1.一种用于抵消电磁(EM)耦合的设备，包括：
环结构，所述环结构至少部分地围绕EM电路；
负跨导电路，所述负跨导电路耦合至所述环结构的端部，
其中所述负跨导电路被配置为抵消在一个频率的对所述EM电路的EM耦合。
2.根据权利要求1所述的设备，进一步包括电容性元件，所述电容性元件耦合至所述环结构的所述端部，所述电容性元件被配置为抵消在所述频率的对所述EM电路的所述EM耦合。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述电容性元件包括电容器组。
4.根据权利要求2所述的设备，其中，所述电容性元件被配置为在用于所述电容性元件的多个预定设置中可调谐。
5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述负跨导电路被配置为在抵消所述环结构的电阻的频率处抵消对所述EM电路的所述EM耦合。
6.根据权利要求1所述的设备，其中，所述负跨导电路包括交叉耦合的晶体管配对。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述负跨导电路被配置为在用于所述负跨导电路的多个预定设置中可调谐。
8.根据权利要求1所述的设备，进一步包括：
第二环结构，所述第二环结构至少部分地围绕所述EM电路；
第二负跨导电路，耦合至所述第二环结构的端部，所述第二负跨导电路被配置为抵消在第二频率的对所述EM电路的EM耦合。
9.一种操作用于抵消电磁(EM)耦合的设备的方法，包括：
产生用于被耦合至环结构的负跨导电路的多个设置，其中所述环结构至少部分地围绕EM电路；
调谐所述负跨导电路至用于所述负跨导电路的多个设置之一，以抵消在一个频率的对所述EM电路的EM耦合。
10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：
产生用于被耦合至所述环结构的电容性元件的多个设置；
调谐所述电容性元件至用于所述电容性元件的多个设置之一，以抵消在所述频率的对所述EM电路的所述EM耦合。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：
产生用于被耦合至第二环结构的第二负跨导电路的多个设置，其中所述第二环结构至少部分地围绕所述EM电路；
调谐所述第二负跨导电路至用于所述第二负跨导电路的多个设置之一，以抵消在第二频率的对所述EM电路的第二EM耦合。
12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：
产生用于被耦合至所述第二环结构的第二电容性元件的多个设置；
调谐所述第二电容性元件至用于所述第二电容性元件的多个设置之一，以抵消在所述第二频率的对所述EM电路的所述第二EM耦合。
13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括，校准电压受控振荡器，其中所述产生用于负跨导电路的多个设置、或者所述产生用于电容性元件的多个设置基于所述电压受控振荡器的校准。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述校准电压受控振荡器包括改变在所述电压受控振荡器中的电容器的电容以用于变化输出信号频率。
15.根据权利要求12所述的方法，进一步包括，校准电压受控振荡器，其中所述产生用于第二负跨导电路的多个设置、或者所述产生用于第二电容性元件的多个设置基于所述电压受控振荡器的校准。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述校准电压受控振荡器包括改变在所述电压受控振荡器中的电容器的电容，以用于变化输出信号频率。
17.一种用于抵消电磁(EM)耦合的设备，包括：
存储器；以及
至少一个处理器，所述至少一个处理器耦合至所述存储器并且被配置为：
产生用于被耦合至环结构的负跨导电路的多个设置，其中所述环结构至少部分地围绕EM电路；
调谐所述负跨导电路至用于所述负跨导电路的多个设置之一，以抵消在一个频率的对所述EM电路的EM耦合。
18.根据权利要求17所述的设备，其中，所述至少一个处理器被配置为：
产生用于被耦合至所述环结构的电容性元件的多个设置；
调谐所述电容性元件至用于所述电容性元件的多个设置之一，以抵消在所述频率的对所述EM电路的所述EM耦合。
19.根据权利要求18所述的设备，其中，所述至少一个处理器被配置为：
产生用于被耦合至第二环结构的第二负跨导电路的多个设置，其中所述第二环结构至少部分地围绕所述EM电路；以及
调谐所述第二负跨导电路至用于所述第二负跨导电路的多个设置之一，以抵消在第二频率的对所述EM电路的第二EM耦合。
20.根据权利要求19所述的设备，其中，所述至少一个处理器被配置为：
产生用于被耦合至所述第二环结构的第二电容性元件的多个设置；
调谐所述第二电容性元件至用于所述第二电容性元件的多个设置之一，以抵消在所述第二频率的对所述EM电路的所述第二EM耦合。
21.根据权利要求20所述的设备，其中，所述至少一个处理器被配置为：
校准电压受控振荡器；以及
基于所述电压受控振荡器的校准，产生用于所述负跨导电路的多个设置或者产生用于所述电容性元件的多个设置。
22.根据权利要求21所述的设备，其中，所述至少一个处理器被配置为通过改变在所述电压受控振荡器中的电容器的电容以用于变化输出信号频率，来校准所述电压受控振荡器。
23.根据权利要求20所述的设备，其中，所述至少一个处理器被配置为：
校准电压受控振荡器；以及
基于所述电压受控振荡器的校准，产生用于所述第二负跨导电路的多个设置或者产生用于所述第二电容性元件的多个设置。
24.根据权利要求23所述的设备，其中，所述至少一个处理器被配置为通过改变所述电压受控振荡器中的电容器的电容以用于变化输出信号频率，来校准所述电压受控振荡器。
25.一种用于抵消电磁(EM)耦合的设备，包括：
用于产生用于被耦合至环结构的负跨导电路的多个设置的装置，其中所述环结构至少部分地围绕EM电路；以及
用于调谐所述负跨导电路至用于所述负跨导电路的多个设置之一以抵消在一个频率的对所述EM电路的EM耦合的装置。
26.根据权利要求25所述的设备，进一步包括：
用于产生用于被耦合至所述环结构的电容性元件的多个设置的装置；以及
用于调谐所述电容性元件至用于所述电容性元件的多个设置之一以抵消在所述频率的对所述EM电路的所述EM耦合的装置。
27.根据权利要求26所述的设备，进一步包括：
用于产生用于被耦合至第二环结构的第二负跨导电路的多个设置的装置，其中所述第二环结构至少部分地围绕所述EM电路；以及
用于调谐所述第二负跨导电路至用于所述第二负跨导电路的多个设置之一以抵消在第二频率的对所述EM电路的第二EM耦合的装置。
28.根据权利要求27所述的设备，进一步包括：
用于产生用于被耦合至所述第二环结构的第二电容性元件的多个设置的装置；以及
用于调谐所述第二电容性元件至用于所述第二电容性元件的多个设置之一以抵消在所述第二频率的对所述EM电路的第二EM耦合的装置。
29.根据权利要求28所述的设备，进一步包括：
用于校准电压受控振荡器的装置，其中基于校准所述电压受控振荡器的结果产生用于所述负跨导电路的多个设置或者用于所述电容性元件的多个设置。
30.根据权利要求28所述的设备，进一步包括：
用于校准电压受控振荡器的装置，其中基于校准所述电压受控振荡器的结果产生用于所述第二负跨导电路的多个设置或者用于所述第二电容性元件的多个设置。