具有空心后板的电子器件的制作方法

本发明涉及电子器件的领域。

背景技术：

一些电子器件包括板，该板包括厚的衬底后层、薄的衬底前层以及在衬底后层与衬底前层之间的薄的电介质中间层。电子结构在衬底前层上并且包括电子部件和电气连接。

通常，衬底由硅制成并且隐埋的电介质中间层由二氧化硅制成。隐埋的电介质中间层由离子注入获得。

在这样的电子器件中，电容耦合存在于后层与电子结构之间。该电容耦合引起电子结构的操作干扰，特别是当电子结构使用振荡信号时。

技术实现要素：

一种电子器件，包括后板，其包括衬底后层、衬底前层以及在衬底后层与衬底前层之间的电介质中间层。电子结构可以在衬底前层上。电子结构可以包括电子部件和电气连接。

衬底后层可以包括至少一个实心的局部区域以及至少一个空心的局部区域，空心的局部区域可以在后层的整个或全部上，使得衬底后层并不覆盖电介质中间层的后面的至少一个局部区带。至少一个局部区带对应于空心的局部区域。因而，在后层与电子结构之间的不想要的电容耦合被有利地限制。

实心的局部区域可以在衬底板的厚度的方向上延伸，至少部分对应于电子结构的至少一个外部电气接触前焊盘。

空心的局部区域可以在衬底板的厚度的方向上延伸，至少部分对应于电子结构的至少一个电子部件。

空心局部区域可以至少部分地填充有至少一种电介质填充材料。电介质填充材料可以展示在后板的后面的平面中的后面。电介质填充材料可以覆盖实心的区域的后面，并且展示与后板的后面平行的后面。

中间层可以介于电介质填充材料与后板之间。实心的局部区域可以包括多个柱和/或蜂巢形分区。

另一个方面涉及制作电子器件的方法，该电子器件包括衬底后层、衬底前层和在后层与前层之间的电介质中间层。电子结构在衬底前层上并且包括电子部件和电气连接。电气连接可以包括至少一个外部电气接触前焊盘。

该方法可以包括局部地移除后层的材料下至中间层，以便于产生缺乏该后层的材料的至少一个空心的局部区域，并且使得至少一个实心的局部区域被留下。实心的局部区域可以在衬底板的厚度的方向上延伸，至少部分对应于电子结构的至少一个前外部电气接触焊盘。空心的局部区域可以在衬底板的厚度的方向上延伸，至少部分对应于电子结构的至少一个电子部件。

该方法可以进一步包括利用至少一种电介质填充材料至少部分地填充空心的局部区域。

附图说明

电子器件和制作的对应方法现在将通过由附图图示的非限制性的示例实施例进行描述，在附图中：

图1表示在初始状态中的穿过电子器件的部分截面；

图2表示根据方法步骤的穿过图1的电子器件的截面；

图3表示根据另一方法步骤的穿过图1的电子器件的截面；

图4表示图3的电子器件的后视图；

图5表示根据另一方法步骤的穿过图1的电子器件的截面；

图6表示根据另一方法步骤的穿过图1的电子器件的截面；

图7表示根据另一方法步骤的穿过图1的电子器件的截面；

图8表示根据方法变化的穿过图1的电子器件的截面；

图9表示图8的电子器件的后视图；以及

图10表示根据另一方法变化的图1的电子器件的后视图。

具体实施方式

在图1中图示了处于初始状态的电子器件1的一部分。电子器件1通常包括晶片2，该晶片2包括随后将从晶片单独切下的多个相邻电子器件。

电子器件1包括后板2，其包括衬底后层4、薄的衬底前层5以及在后层与前层之间的薄的电介质中间层6。

板3由硅制成并且隐埋，电介质中间层6由二氧化硅制成。中间层6可以通过在后板3中的深度上的离子注入获得。

电子器件1进而包括在衬底前层5上产生的电子结构7。电子结构7包括在衬底前层5上产生的多个电子部件8，以及作为在多个金属级上的层10形成的电气连接网络9。

在最后的金属级中，电气连接网络9包括用于外部电气接触的多个前焊盘11。电子部件8可以是晶体管、开关、电阻器、二极管、存储器、电容器或其它电子部件。

通常，电子部件8被置于电子器件1的中间区带中，并且前焊盘11被置于该中间区带与电子器件1的边缘之间的周界区带中。但是，前焊盘9可以被置于电子器件1的中间区带中而优选地没有任何部件在这些焊盘之下。

