用于在半导体制造中控制等离子体的系统和方法与流程

本申请根据美国法典第35卷第119条(e)款的规定，要求于2015年5月22日提交的第62/165，477号美国临时申请的优先权，其全部内容清楚地结合至本申请作为参考。

技术领域

本发明总体涉及半导体领域，更具体地，涉及在半导体制造中控制等离子体的装置和方法。

背景技术：

半导体器件用于诸如个人电脑、手机、数码相机和其它电子设备的各种电子应用中。通常通过以下步骤来制造半导体器件：在半导体衬底上方顺序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层；并且使用光刻图案化各个材料层以在其上形成集成电路(IC)和元件。随着技术的进步，新一代的IC比前几代的IC具有更复杂的电路。然而，为了实现这些进步，需要在IC处理和制造过程中的类似发展。

在制造半导体器件期间，使用不同的工艺步骤以在半导体晶圆上制造集成电路。在朝着更小的器件尺寸和更高的电路密度持续发展的过程中的最困难的因素之一是在预定的错误窗(error windows)中一致地形成具有较小关键尺寸的电路。例如，半导体特征尺寸经常在光刻图案化和刻蚀之后经受光学或电学计量的检查，以确定电路尺寸在可接受的范围之内。

尽管用于执行工艺步骤的现有方法和器件通常能满足其预期目的，但是这些方法和设备不是在所有的方面都完全符合要求。因此，期望提供一种在半导体制造操作中用于工艺控制的解决方案。

技术实现要素：

根据本发明的一个方面，提供了一种等离子体处理系统，包括：远程等离子体模块，连接至导管的上游端部并且被配置为生成等离子体；处理室，连接至所述导管的下游端部并且被配置为接收来自所述远程等离子体模块的所述等离子体以用于等离子体工艺；化合物混合室，包括被构造作为所述导管的一部分的流动路径；以及检测模块，连接至所述流动路径并且被配置为监控所述流动路径中的所述等离子体的至少一个参数。

优选地，所述化合物混合室位于所述处理室外部，并且被构造为所述导管的另一部分的输气管道连接在所述化合物混合室与所述处理室之间。

优选地，所述远程等离子体模块通过被构造为所述导管的又一部分的输气管道连接至所述化合物混合室。

优选地，所述化合物混合室还包括：观察窗，在第一交叉点处与所述流动路径相接，其中，所述检测模块通过所述观察窗连接至所述化合物混合室；进气口，在第二交叉点处与所述流动路径相接；以及处理气体供应单元，通过所述进气口连接至所述流动路径并且被配置为将处理气体供应至所述流动路径，其中，所述第一交叉点位于所述第二交叉点的上游。

优选地，所述检测模块包括：分光光度计，被配置为监控所述等离子体；衬底，连接至所述分光光度计；以及密封构件，位于所述衬底与所述化合物混合室之间并且被配置为密封所述流动路径。

优选地，所述检测模块通过测量所述化合物混合室中的等离子体的光学波长来监控所述等离子体的所述至少一个参数。

根据本发明的另一方面，提供了一种等离子体处理系统，包括：远程等离子体模块，被配置为生成等离子体；化合物混合室，被配置为接收所述等离子体；处理室，被配置为接收来自所述化合物混合室的用于处理的所述等离子体；检测模块，被配置为监控所述化合物混合室中的所述等离子体。

优选地，所述化合物混合室位于所述处理室外部，并且所述处理室通过输气管道连接至所述化合物混合室。

优选地，所述远程等离子体模块通过输气管道连接至所述化合物混合 室。

优选地，所述化合物混合室包括：流动路径，所述等离子体沿着所述流动路径流经所述化合物混合室；以及观察窗，连接至所述流动路径，其中，所述检测模块通过所述观察窗连接至所述化合物混合室。

优选地，所述化合物混合室包括：第一进气口，连接至所述流动路径并且被配置为接收来自所述远程等离子体模块的所述等离子体；第二进气口，连接至所述流动路径并且被配置为接收来自所述处理气体供应单元的处理气体；其中，所述观察窗与所述流动路径的交叉点比所述第二进气口与所述流动路径的交叉点更靠近所述第一进气口。

