工作在较高温度，氮化镓属于第三代宽禁带半导体，其禁带宽度为3.4eV(在室温环境下)，而硅的禁带宽度只有1.12eV，所以氮化镓基器件可以工作在一个较高温度。

(4)本发明的器件制作方法可以降低封装成本，提高器件的可靠性。本发明器件将Ⅲ族氮化物HEMT器件和GaN基激光器进行单片集成，并且封装在一起，与两个独立器件链接的制作方法相比，只需要对整个器件进行一次封装，降低了封装的成本，提高器件的可靠性，因此，本发明在深海通信、深空通信和半导体显示方面具有广阔的应用前景。

附图说明

图1是现有HEMT器件的结构示意图；

图2是现有氮化镓基激光器的结构示意图；

图3是本发明HEMT器件与氮化镓激光器集成单片一较佳实施例的结构示意图；

图4是本发明MIS-HEMT器件与氮化镓激光器集成单片一较佳实施例的结构示意图；

图5是本发明增强型HEMT器件与氮化镓激光器集成单片一较佳实施例的结构示意图；

附图标记说明：1-衬底，2-缓冲层，3-N型氮化镓，4-量子阱结构，5-有源区，6-P型氮化镓，7-本征氮化镓，8-二维电子气，9-势垒层，10-漏电极，11-栅电极，12-源电极，13-连接电极，14-P型电极，15-N型电极，16-栅介质，17-二维电子气耗尽区。

具体实施方式

下面将结合本发明的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整的描述。

为使本发明的结构更易于被本领域技术人员理解，首先对现有的HEMT器件和氮化镓激光器的结构和工作原理进行简单描述。

请参阅图1，对于普通AlGaN/GaN HEMT器件而言，当在栅电极11施加零偏压或者没有加偏压时，源电极12和漏电极10都与二维电子气8相连接，所以器件的源电极12和漏电极10是导通的，器件处于开启状态，一般称这种器件为耗尽型HEMT器件，也可以称作常开型HEMT器件。为了使器件处于断开状态，必须使源电极12和漏电极10之间的二维电子气8耗尽或者某个区域的二维电子气耗尽，可以通过在栅电极11施加一定的电压实现。当栅电极11加负偏压达到Vg<Vth(Vth为器件的阈值电压，对于普通HEMT器件一般Vth为负值)时，可以耗尽栅电极11下区域的二维电子气，从而使器件处于关断状态。通过施加不同的栅偏压，就可以实现器件的开启和断开。

请参阅图2，在氮化镓激光器中，N型电极15制作在N型氮化镓3上，并且N型电极15与N型氮化镓3形成欧姆接触，激光器的P型电极14沉积在P型氮化镓6上，P型电极14与P型氮化镓6形成欧姆接触(欧姆接触可以通过沉积多层金属，然后进行高温退火的方式形成)，在P型氮化镓6和N型氮化镓3之间生长有由GaN和InGaN组成的量子阱结构4，在P型电极14的下方是激光器的发光区域，称作有源区5，在有源区5的两侧会有谐振腔(图中未示出)，谐振腔的两侧镀有光学薄膜，一侧的光学薄膜的反射率大于90％，另一侧的光学薄膜的反射率在48％～52％之间，激光器的激光主要从反射率较小的一侧激射出去。当电子和空穴在有源区5进行复合时，产生的能量以光子的形式释放，当光到达谐振腔表面时，部分光从半导体发出，同时部分光反射，反射回来的光在半导体中运动，使得电子和空穴形成受激辐射，当能量达到一定程度时，并且损耗大于增益时，就会有激光发射。激光器属于二极管，激光的强弱受到P型电极14和N型电极15两边的电流电压影响较大，抗干扰能力差，如果在激光器外围额外使用一个三极管对激光器进行调制，会增加器件的质量和体积，会影响到器件在深空通信方面的应用。

本发明在不改变GaN激光器体积的前提下，将GaN HEMT器件与激光器有机集成，充分利用HEMT的驱动和栅控特点结合GaN激光器的发光特性，可以在通信和显示领域得到广泛的应用。