将被应用至电子器件1的处理货方法现在将进行描述。如图2中所示，电子器件1被安装在支撑晶片12上。这通过以临时方式将电子结构9的前面13通过粘合层12a固定到支撑晶片12上而完成。

接下来，通过光刻，掩膜15被产生在电子器件1的后面14上，掩膜15因而例如展现一个或多个通过开口16。换言之，在后板3的衬底后层4的后面上。

接下来，如图3所示，通过掩膜15的开口16对衬底后层4采取化学侵蚀或处理，下至电介质中间层6。电介质中间层6形成待处理 的屏障。

由此，其接下来的是后层4随后包括一个或多个实心局部区域17和一个或多个空心局部区域18。每个空心局部区域18可以在衬底后层4的整个或全部厚度上被塑造。关于电子器件1的表面，实心局部区域或多个区域17以及空心局部区域或多个区域18是互补的。

以该方式，被挖空的衬底后层4因而不再覆盖电介质中间层6的后面的一个或多个局部区带19。这对应于中空局部区域或多个区域18。

根据图3和图4中所示的示例性实施例，衬底后层4展现多个实心局部区域17a在衬底后板3的厚度的方向上延伸或留存，这些实心局部区域17a分别对应电子结构7的前焊盘11。例如，由实心局部区域17a所覆盖的表面大于由前焊盘11所覆盖的表面并且在周围外悬。

根据一种变体，多个前焊盘11能够相对于衬底后层4的实心局部区域17a放置。

衬底后层4展现中空局部区域18a，其在电介质中间层6的表面的剩余部分的全部上延伸。更精确地，中空局部区域18a在衬底板3的厚度的方向上至少与电子结构7的电子部件9所处的区域对应而延伸，并且优选地在较大的表面上延伸。

因而，电子部件9并不经受或以受限方式经受与中空电介质后层4的材料的电容耦合。

然后可能的是进行支撑晶片12的和粘合层12a的掩膜15的移除。可能的是留下电子器件1以用于其随后的使用。由实心局部区域17a的后面形成的后面14的剩余部分形成用于在支撑件上安装的表面。

但是，仅移除掩膜15，可能的是进行后层4的空心局部区域18a利用电介质材料的填充。该填充可以以多种方式完成。

如图5中所示，可能的是利用电介质材料填充仅仅后层4的空心局部区域18a。例如，电介质层可以基于聚合物，使得该填充20展现在空心后层4的后面14的平面中延伸的后面21。因而，电子器件1被强化，并且用于将电子器件1安装在明确的支撑件上的表面由实心 局部区域17a的后面并且由填充20的后面21形成。

如图6中所示，可能的是利用电介质材料填充仅仅后层4的空心局部区域18a并且材料层形成在实心局部区域17a的后面上。该填充22展现在空心后层4的后面14的后侧放置并与空心后层4的后面14平行的平面中延伸的后面23。因而，用于将电子器件1安装在明确的支撑件上的表面通过填充22的后面23形成。

如图7中所示，第一电介质材料的子层24可以首先形成在电介质中间层6的区带19上，在侧面或侧部上并且在实心局部区域17a的后表面上。然后，在子层24上，第二电介质材料的填充25可以被形成，例如参照图6所描述的。有利地，第一电介质材料展现比第二电介质材料的电介质常数更低的电介质常数。

以上所述的填充可以通过散布、通过涂抹、通过离心或者通过薄膜的层压而获得。

根据图8和图9中所示的另一示例性实施例，侵蚀或处理后层4的操作可以是使得空心的后层4不仅展现实心局部区域17a也展现形成加强柱的多个辅助实心局部区域17b。这些例如可以被放置为面向由电子部件9所覆盖的区带。优选地，这在注意在电子器件1的厚度的方向上没有柱放置在对应于对与衬底后层4的材料电容耦合最敏感的一个或多个电气部件时被完成。

根据图10所示的变体，侵蚀后层4的操作可以是使得该空心的后层4完全或在至少一个区域上展现(可选地与前述变体的至少一个结合)包括蜂巢形分区的实心局部区域17c。该分区的单元26(其局部地显露出电介质中间层6)形成空心的局部区域18。

在其之后，可能的是实施后层4的空心局部区域18的填充。这可以以等效于之前参照图4、5和6描述的方式而被完成。

从前述所得的是，虽然利用空心电介质后层4的材料被保护免受电容耦合影响，电子器件1可以展现适用于支撑接触焊盘11上的压力的机械阻力特性，而诸如电线之类的电气连接被放置在这些焊盘上。