优选地，所述检测模块连接至所述流动路径并且包括：分光光度计，被配置为监控所述等离子体；衬底，连接至所述分光光度计；以及密封构件，位于所述衬底与所述化合物混合室之间并且被配置为密封所述观察窗。

优选地，所述检测模块通过测量所述化合物混合室中的所述等离子体的光学波长来监控所述等离子体。

根据本发明的又一方面，提供了一种用于控制半导体制造中的等离子体的方法，包括：通过远程等离子体模块生成所述等离子体；将来所述自远程等离子体模块的所述等离子体引导至化合物混合室中；获取所述化合物混合室中的所述等离子体的参数数据；将所述参数数据与预定参数规格进行比较；以及如果所述参数数据落在所述预定参数规格之外，则结束所述远程等离子体模块的操作。

优选地，该方法还包括：在所述等离子体进入处理室以用于等离子体工艺之前，将所述等离子体与至少一种处理气体混合。

优选地，在所述等离子体与所述处理气体混合之前，获取所述等离子体的参数数据。

优选地，通过测量所述化合物混合室中的所述等离子体的光学波长来获取所述参数数据。

优选地，该方法还包括：在结束所述远程等离子体模块的操作之后，用另一远程等离子体模块来替换所述远程等离子体模块。

优选地，所述等离子体用于在半导体晶圆上形成材料层。优选地，所 述等离子体用于清洁工艺室。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的各个方面。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。

图1是根据一些实施例的半导体制造的处理系统的框图；

图2A是根据一些实施例的气体混合室的正视图；

图2B是根据一些实施例的气体混合室的后视图；

图3A是根据一些实施例的检测模块安装在气体混合室之前的爆炸图；

图3B时根据一些实施例的检测模块安装在气体混合室上的截面图；

图4是根据一些实施例的用于将等离子体材料供给到处理室中的方法的流程图；以及

图5是示出了光的波长的光谱的强度的关于工艺时间的示图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多不同实施例或实例，用于实现所提供主题的不同特征。以下将描述组件和布置的特定实例以简化本发明。当然，这些仅是实例并且不意欲限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触的实施例，也可以包括形成在第一部件和第二部件之间的附加部件使得第一部件和第二部件不直接接触的实施例。另外，本发明可以在多个实例中重复参考标号和/或字符。这种重复是为了简化和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

此外，为了便于描述，本文中可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等空间关系术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。除图中所示的方位之外，空间关系术语意欲包括使用或操作过程中的器件的不同的方位。装置可以 以其它方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在本文中使用的空间关系描述符可同样地作相应地解释。应该理解，可以在方法之前、期间和之后提供附加的操作，并且对于方法的其他实施例，可以代替或消除描述的一些操作。

图1示出了根据一些实施例的等离子体处理系统1的示意图。等离子体处理体统1被配置为处理一个或多个晶圆5。将要被处理的晶圆5可以包括半导体、导体和/或绝缘体。在一些实施例中，晶圆5包括层状半导体。实例包括绝缘体上半导体层的分层，诸如绝缘体上硅(SOI)衬底、蓝宝石上硅衬底或绝缘体上硅锗衬底；或玻璃上半导体的分层，以产生薄膜晶体管(TFT)。在形成完整的管芯之前，晶圆5可以经历若干处理步骤，诸如光刻、蚀刻和/或掺杂。

在一些实施例中，等离子体处理系统1包括远程等离子体模块10、化合物混合室20、处理室30、检测模块40、控制模块50、等离子体气体供应单元71以及数个处理气体供应单元72和73。可以在晶圆处理系统中添加附加部件，以及在晶圆处理系统的其他实施例中可以替换或去除下文描述的一些部件。

远程等离子体模块10被配置为供应并且控制至少一种等离子体以用于处理室30中的工艺应用。在一些实施例中，远程等离子体模块10包括电源、控制模块和等离子体室。邻近等离子体室设置的一个或多个电感线圈单元耦合至射频(RF)等离子体电源。当等离子体源气体60供应至远程等离子体模块10中时，来自等离子体气体供应单元71的等离子体源气体(非等离子体相)60激发为等离子体60'。远程等离子体模块10还将等离子体60'输送至化合物混合室20。在一些实施例中，远程等离子体模块10将许多不同的等离子体供应并且输送至处理室30。