下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

实施例1：请参阅图3，该Ⅲ族氮化物HEMT与GaN激光器的集成单片之中，Ⅲ族氮化物HEMT器件在GaN激光器的外延结构上，其中GaN激光器包括依次从底层到上层依次设置的衬底1、缓冲层2、N型氮化镓3、主要由氮化镓和铟镓氮组成的量子阱结构4、P型氮化镓6、与N型氮化镓3欧姆连接的N型电极15、与P型氮化镓6欧姆连接的P型电极14、位于P型电极14下方且分布于量子阱结构4内部的有源区5、设置在有源区5两侧的谐振腔(图中未示出)；Ⅲ族氮化物HEMT器件包括依次从底层到上层的本征氮化镓7、二维电子气8、势垒层9，在势垒层9上层的两侧分别有漏电极10、源电极12，两者均与二维电子气8连接，漏电极10与源电极12之间设有栅电极11，栅电极11与势垒层9肖特基连接；Ⅲ族氮化物HEMT器件与GaN激光器之间通过连接电极13将Ⅲ族氮化物HEMT器件的源电极10与GaN激光器的P型电极14相连接，所述连接电极13为包括铝、镍金、钛金、N型氮化镓的金属或半导体材料。在整个集成单片的工作工程中，激光器的N型电极15接低电平，氮化镓HEMT器件的漏电极10接高电平，在HEMT器件的栅电极11加控制信号，通过在栅电极11上施加不同的偏压，可以实现源漏电极的开启和断开，从而实现激光器的开启和关闭，实现电信号向光信号的转换。

该集成单片的制造方法包括以下步骤：

(1)材料外延：首先在衬底1上使用缓冲层2外延，衬底1材料可选择氮化镓、蓝宝石等，在缓冲层2上依次向上生长N型氮化镓3、由氮化镓和铟镓氮组成的量子阱结构4、P型氮化镓6，然后使用掩膜方式进行选区二次外延，即选区生长Ⅲ族氮化物HEMT结构，其包括本征氮化镓7、势垒层9，在整个外延过程中，外延方法包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)；另一种方式为在衬底上一次外延出GaN激光器结构和Ⅲ族氮化物HEMT结构，其包括缓冲层2、N型氮化镓3、由氮化镓和铟镓氮组成的量子阱结构4、P型氮化镓6、本征氮化镓7、势垒层9；

(2)Ⅲ族氮化物HEMT器件的制作：首先通过光刻的方法在势垒层9上形成源电极12和漏电极10的光刻图形，然后沉积多层金属后在890摄氏度30s退火制作源电极12及漏电 极10，多层金属可选自但不限于沉积钛/铝/镍/金(Ti/Al/Ni/Au 20nm/130nm/50nm/150nm)等，沉积金属的方式可以选择电子束蒸发、溅射、热蒸发等方式。最后同样使用光刻的方法形成栅金属图形，沉积栅金属制作栅电极11，栅金属可选但不限于使用镍/金(Ni/Au＝50/150nm)；

(3)GaN激光器电极的制作：通过光刻的方法分别在P型氮化镓6和N型氮化镓3上形成P型电极14和N型电极15的光刻图形，然后沉积金属制作P型电极14和N型电极15，由于氮化镓的功函数较高，所以在选择金属的时候，可以选择但不限于钛/铂/金(Ti/Pt/Au)，即可形成较好的欧姆接触；

(4)GaN激光器的解理：首先通过沉积金属或使用导电半导体的方式形成连接电极13，将Ⅲ族氮化物HEMT器件的源电极12与GaN激光器的P型电极14连接在一起，然后通过划片的方式对GaN激光器进行解理，由于半导体存在较好的晶向，可获得平行的谐振腔，最后在谐振腔的两侧镀上光学薄膜，一般在一侧镀高反膜，一侧镀半反膜。

