1.一种SHF波段微型双通带滤波器，其特征在于：它包括T型匹配电路、第一微波滤波器和第二微波滤波器；
T型匹配电路为带状传输线所组成的T形结构带状线，T型匹配电路包括T-port1端口、T-port2端口和Input端口，T-port1端口与第一输入端口P1连接，T-port2与第二输入端口P3连接；
所述T-port1端口的电长度为：
1/4λ2；
λ2为第二微波滤波器中心频率所对应的波长；
特征阻抗为50欧姆；
所述T-port2端口的电长度为：
1/4λ1；
λ1为第一微波滤波器中心频率所对应的波长；
第一微波滤波器包括第一输入端口P1、第一输入电感Lin1、第一级并联谐振单元、第二级并联谐振单元、第三级并联谐振单元、第四级并联谐振单元、第五级并联谐振单元、第一输出电感Lout1、第一Z形级间耦合带状线Z-shape1、第一输出端口P2和接地端；第一输入端口P1和第一输出端口P2分别设于第一微波滤波器的左右两侧；
第一级并联谐振单元包括主谐振级L1、金属柱Via1和对地加载电容C1，主谐振级L1通过金属柱Via1连接对地加载电容C1，对地加载电容C1设于主谐振级L1的上方；
第二级并联谐振单元包括主谐振级L2、金属柱Via2和对地加载电容C2，主谐振级L2通过金属柱Via2连接对地加载电容C2，对地加载电容C2设于主谐振级L2的下方；
第三级并联谐振单元包括主谐振级L3、金属柱Via3和对地加载电容C3，主谐振级L3通过金属柱Via3连接对地加载电容C3，对地加载电容C3设于主谐振级L3的上方；
第四级并联谐振单元包括主谐振级L4、金属柱Via4和对地加载电容C4，主谐振级L4通过金属柱Via4连接对地加载电容C4，对地加载电容C4设于主谐振级L4的上方；
第五级并联谐振单元包括主谐振级L5、金属柱Via5和对地加载电容C5，主谐振级L5通过金属柱Via5连接对地加载电容C5，对地加载电容C5位于主谐振级L5的上方；
主谐振级L1、主谐振级L3和主谐振级L5均为前端接地，主谐振级L2和主谐振级L4均为后端接地；
Z型交叉耦合线设于主谐振级L1、主谐振级L2、主谐振级L3、主谐振级L4和主谐振级L5的正下方，所述Z型交叉耦合线的两端均接地；
第一输入电感Lin1与第一输入端口P1连接，第一输出电感Lout1与第一输出端口P2连接；
第二微波滤波器F2包括第二输入端口P3、第二输入电感Lin2、第六级并联谐振单元、第七级并联谐振单元、第八级并联谐振单元、第九级并联谐振单元、第十级并联谐振单元、第十一级并联谐振单元、第二输出电感Lout2、第二Z形级间耦合带状线Z-shape2、第二输出端口P4和接地端；所述第一输出端口P2与所述第二输出端口P4相连；
第六级并联谐振单元包括主谐振级L6、金属柱Via6和对地加载电容C6，主谐振级L6通过金属柱Via6连接对地加载电容6，对地加载电容C6设于主谐振级L6的上方；
第七级并联谐振单元包括主谐振级L7、金属柱Via7和对地加载电容C7，主谐振级L7通过金属柱Via7连接对地加载电容7，对地加载电容C7设于主谐振级L7的下方；
第八级并联谐振单元包括主谐振级L8、金属柱Via8和对地加载电容C8，主谐振级L8通过金属柱Via8连接对地加载电容8，对地加载电容C8设于主谐振级L8的上方；
第九级并联谐振单元包括主谐振级L9、金属柱Via9和对地加载电容C9，主谐振级L9通过金属柱Via9连接对地加载电容9，对地加载电容C9设于主谐振级L9的上方；
第十级并联谐振单元包括主谐振级L10、金属柱Via10和对地加载电容C10，主谐振级L10通过金属柱Via10连接对地加载电容10，对地加载电容C10设于主谐振级L10的上方；
第十一级并联谐振单元包括主谐振级L11、金属柱Via11和对地加载电容C11，主谐振级L11通过金属柱Via11连接对地加载电容11，对地加载电容C11设于主谐振级L11的上方；
主谐振级L6、主谐振级L8和主谐振级L10的均为前端接地，主谐振级L7、主谐振级L9和主谐振级L11均为后端接地；Z型交叉耦合线设于主谐振级L6、主谐振级L7、主谐振级L8、主谐振级L9、主谐振级L10和主谐振级L11的正下方，Z型交叉耦合线两端均接地；
第二输入电感Lin2与第二输入端口P3连接，第一输出电感Lout2与第二输出端口P4连接。
2.如权利要求1所述的一种SHF波段微型双通带滤波器，其特征在于：所述一种SHF波段微型双通带滤波器采用多层低温共烧陶瓷工艺制成。
3.如权利要求1所述的一种SHF波段微型双通带滤波器，其特征在于：第一输入端口P1、第二输入端口P3连接、第一输出端口P2和第二输出端口P4均为表面贴装的50欧姆阻抗端口。