在一些实施例中，等离子体气体供应单元71包括存储罐711和气体控制器712。存储罐711被配置为存储将要被输送至远程等离子体模块10的等离子体源气体60。等离子体源气体60可以选自由O₂、H₂O、NH₃、N₂、和H₂组成的组。气体控制器712被配置为控制到远程等离子体模块10的等离子体源气体60的连接和输送流量。气体控制器712可以包括诸如阀门、 流量计、传感器等的器件。在一些实施例中，气体控制器712由控制模块50控制并且接收来自该模块的指令。

在一些实施例中，处理气体供应单元72和73包括与等离子体气体供应单元71类似的组件。例如，处理气体供应单元72包括存储罐721和气体控制器722。存储罐721被配置为包含处理气体61。气体控制器722被配置为控制到化合物混合室20的处理气体61的连接和输送流量。处理气体供应单元73包括存储罐731和气体控制器732。存储罐731被配置为包含处理气体62。气体控制器732被配置为控制到化合物混合室20的处理气体62的连接和输送流量。

从处理气体供应单元72和73供应的处理气体61和62可以与从等离子体气体供应单元71供应的等离子体源气体60相同或不同。在一些实施例中，等离子体源气体60是氮，处理气体61包括硅烷(SiH₄)，以及处理气体62包括六氟化钨(WF₆)。在一些实施例中，处理气体61和62供应至化合物混合室20中而未被转换为如来自等离子气体供应单元71的等离子体60'的等离子体(即，非等离子体相)。

化合物混合室20被配置为接收来自不同的源的气体和等离子体并且将化合物引导至处理室30。在一些实施例中，化合物混合室20被配置为接收来自不同的源的气体和等离子体并且在它们到达处理室30之前将所有化合物混合。在一些实施例中，没有供应至化合物混合室20中的气体，但是通过化合物混合室20将一种或多种不同的等离子体供应至处理室30。

在一些实施例中，化合物混合室20包括形成在其中的流动路径21以使得气体或等离子体流通。在一些实施例中，化合物混合室20还包括许多进气口(诸如进气口22、25和26)、观察窗23和出气口24。进气口22、25和26、观察窗23和出气口24连接至流动路径21。

在一些实施例中，化合物混合室20通过进气口22连接至远程等离子体模块10。如图1所示，输气管道11连接在远程等离子体模块10与化合物混合室20的进气口22之间。另外，化合物混合室20通过出气口24连接至处理室30。如图1所示，输气管道12连接在处理室30与化合物混合室20的出气口24之间。输气管道11和12可以是管道、导管或类似的器 件。在一些实施例中，输气管道11和12可拆卸地连接至化合物混合室20并且通过诸如螺钉的合适的方式固定在化合物混合室20上。在一些实施例中，进气口22和出气口24形成在流动路径21的两端。

在一些实施例中，化合物混合室20通过进气口25连接至处理气体供应单元72，并且化合物混合室20通过进气口26连接至处理气体供应单元73。如图1所示，进气口25在交叉点P1处连接至流动路径21，并且进气口26在交叉点P2处连接至流动路径21。交叉点P1位于交叉点P2的上游。然而，应该理解，可以对本发明的实施例做出其他变化和更改。在一些实施例中，例如，交叉点P1和交叉点P2布置在相同的位置处。

观察窗23连接至流动路径21以使得在等离子体60'通过交叉点P1和P2之前检测等离子体60'。在一些实施例中，如图1所示，观察窗23在交叉点P0处连接至流动路径21。交叉点P0位于交叉点P1和P2的上游。即，交叉点P1和P2比交叉点P0更远离进气口22。结果，在通过进气口22将等离子体60'供应至化合物混合室20之后，等离子体60'首先流经交叉点P0，然后流经交叉点P1和P2。之后，等离子体60'通过出气口24离开化合物混合室20。

图2A示出了根据一些实施例的化合物混合室20的正视图。在一些实施例中，化合物混合室20包括主体200。进气口22和出气口24形成在主体200的相同的外部表面上，诸如主体200的正面201。进气口22形成为邻近主体200的顶端，并且出气口24形成为邻近主体200的底端。

