一种新型电光Q开关的制作方法

文档序号:11838587阅读:278来源:国知局

本发明涉及激光器领域,特别涉及一种新型电光Q开关。



背景技术:

调Q技术就是通过某种方法使腔的Q值随时间按一定程序变化的技术。在泵浦开始时使腔处在低Q值状态,即提高振荡阈值,使振荡不能生成,上能级的反转粒子数就可以大量积累,当积累到最大值(饱和值)时,突然使腔的损耗减小,Q值突增,激光振荡迅速建立起来,在极短的时间内上能级的反转粒子数被消耗,转变为腔内的光能量,在腔的输出端以单一脉冲形式将能量释放出来,于是就获得峰值功率很高的巨脉冲激光输出。调Q的方法有很多,例如电光调Q、声光调Q、被动调Q、机械调Q等。

在众多调Q技术中,电光调Q是一种应用较为广泛的技术。常规的电光调Q是通过电光效应,使得入射光相位发生变化,通过相位选择,从而达到最终调Q效果。但是常规电光Q开关存在两个比较明显的弊端:1、半波电压偏高;2、只能实现偏振光调制。因而在一些实际应用过程中,不能很好的发挥其高速调Q的优点,本发明旨在提供一种改善调Q电压及偏振无关的电光Q开关。



技术实现要素:

本发明所要解决的技术问题在于提供一种新型电光Q开关。

本发明的一种新型电光Q开关,包括 电光晶体、传输介质。

本发明的优点在于:电光Q开关电压可以有效降低,且器件对入射光的偏振态无要求,能够规避常规电光Q开关的弊端,同时又具备常规电光调Q优点。

附图说明

图1为本发明一种新型电光Q开关的示意图。

具体实施方式

下面参照附图结合实施例对本发明作进一步的描述。

如图1所示,一种新型电光Q开关,包括电光晶体、光传输介质。其中光传输介质的折射率略小于电光晶体的折射率,从而能够为全反射创造条件。应用过程中,入射光以全反射角度入射,当电光晶体不加电压时,其折射率不发生变化,全反射没有破坏,光路传输正常;当电光晶体加电压时,其折射率发生变化,从而破坏全反射,使得原光路传播方向损耗较大。如此反复,置于谐振腔当中就能够实现调Q效果。

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