用于晶片翘曲减小的应力缓解结构的制作方法

文档序号:11851977阅读:来源:国知局
技术总结
一种集成电路器件包括基板。该集成电路器件还包括第一导电栈,第一导电栈在相对于基板的第一标高处包括后端制程(BEOL)导电层。该集成电路器件还包括第二导电栈,第二导电栈在相对于基板的第二标高处包括BEOL导电层。第二标高不同于第一标高。

技术研发人员:J-H·J·兰;D·F·伯蒂;C·左;D·D·金;C·H·尹;M·F·维纶茨;N·S·慕达卡特;R·P·米库尔卡;J·金
受保护的技术使用者:高通股份有限公司
文档号码:201580017821
技术研发日:2015.03.25
技术公布日:2016.11.23

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