图2B示出了根据一些实施例的化合物混合室20的后视图。在一些实施例中，两个附加的进气口25和26形成在主体200的一个外部表面(诸如背面202)上，并且观察窗23也形成在主体200的一个外部表面(诸如背面202)上。两个附加的进气口25和26形成为邻近主体200的底端，并且观察窗23形成为邻近主体200的顶端。在一些实施例中，进气口22和观察窗23形成在主体200的两个相对的外部表面处。另外，进气口22与观察窗23对准。结果，沿着相同的轴布置进气口22和观察窗23。

化合物混合室20的配置可以变化。在一些实施例中，观察窗23形成在主体的任一外部表面上，诸如背面203或将主体200的正面201连接至 背面203的侧面。

参考图1，处理室30被配置为使用来自化合物混合室20的气体来处理一个或多个晶圆5。在一些实施例中，处理室30使用远程等离子体(诸如等离子体60')和处理气体(诸如处理气体61和62)来在放置在处理室30中的晶圆5上形成沉积的层。然而，尽管参考沉积工艺对实施例进行了描述，但是实施例不限于此。并且，使用等离子体的任何工艺(诸如等离子体辅助蚀刻工艺、等离子体处理工艺等)都可以受益于该实施例。所有这些等离子体工艺和远程等离子体工艺都预期地完全包括在该实施例的范围内。

在一些实施例中，处理室30包括安装平台31和喷头32。诸如静电吸盘(ESC)的安装平台31位于本发明的处理室30中以用于支撑晶圆5。安装平台31可以旋转并且可以包括加热机制以在沉积工艺期间加热衬底5。应该理解，尽管图1中示出了单个安装平台31，但是处理室30内可以附加地包括任何数量的安装平台31。

在一些实施例中，喷头32被配置为接收来自化合物混合室20的气体并且将气体薄而均匀地分布在处理室30的周围。喷头32可以具有圆形设计，其中，各开口均匀地分布在喷头32周围。可以通过泵来控制处理室30内的诸如压力的工艺条件。

图3A是根据一些实施例的检测模块在安装在气体混合室之前的分解图。在一些实施例中，检测模块40是光学电直读光谱仪。然而，可以对本发明的实施例做出其他变化和更改。在一些实施例中，例如，检测模块40包括固定发射机和可调接收器(FTTR)。FTTR被配置为实时检测流动路径21中的等离子体60'的状态。

根据一些实施例，检测模块40包括计算机41(图1)、信号线42和探测装置43。探测装置43通过信号线42连接至计算机41。探测装置43包括分光光度计431、衬底432和密封构件433。分光光度计431根据光束的颜色(波长)来测量光束的强度。分光光度计431电连接至信号线42并且物理连接至衬底432。衬底432包括透明玻璃。

诸如O型环的密封构件433位于衬底432的与设置分光光度计431的 表面相对的表面和化合物混合室20之间。具体地，如图3A所示，观察窗23包括沿着直轴M延伸的通道。通道包括第一内壁231、第二内壁232和第三内壁233。第一内壁231将背面202连接至第二内壁232，并且第三内壁233将第二内壁232连接至流动路径21。第一和第三内壁231和233平行于直轴M延伸。第二内壁232垂直于第一和第三内壁231和233布置。圆形槽234形成在第二内壁232的外围上。密封构件233位于圆形槽234中。然而，可以对本发明的实施例做出其他变化和更改。在其他一些未示出的实施例中，例如，槽形成在衬底432上，并且密封构件433位于衬底432的槽中。

组装的密封构件433位于化合物混合室20上，并且对应于化合物混合室20的观察窗来设置探测装置43。在一些实施例中，利用合适的方式，探测装置43通过分光光度计431安装在化合物混合室20上。例如，如图3A所示，通过许多螺钉434将分光光度计431固定在背面202上。每一个螺钉434都穿过形成在分光光度计431上的贯通孔4311并且通过背面202上的内螺纹与孔204相配。

在一些实施例中，如图3B所示，在将分光光度计431固定在化合物混合室20上之后，密封构件433被压缩变形。结果，密封了化合物混合室20的观察窗23，并且防止气体在流动路径21中泄露。

