技术总结
本发明公开了一种铝栅CMOS双层金属布线的制作工艺和版图结构。其包括：叠加在MOS晶体管层之上，通过通孔实现电路连接的第一金属层；叠加在第一金属层之上，通过制作通孔进行电路连接的第二金属层以及设置在第一金属层和第二金属层之间的绝缘介质隔离层。所述第二金属层可以只用作压焊点设计。当需要时，所述第二金属层亦可通过制作通孔进行其它电路连接，完成集成电路内部电路设计。所述制作连接第一金属层和第二金属层的通孔(via)结构，具有工艺简单可靠的特点。使用该双层金属布线的制作工艺和结构方式，可有效的提高铝栅CMOS集成度，降低生产成本，使产品具有良好的市场竞争力。
技术研发人员：陈军建
受保护的技术使用者：陈军建
文档号码：201610125636
技术研发日：2016.03.07
技术公布日：2017.03.01