实施例2：

请参阅图4，该MIS-HEMT器件与GaN激光器的集成单片之中，MIS-HEMT器件在GaN激光器的外延结构上，其中GaN激光器包括依次从底层到上层的衬底1、缓冲层2、N型氮化镓3、主要由氮化镓和铟镓氮组成的量子阱结构4、P型氮化镓6、与N型氮化镓3欧姆连接的N型电极15、与P型氮化镓6欧姆连接的P型电极14、位于P型电极14下方且分布于量子阱结构4内部的有源区5、设置在有源区5两侧的谐振腔(图中未示出)。其中MIS-HEMT器件包括依次从底层到上层的本征氮化镓7、二维电子气8、势垒层9，在势垒层9上层的两侧分别有漏电极10、源电极12，两者均与二维电子气8连接，漏电极10与源电极12之间设有栅电极11，栅电极11与势垒层9肖特基连接，MIS-HEMT器件还包括在栅电极11与势垒层9之间的栅介质16，目的是提高器件的栅驱动能力，并且可以有效的减小栅漏电，提高器件的可靠性，所述栅介质16为半导体材料，其包括二氧化硅、氮化硅、氧化铝，栅介质16的厚度为10～20nm；MIS-HEMT器件与GaN激光器之间通过连接电极13将MIS-HEMT器件的源电极10与GaN激光器的P型电极14相连接，所述连接电极13为包括铝、镍金、钛金、N型氮化镓的金属或半导体材料。在整个集成单片的工作工程中，激光器的N型电极15接低电平，氮化镓HEMT器件的漏电极10接高电平，在HEMT器件的栅电极11加控制信号，通过在栅电极11上施加不同的偏压，可以实现源漏电极的开启和断开，从而实现激光器的开启和关闭，实现电信号向光信号的转换。使用MIS-HEMT器件与氮化镓激光器的单片集成有效的提高了器件的驱动能力，减小了栅的漏电。

该集成单片的制造方法包括以下步骤：

(1)材料外延：首先在衬底1上使用缓冲层2外延，衬底1材料可选择氮化镓、蓝宝石等，在缓冲层2上依次向上生长N型氮化镓3、由氮化镓和铟镓氮组成的量子阱结构4、P型氮化镓6，然后使用掩膜方式进行选区二次外延，即选区生长Ⅲ族氮化物HEMT结构，其包括本征氮化镓7、势垒层9，在整个外延过程中，外延方法包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)；另一种方式为在衬底上一次外延出GaN激光器结构和Ⅲ族氮化物HEMT结构，其包括缓冲层2、N型氮化镓3、由氮化镓和铟镓氮组成的量子阱结构4、P型氮化镓6、本征氮化镓7、势垒层9；

(2)MIS-HEMT器件的制作：首先通过光刻的方法在势垒层9上形成源电极12和漏电极10光刻图形，然后沉积多层金属后在890摄氏度30s退火制作源电极12及漏电极10，多层金属可选自但不限于沉积钛/铝/镍/金(Ti/Al/Ni/Au 20nm/130nm/50nm/150nm)等，沉积金属的方式可以选择电子束蒸发、溅射、热蒸发等方式。制作完成源电极12及漏电极10后，在势垒层9上沉积半导体薄膜形成栅介质16，可以选择但不限于氧化铝、氮化硅、氧化硅等半导体薄膜，沉积的方式可以选择原子层沉积、等离子增强化学气相沉积等，厚度在10-20nm。最后同样使用光刻的方法形成栅金属图形，沉积栅金属制作栅电极11，栅金属可选但不限于使用镍/金(Ni/Au＝50/150nm)；

(3)GaN激光器电极的制作：通过光刻的方法分别在P型氮化镓6和N型氮化镓3上形成P型电极14和N型电极15的光刻图形，然后沉积金属制作P型电极14和N型电极15，由于氮化镓的功函数较高，所以在选择金属的时候，可以选择但不限于钛/铂/金(Ti/Pt/Au)，即可形成较好的欧姆接触；

(4)GaN激光器的解理：首先将栅介质层刻蚀干净，通过沉积金属或使用导电半导体的方式形成连接电极13，将MIS-HEMT器件的源电极12与GaN激光器的P型电极14连接在一起，然后通过划片的方式对GaN激光器进行解理，由于半导体存在较好的晶向，可获得平行的谐振腔，最后在谐振腔的两侧镀上光学薄膜，一般在一侧镀高反膜，一侧镀半反膜。

