技术总结
外延硅晶片的制造方法，其包括：预热处理步骤，对氧浓度处于9×1017原子/cm3~16×1017原子/cm3的范围、且包含氧析出抑制区域而不含位错簇和COP的硅晶片，实施用于提高氧析出物密度的热处理；以及，外延层形成步骤，在预热处理步骤之后，在硅晶片的表面上形成外延层。该制造方法还包括：热处理条件确定步骤，基于实施预热处理步骤之前的硅晶片中的氧析出抑制区域的比例，确定预热处理步骤中的热处理条件。通过该制造方法，能够制造外延缺陷的密度少、且遍及晶片的径向的整个区域的吸杂能力优异的外延硅晶片。
技术研发人员：藤濑淳;小野敏昭
受保护的技术使用者：胜高股份有限公司
文档号码：201580036994
技术研发日：2015.04.21
技术公布日：2017.05.10