在一些实施例中，衬底432的宽度大于观察窗23的宽度。另外，在与轴M(观察窗23沿着该轴延伸)垂直的方向上，分光光度计431的宽度大于衬底432的宽度。

计算机41被配置为确定流动路径21内的光的波长的光谱的相对强度。在操作中，等离子体60'流经流动路径21中的交叉点P0，并且透过观察窗23可被分光光度计431看到。如图5所示，计算机41随后存储并且分析获得的光学发射光谱数据，以及输出与流动路径21内的光的波长的光谱的强度对应的实时检测结果。

控制模块50(见图1)被配置为控制处理系统1的若干参数。在一些实施例中，基于来自检测模块40的计算机41的输出，控制模块50控制远程等离子体模块10。例如，如果流动路径21内的光波长的光谱的强度在 预定范围外，则控制模块50触发关闭远程等离子体模块10的信号并且发出报警信号。结果，等离子体60'被停止供应至化合物混合室20中，并且请求操作员执行对远程等离子体模块10的维护。在一些实施例中，以另一远程等离子体模块10来替换远程等离子体模块10，以继续供应用于等离子体工艺的等离子体60'。

图4是根据一些实施例示出用于清洁晶圆或使用等离子体来形成材料层的方法100的流程图。为了说明的目的，连同图1至图3所示的示意图一起来描述流程图。对于不同的实施例，可以替换或去除所描述的一些阶段。

方法100开始于操作101，其中，通过远程等离子体模块(诸如远程等离子体模块10)生成等离子体。在一些实施例中，远程等离子体模块10将来自等离子体气体供应单元71的等离子体气体60(非等离子体相)变为等离子体60'。来自等离子体供应单元71的等离子体气体可以是氮。在一些实施例中，远程等离子体模块10在预定的时间段内连续生成等离子体60'。然而，可以对本发明的实施例做出若干变化和更改。在一些实施例中，例如，远程等离子体模块10周期性地生成等离子体60'，并且在每个独立的周期之间，没有等离子体或有由其他化合物激发的不同的等离子体。

在操作102中，来自远程等离子体模块10的等离子体60'被引导至化合物混合室(诸如化合物混合室20)。在一些实施例中，化合物混合室20位于远程等离子体模块10外部并且相距一定距离。通过输气管道11将等离子体60'输送至化合物混合室20。输气管道11将远程等离子体模块10的出气口连接至化合物混合室20的进气口22。

在一些实施例中，在传输至化合物混合室20之后，等离子体60'流经化合物混合室20中的流动路径21并且流至处理室30以用于等离子体工艺。通过输气管道12将等离子体60'输送至处理室30。输气管道12将远程等离子体模块10的出气口24连接至处理室30的进气口。处理室30的进气口可以直接连接至处理室30的喷头32。

在一些实施例中，通过导管将等离子体从远程等离子体模块10传输至处理室30。因此，导管由输气管道11、流动路径21和输气管道12顺序构 成。远程等离子体模块10连接至导管的上游端部，而处理室30连接至导管的下游端部。

在操作103中，一种或多种处理气体供应至化合物混合室20中。在一些实施例中，同时执行处理气体的供应和来自远程等离子体模块10的等离子体或其他化合物的供应。例如，处理气体61和62供应至化合物混合室20中，同时来自远程等离子体模块10的等离子体60'或另一化合物供应至化合物混合室20中。因此，在化合物混合室20的流动路径21中混合处理气体61和62以及等离子体60'或化合物。

然而，可以对本发明的实施例做出其他变化和更改。在其他的一些实施例中，例如，可以在将等离子体60'传输至化合物混合室20之前开始处理气体的供应。可选地，可以在远程等离子体模块10停止供应任何化合物之后开始处理气体的供应。来自远程等离子体模块10的等离子体60'未与其他气体混合并且输送至处理室30。在一些实施例中，省略了操作103，因此没有气体供应至化合物混合室20中。

在操作104中，通过检测模块(诸如检测模块40)获取化合物混合室中的等离子体60'的参数数据。在一些实施例中，检测模块40通过测量形成在化合物混合室20中的流动路径21的上游的等离子体60'的光学波长来监控等离子体60'。例如，观察窗23(检测模块40通过该观察窗可以看见等离子体60')直接面向用于接收来自远程等离子体模块10的等离子体60'的进气口21。由于在等离子体60'与流动路径21中的其他化合物混合之前获取了等离子体60'的参数数据，所以提高了检测结果的精确度。