实施例3：

请参阅图5，该增强型HEMT器件与GaN激光器的集成单片之中，增强型HEMT器件在GaN激光器的外延结构上，其中GaN激光器包括依次从底层到上层的衬底1、缓冲层2、N型氮化镓3、主要由氮化镓和铟镓氮组成的量子阱结构4、P型氮化镓6，与N型氮化镓3欧姆连接的N型电极15、与P型氮化镓6欧姆连接的P型电极14、位于P型电极14下方且 分布于量子阱结构4内部的有源区5、设置在有源区5两侧的谐振腔(图中未示出)；增强型HEMT器件包括依次从底层到上层的本征氮化镓7、二维电子气8、势垒层9，在势垒层9上层的两侧分别有漏电极10、源电极12，两者均与二维电子气8连接，漏电极10与源电极12之间设有栅电极11，栅电极11与势垒层9肖特基连接，增强型HEMT器件还包括在本征氮化镓与势垒层之间的二维电子气耗尽区17；增强型HEMT器件与GaN激光器之间通过连接电极13将增强型HEMT器件的源电极10与GaN激光器的P型电极14相连接，所述连接电极13为包括铝、镍金、钛金、N型氮化镓的金属或半导体材料。在整个集成单片的工作工程中，激光器的N型电极15接低电平，氮化镓HEMT器件的漏电极10接高电平，在HEMT器件的栅电极11加控制信号，通过在栅电极11上施加不同的偏压，可以实现源漏电极的开启和断开，从而实现激光器的开启和关闭，实现电信号向光信号的转换。在栅压为0V或者没有栅压的情况下，源电极12和漏电极10不能通过二维电子气导通，所以器件在一般情况下处于关闭状态，极大得增加了集成单片的寿命和安全性。

该集成单片的制造方法包括以下步骤：

(1)材料外延：首先在衬底1上使用缓冲层2外延，衬底1材料可选择氮化镓、蓝宝石等，在缓冲层2上依次向上生长N型氮化镓3、由氮化镓和铟镓氮组成的量子阱结构4、P型氮化镓6，然后使用掩膜方式进行选区二次外延，即选区生长Ⅲ族氮化物HEMT结构，其包括本征氮化镓7、势垒层9，在整个外延过程中，外延方法包括金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)；另一种方式为在衬底上一次外延出GaN激光器结构和增强型HEMT结构，其包括缓冲层2、N型氮化镓3、由氮化镓和铟镓氮组成的量子阱结构4、P型氮化镓6、本征氮化镓7、势垒层9；

(2)增强型HEMT器件的制作：首先通过光刻的方法在势垒层9上形成源电极12和漏电极10的光刻图形，然后沉积多层金属后在890摄氏度30s退火制作源电极12及漏电极10，多层金属可选自但不限于沉积钛/铝/镍/金(Ti/Al/Ni/Au 20nm/130nm/50nm/150nm)等，沉积金属的方式可以选择电子束蒸发、溅射、热蒸发等方式。最后同样使用光刻的方法形成栅金属图形，沉积栅金属制作栅电极11，栅金属可选但不限于使用镍/金(Ni/Au＝50/150nm)，制作完成栅电极11后，使用凹栅、P型盖帽层和F注入三种方式的任一种将栅电极11下的二维电子气8耗尽，形成二维电子耗尽区17。；

(3)GaN激光器电极的制作：通过光刻的方法分别在P型氮化镓6和N型氮化镓3上形成P型电极14和N型电极15的光刻图形，然后沉积金属制作P型电极14和N型电极15， 由于氮化镓的功函数较高，所以在选择金属的时候，可以选择但不限于钛/铂/金(Ti/Pt/Au)，即可形成较好的欧姆接触；

(4)GaN激光器的解理：首先通过沉积金属或使用导电半导体的方式形成连接电极13，将增强型HEMT器件的源电极12与GaN激光器的P型电极14连接在一起，然后通过划片的方式对GaN激光器进行解理，由于半导体存在较好的晶向，可获得平行的谐振腔，最后在谐振腔的两侧镀上光学薄膜，一般在一侧镀高反膜，一侧镀半反膜。

本发明的技术内容及技术特征已揭示如上，然而熟悉本领域的技术人员仍可能基于本发明的教示及揭示而作种种不背离本发明精神的替换及修饰，因此，本发明保护范围应不限于实施例所揭示的内容，而应包括各种不背离本发明的替换及修饰，并为本专利申请权利要求所涵盖。