1.一种在第一III-V材料半导体层上制造单一介电材料层的方法，所述方法包括：
形成所述第一III-V材料半导体层；和
在所述第一III-V材料半导体层上形成所述单一介电材料层，所述单一介电材料层包括位于所述单一介电材料层的下表面的第一区域，其中
所述第一区域位于所述单一介电材料层与所述第一III-V材料半导体层之间的界面，
在所述单一介电材料层内，所述第一区域过渡至毗邻所述单一介电材料层的上表面的第二区域，所述上表面与所述下表面相对，和
进一步地其中所述第一区域具有结晶结构和所述第二区域具有无定形结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在所述第一III-V材料半导体层与所述单一介电材料层之间形成第二III-V材料半导体层；和
在所述第一III-V材料半导体层与所述第二III-V材料半导体层的界面形成二维电子气2DEG区域。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述介电材料的晶格常数与所述第二III-V材料半导体层的晶格常数不同。
4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在硅基板上形成所述第一III-V材料半导体层。
5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述单一介电材料层进一步包括：
通过原子层沉积将介电材料沉积在所述第一III-V材料半导体层上。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述沉积在200℃与500℃之间的温度下发生。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述通过原子层沉积将介电材料沉积在所述第一III-V材料半导体层上的步骤，进一步包括将至少一个所述介电材料的单层沉积在所述第一III-V材料半导体层上。
8.根据权利要求7所述的方法，其进一步包括将沉积至少一个所述介电材料的单层的步骤重复，直至达到所述单一介电材料层的期望厚度。
9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在所述第一区域与所述第二区域之间形成界面区域。
10.根据权利要求1所述的方法，其中从所述第一区域至所述第二区域的过渡在预定厚度的所述单一介电材料层处出现。
11.一种半导体结构，其包括：
第一III-V材料半导体层；和
在所述第一III-V材料半导体层上形成的单一介电材料层，所述单一介电材料层进一步包括：
在所述单一介电材料层与所述第一III-V材料半导体层之间的界面处具有结晶结构的第一区域；和
具有无定形结构的第二区域。
12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述第二区域毗邻所述第一区域并且毗邻所述单一介电材料层的上表面。
13.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述半导体结构进一步包括在所述第一III-V材料半导体层与所述单一介电材料层之间形成的第二III-V材料半导体层和在所述第一III-V材料半导体层与所述第二III-V材料半导体层的界面形成的二维电子气2DEG区域。
14.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述第一III-V材料半导体层在硅基板上形成。
15.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述介电材料的晶格常数 与所述第一III-V材料半导体层的晶格常数不同。
16.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述单一介电材料层通过使用原子层沉积将介电材料沉积在所述第一III-V材料半导体层上来形成。
17.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述单一介电材料层包括不止一个单层。
18.根据权利要求11所述的半导体结构，其中单一结晶-无定形介电材料层进一步包括在所述第一区域与所述第二区域之间的界面区域。
19.根据权利要求11所述的半导体结构，其中从所述第一区域至所述第二区域的过渡在预定厚度的所述单一介电材料层中出现。