1.外延硅晶片，其是在不含位错簇和COP的硅晶片的表面上具有外延层的外延硅晶片，
对该外延硅晶片实施在1000℃下进行16小时热处理的氧析出物评价热处理从而评价氧析出物密度时，该硅晶片的厚度方向中央部处的氧析出物密度遍及该硅晶片的径向的整个区域为5×104个/cm3以上。
2.外延硅晶片的制造方法，其包括：
预热处理步骤，对氧浓度处于9×1017原子/cm3~16×1017原子/cm3的范围内、且包含氧析出抑制区域而不含位错簇和COP的硅晶片，实施用于提高氧析出物密度的热处理；以及
外延层形成步骤，在所述预热处理步骤之后，在所述硅晶片的表面上形成外延层，
还包括：
热处理条件确定步骤，基于实施所述预热处理步骤之前的所述硅晶片的氧析出抑制区域的比例，确定所述预热处理步骤中的热处理条件。
3.根据权利要求2所述的外延硅晶片的制造方法，其中，在所述热处理条件确定步骤中，将所述预热处理步骤中的热处理温度(℃)记作T、将所述硅晶片半径方向的氧析出抑制区域的宽度相对于所述硅晶片的半径的比例(%)记作X、将所述硅晶片的氧浓度(原子/cm3)记作Co时，以满足下述关系式(1)~(3)中的任一者的方式确定所述热处理条件，
9×1017原子/cm3≤Co<11.5×1017原子/cm3时：
(Co×(100-X)/5.3×1051)(-1/11.29)<T≤800 (1)
11.5×1017原子/cm3≤Co<13.5×1017原子/cm3时：
(Co×(100-X)/5.3×1051)(-1/11.29)<T≤900-(13.5×1017-Co)×5×10-16 (2)
13.5×1017原子/cm3≤Co≤16×1017原子/cm3时：
(Co×(100-X)/5.3×1051)(-1/11.29)<T≤900 (3)。