技术特征：
技术总结
一种装置，包括衬底；衬底上的晶体管器件，所述晶体管器件包括沟道和设置在沟道之间的源极和漏极；耦合到源极的源极触点和耦合到漏极的漏极触点；并且源极和漏极各自包括合成物，合成物包括在与沟道的接合界面处的大于在与源极触点的结处的锗浓度的锗浓度。一种方法，包括在衬底上限定用于晶体管器件的区域；形成源极和漏极，各自包括与沟道的接合界面；以及形成到源极和漏极中的一个的触点，其中，源极和漏极中的每一个的合成物包括在与沟道的接合界面处的大于在与触点的结处的浓度的锗浓度。
技术研发人员：W·拉赫马迪;M·V·梅茨;B·舒-金;V·H·勒;G·杜威;A·阿格拉瓦尔;J·T·卡瓦列罗斯
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2015.12.24
技术公布日：2018.07.17