然而，检测模块40的布置不应该限制于以上实施例。在一些实施例中，例如，在等离子体60'与流动路径21中的其他化合物混合之后获取等离子体60'的参数数据，并且检测模块40监控流动路径21中的等离子体60'和处理气体61和62的混合物的状态。

在操作105中，比较参数数据与预定的参数规格。在一些实施例中，通过检测模块40的计算机41处理参数数据。可以对计算机41进行编程以解译参数数据，诸如来自探测装置43的等离子体的电子密度和/或等离子体的电子碰撞率。在一些实施例中，在等离子体工艺期间和/或贯穿整个等 离子体工艺，计算机41将参数数据与预先编入计算机41的预定参数规格进行连续比较。

在操作106中，如果参数数据落在预定参数规格之外，则结束远程等离子体模块10的操作。在一些实施例中，测量的参数数据漂移至规格的上限或下限之外，因此适当的数据传输至控制模块50，控制模块50结束远程等离子体模块10的操作或反应室32的操作。结果，可以避免由于供应有不适当的等离子体而导致的衬底5的失败。在一些实施例中，如图5所示，预定参数规格是由检测模块40检测的波长的强度范围。在检测氮等离子体气体的情况下，强度范围从约2.5(a.u.)至约4.5(a.u.)。

在一些实施例中，在操作105之后，由另一远程等离子体模块10来替换远程等离子体模块10。与原来的远程等离子体模块10类似，新的远程等离子体模块10连接至化合物混合室20以将等离子体供应至处理室30以用于等离子体工艺。也通过检测模块40来连续地监控由新的等离子体模块10供应的等离子体，以确在保处理室中执行的等离子体工艺的适当的处理结果。

以上描述的半导体制造中的控制等离子体的实施例使用检测模块以用于对化合物混合室中的由远程等离子体模块供应的等离子体进行实时监控。如果测量的等离子体参数数据未在编程的/预定等离子体参数规格内，则远程等离子体模块停止供应等离子体。因此，稳定了等离子体工艺的特性。另外，与计算膜的蚀刻速率(通过来自远程等离子体模块的等离子体来蚀刻)的传统方法相比，本发明的方法降低了由供应具有不适当的密度的等离子体而导致的失败的风险。结果，提高了产量，并且降低了制造成本。

根据一些实施例，提供一种等离子体处理系统。系统包括远程等离子体模块。远程等离子体模块连接至导管的上游端部并且被配置为生成等离子体。该系统还包括处理室。处理室连接至导管的下游端部并且被配置为接收来自远程等离子体模块的等离子体以用于等离子体工艺。系统还包括化合物混合室。化合物混合室包括被构造为导管的一部分的流动路径。另外，系统包括检测模块。检测模块连接至流动路径并且被配置为监控流动 路径中的等离子体的至少一个参数。

根据一些实施例，提供一种等离子体处理系统。系统包括被配置为生成等离子体的远程等离子体模块。系统还包括被配置为接收等离子体的化合物混合室。系统还包括被配置为接收来自化合物混合室的用于处理的等离子体的处理室。另外，系统包括被配置为监控化合物混合室中的等离子体的检测模块。

根据一些实施例，提供了一种用于在半导体制造中的等离子体的方法。方法包括通过远程等离子体模块生成等离子体。方法还包括将来自远程等离子体模块的等离子体引导至化合物混合室中。方法还包括获取化合物混合室中的等离子体的参数数据。另外，该方法包括比较参数数据与预定参数规格。如果参数数据落在预定参数规格之外，则结束远程等离子体模块的操作。

虽然详细描述了实施例及它们的优势，但应该理解，在不背离所附权利要求限定的实施例的精神和范围的情况下，对本发明可作出各种变化、替代和修改。此外，本申请的范围不旨在限制于说明书中所述的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法和步骤的特定实施例。作为本领域的普通技术人员将容易地从本发明中理解，根据本发明，可以利用现有的或今后将被开发的、执行与本文所述的对应实施例基本相同的功能或实现基本相同的结果的工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤。因此，所附权利要求旨在将这些工艺、机器、制造、物质组成、工具、方法或步骤包括在它们的范围内。此外，每一个权利要求都构成一个单独的实施例，且不同权利要求和实施例的组合都在本发明的范围内。