技术总结
一种互连结构的形成方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构具有第一介质层和位于所述第一介质层中的导电结构；在所述导电结构上形成帽盖层；采用原子层沉积法，在所述第一介质层和所述帽盖层上形成第一刻蚀停止层；采用物理气相沉积法，在所述第一刻蚀停止层上形成第二刻蚀停止层；在所述第二刻蚀停止层上形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成第二介质层；刻蚀所述介质层和所述扩散阻挡层，直至形成通孔，所述通孔底部暴露至少部分所述第二刻蚀停止层。所述形成方法提高互连结构的可靠性能。
技术研发人员：徐建华;杨小军
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510920012
技术研发日：2015.12.10
技术公布日：2017.06.20